БАРИТОВЫЙ диод - BARITT diode - Wikipedia
В БАРИТОВЫЙ диод (время прохождения барьерной инъекции) является высокой частотой полупроводник компонент микроэлектроника. Связанный компонент - диод DOVETT. Диод BARITT использует свойства инжекции и времени прохождения миноритарные перевозчики произвести отрицательное сопротивление на микроволновых частотах. Около смещенного переднего пограничного слоя инжектируются неосновные носители. Здесь нет сход лавины вместо. Следовательно, и фазовый сдвиг, и выходная мощность существенно ниже, чем у IMPATT диод.[1]
Рекомендации
- ^ Зе, С.М. (1981). Физика. Полупроводниковые приборы. второе издание. Джон Вили и сыновья. стр.613–625. ISBN 0-471-05661-8.