Буль (кристалл) - Boule (crystal)

Кристаллизация
Основы
Кристалл  · Кристальная структура  · Зарождение
Концепции
Кристаллизация  · Рост кристаллов Перекристаллизация  · Семенной кристалл Протокристаллический  · Монокристалл
Методы и технологии
Буль Метод Бриджмена – Стокбаргера Процесс хрустального бруса Метод Чохральского Эпитаксия  · Метод флюса Фракционная кристаллизация Фракционное замораживание Гидротермальный синтез Киропулос метод Рост пьедестала с лазерным нагревом Микро-вытягивание вниз Формирующие процессы при росте кристаллов Тигель черепа Метод Вернейля Зона плавления

Монокристаллический кремний буль

А буль это монокристалл слиток производится синтетическим путем.^[1]

Були кремний является исходным материалом для большинства интегральные схемы используется сегодня. в полупроводник промышленные синтетические бульоны могут быть изготовлены несколькими способами, такими как Техника Бриджмена^[2] и Процесс Чохральского, в результате чего получается цилиндрический стержень из материала.

В процессе Чохральского затравочный кристалл требуется для создания большего кристалла или слитка. Этот затравочный кристалл погружают в чистый расплавленный кремний и медленно извлекают. Расплавленный кремний растет на затравочном кристалле кристаллическим способом. По мере извлечения затравки кремний затвердевает, и в конечном итоге образуется большая цилиндрическая буля.^[3]

Були полупроводникового кристалла обычно разрезают на круглые вафли используя внутреннее отверстие алмазная пила или алмаз канатная пила, и каждая пластина притертый и отполированы, чтобы обеспечить подложки, подходящие для изготовления полупроводниковые приборы на его поверхности.^[4]

Этот процесс также используется для создания сапфиры, которые используются для подложек при производстве синих и белых Светодиоды, оптические окна для специальных применений и как защитные крышки для часы.^[5]

Рекомендации

1. Кимото, Цуненобу; Купер, Джеймс А. (24 ноября 2014 г.). Основы технологии карбида кремния: рост, характеристика. ISBN  9781118313527. Получено 1 марта, 2017.
2. Дханарадж, Говиндхан; Бираппа, Куллайя; Прасад, Вишванатх; Дадли, Майкл (2010). Справочник Springer по выращиванию кристаллов. ISBN  9783540747611. Получено 25 февраля, 2017.
3. Реа, Сэмюэл Н. (1978). «Непрерывное развитие процесса Чохральского». Получено 1 марта, 2017.
4. БОЗЕ (2013). Технология изготовления ИС. McGraw Hill Education (Индия) Pvt Ltd. стр. 53. ISBN  978-1-259-02958-5.
5. Ж.-П. Колиндж (29 февраля 2004 г.). Технология кремний-на-изоляторе: материалы по СБИС: материалы по Vlsi. Springer Science & Business Media. п. 12. ISBN  978-1-4020-7773-9.