Модель Гаммеля – Пуна - Gummel–Poon model

Схема модели Spice Gummel – Poon NPN

В Модель Гаммеля – Пуна это модель из биполярный переходной транзистор. Впервые это было описано в статье, опубликованной Герман Гуммель и Х. К. Пун в Bell Labs в 1970 г.^[1]

Модель Гуммеля – Пуна и ее современные варианты широко используются в популярных схемотехнических симуляторах, таких как СПЕЦИЯ. Существенный эффект, который учитывает модель Гаммеля – Пуна, - это изменение транзистора. ${displaystyle eta _{ ext{F}}}$ и ${displaystyle eta _{ ext{R}}}$ ценности с постоянный ток уровень. Если некоторые параметры опущены, модель Гаммеля – Пуна сводится к более простой Модель Эберса – Молла.^[1]

Параметры модели

Параметры модели Spice Gummel – Poon^[2]

#	Имя	Свойство смоделированный	Параметр	Единицы	Дефолт ценить
1	ЯВЛЯЕТСЯ	Текущий	транспортный ток насыщения	А	1×10−16
2	BF	Текущий	идеальный макс. форвардная бета	—	100
3	NF	Текущий	коэффициент излучения прямого тока	—	1
4	VAF	Текущий	прямое раннее напряжение	V	∞
5	IKF	Текущий	угол для сильноточного спада вперед-бета	А	∞
6	ISE	Текущий	B – E ток насыщения утечки	А	0
7	NE	Текущий	Коэффициент выбросов утечки B – E	—	1.5
8	BR	Текущий	идеальный макс. обратная бета	—	1
9	NR	Текущий	коэффициент обратного тока эмиссии	—	1
10	VAR	Текущий	обратное раннее напряжение	V	∞
11	ИКР	Текущий	угол для обратного бета-спада сильноточного тока	А	∞
12	ISC	Текущий	Ток насыщения утечки B – C	А	0
13	NC	Текущий	Коэффициент выбросов утечки B – C	—	2
14	РБ	сопротивление	базовое сопротивление нулевого смещения	Ω	0
15	IRB	сопротивление	ток, при котором сопротивление базы падает наполовину до минимума	А	∞
16	УОР	сопротивление	минимальное сопротивление базы при больших токах	Ω	РБ
17	RE	сопротивление	сопротивление эмиттера	Ω	0
18	RC	сопротивление	сопротивление коллектора	Ω	0
19	CJE	емкость	B – E обедняющая емкость при нулевом смещении	F	0
20	VJE	емкость	B – E встроенный потенциал	V	0.75
21	MJE	емкость	Экспоненциальный множитель B – E перехода	—	0.33
22	TF	емкость	идеальное время прохождения вперед	s	0
23	XTF	емкость	коэффициент для смещения зависимости TF	—	0
24	VTF	емкость	напряжение, описывающее VBC-зависимость TF	V	∞
25	ITF	емкость	сильноточный параметр для воздействия на TF	А	0
26	ПТФ		избыточная фаза на частоте = 1 / (2π TF)	°	0
27	CJC	емкость	B – C обедняющая емкость при нулевом смещении	F	0
28	VJC	емкость	B – C встроенный потенциал	V	0.75
29	MJC	емкость	Экспоненциальный множитель B – C перехода	—	0.33
30	XCJC	емкость	доля обедненной емкости B – C, подключенной к внутреннему базовому узлу	—	1
31	TR	емкость	идеальное время обратного прохождения	s	0
32	CJS	емкость	нулевое смещение коллектор – емкость подложки	F	0
33	VJS	емкость	встроенный потенциал подложка – переход	V	0.75
34	MJS	емкость	экспоненциальный множитель подложка – переход	—	0
35	XTB		экспонента температуры прямого и обратного бета	—	0
36	НАПРИМЕР		энергетическая щель для температурного воздействия ИС	эВ	1.1
37	XTI		температурная экспонента для эффекта IS	—	3
38	KF		коэффициент фликкер-шума	—	0
39	AF		показатель мерцания шума	—	1
40	FC		коэффициент для формулы обедненной емкости прямого смещения	—	0.5
41	ТНОМ		параметр измерения температуры	° C	27

Смотрите также

• Гуммель сюжет

Рекомендации

1. Х. К. Гуммель и Х. К. Пун, "Интегральная модель управления зарядом биполярных транзисторов", Bell Syst. Tech. Дж., т. 49, стр. 827–852, май – июнь 1970 г.
2. Резюме модели со схемами и уравнениями.

внешняя ссылка

• Bell System Technical Journal, v49: i5, май-июнь 1970 г., на archive.org
• Сравнительная статья Designers-Guide.org Сяочонг Цао, Дж. МакМакен, К. Стайлз, П. Лейман, Джуин Дж. Лиу, Адельмо Ортис-Конде и С. Мойян, «Сравнение новых моделей биполярных транзисторов VBIC и традиционных моделей биполярных транзисторов Гаммеля – Пуна», IEEE Trans-ED 47 # 2, февраль 2000 г.