Список участников IEEE Electron Devices Society - List of fellows of IEEE Electron Devices Society

Уровень членства Fellow - это самый высокий уровень членства, и он не может быть заявлен напрямую членом - вместо этого кандидат должен быть выдвинут другими. Этот уровень членства присваивается Советом директоров IEEE в знак признания высокого уровня продемонстрированных выдающихся достижений.^[1]

Год	Парень	Цитирование
1968	Джеймс Майндл	За лидерство и вклад в области микроэлектроники и интегральных схем.
1968	Джеймс Биард	За выдающийся вклад в области оптоэлектроники
1970	Герберт Кремер	За изобретение дрейфового транзистора и других полупроводниковых приборов.
1971	Ричард Андерсон	За вклад в полупроводники и инженерное образование
1972	Джордж Хаддад	За вклад в твердотельные и квантовые электронные устройства и инженерное образование
1972	Мартин Лепсельтер	За вклад в развитие искусства транзисторов и интегральных схем.
1974	Марвин Уайт	За вклад в теорию и развитие твердотельных электронных устройств, особенно транзисторов памяти и массивов формирования изображений с зарядовой связью.
1975	Льюис Терман	За вклад в разработку полупроводниковой компьютерной памяти и логических схем.
1977	Дж. Земель	За вклад в твердотельную электронику и разработку полупроводниковых соединений IV-VI для инфракрасных фотопроводящих приложений.
1978	Дэвид Барб	За вклад в теорию, понимание и развитие устройств с зарядовой связью.
1978	Джон Осепчук	За вклад в развитие микроволновой техники и безопасности в микроволновой печи.
1979	Джеймс Гоэлл	За технический вклад и лидерство в области оптических волокон, интегральных оптических схем и миллиметровых волноводов.
1979	Альфред Мак Рэй	За лидерство в разработке технологии ионной имплантации и ее применения в производстве полупроводниковых приборов.
1981	Баллато	За вклад в теорию пьезоэлектрических кристаллов и управление частотой.
1981	Роберт Мейер	За вклад в анализ и разработку высокочастотных усилителей.
1982	Фред Блюм	За лидерство и вклад в разработку высокоскоростных электронных и оптоэлектронных устройств с использованием соединений III-V.
1982	Уильям Холтон	За техническое лидерство в исследованиях и разработках полупроводников
1982	Саймон Миддельхук	За вклад в теорию тонких магнитных пленок, в магнитные и полупроводниковые технологии, а также за лидерство в инженерном образовании.
1982	Брюс Вули	За вклад в разработку интегральных схем для систем связи.
1983	Б. Джаянт Балига	За вклад в развитие силовых полупроводниковых приборов.
1983	К. Берглунд	За вклад в физику и устройства интерфейса металл-оксид-полупроводник.
1983	Ричард Иден	За вклад в разработку быстродействующих интегральных схем из арсенида галлия и фотоприемников из сплавов III-V.
1983	Джерри Фоссум	За вклад в теорию и технологию кремниевых солнечных элементов и транзисторов.
1983	H Трой Нэгл	За вклад в промышленную электронику, сбор данных и контрольно-измерительные приборы.
1983	Такуо Сугано	За вклад в развитие полупроводниковых технологий и устройств, а также за инженерное образование.
1984	H Кейси	За вклад в соединения III-V в понимании эмиссии на основе основных оптических свойств и поведения примесей
1984	Роберт Даттон	За вклад в компьютерное моделирование кремниевых устройств и производственных процессов.
1984	Кирилл Хилсум	За новаторские теоретические предсказания эффектов отрицательного сопротивления фотоэлектронов в арсениде галлия.
1985	Майкл Адлер	За вклад в САПР-моделирование силовых полупроводниковых приборов.
1985	Артур Фойт	За вклад в технологии ионной имплантации для изготовления полупроводниковых приборов.
1985	Раджиндер Хосла	За вклад в создание твердотельных изображений и за лидерство в области микроэлектроники
1985	Джеймс МакГэррити	За вклад в понимание физических механизмов, вызывающих радиационные повреждения в МОП-устройствах.
1985	Джеймс Пламмер	За вклад в понимание процессов производства кремния, физики устройств и высоковольтных интегральных схем.
1986	Дэвид Ферри	За вклад в изучение транспорта носителей заряда в полупроводниках и физику субмикронных полупроводниковых приборов.
1986	Кеннет Галлоуэй	За вклад в изучение радиационных эффектов в микроэлектронике.
1986	Ричард Джагер	За вклад в технологию устройств для высокопроизводительных аналоговых и цифровых компьютерных систем.
1986	Майкл Томпсетт	За инновации и лидерство в области применения устройств с зарядовой связью для обработки изображений, памяти и обработки сигналов.
1986	Кенсалл Уайз	За лидерство в области интегрированных твердотельных датчиков и инженерного образования
1986	Х Ю	За лидерство и вклад в передовые технологии для схем СБИС
1987	П Даниэль Дапкус	За разработку процесса химического осаждения из газовой фазы металлоорганических соединений для выращивания полупроводниковых гетероструктур соединений AIIIBV.
1987	Джон Хаузер	За вклад в понимание транспорта носителей заряда в полупроводниках и за разработку каскадных солнечных элементов.
1987	Так Нин	За вклад в понимание эффектов горячих электронов на полевых МОП-транзисторах и достижения в биполярной технологии.
1987	Ca Salama	За вклад в развитие силовых полупроводниковых приборов и проектирование интегральных схем.
1988	Ричард Мюллер	За вклад в твердотельные датчики и образование в области твердотельной электроники.
1988	Роберт Биериг	За лидерство в исследованиях устройств на основе GaAs и технологии MMIC.
1988	Джеймс Харрис	За вклад в создание сложных полупроводниковых материалов и устройств
1988	Лоуренс Казмерски	За вклад в технологию фотоэлектрических устройств, а также за разработку электронных материалов и характеристик устройств.
1989	Луи Паррилло	За вклад в КМОП и биполярные интегральные схемы
1989	Майкл Шур	За вклад в развитие быстродействующих устройств и интегральных схем.
1989	Паллаб Бхаттачарья	За вклад в синтез и определение характеристик соединений и гетероструктур III-V и их применение в электронных и оптических устройствах.
1989	Раймонд Боксман	За достижения в теории вакуумной дуги и ее приложениях
1989	Мадху Гупта	За вклад в определение характеристик и моделирование шума в высокочастотных полупроводниковых приборах и микроволновых интегральных схемах.
1989	Роберт Хартман	За вклад в надежность полупроводниковых лазеров для волоконно-оптических систем связи.
1989	Джон Кассакян	За вклад в образование и исследования в области силовой электроники
1989	Кришна Панде	За вклад в разработку полупроводниковых материалов и устройств III-V, в частности, за продвижение технологии полевых транзисторов на основе фосфида индия, металл-диэлектрик-полупроводник.
1989	Кришна Сарасват	За вклады в металлизацию и межсоединения для СБИС.
1989	Руди Ван Де Плаше	За вклад в разработку аналоговых интегральных схем
1989	Э Виттоц	За вклад в развитие микросхем на микросхемах.
1990	Гарольд Феттерман	За вклад в распространение оптических технологий в субмиллиметровом и миллиметровом диапазонах волн.
1990	H Jory	За техническое лидерство в разработке гиротронов
1990	Джон Оуэнс	За вклад в понимание и применение магнитостатических волн в микроволновых диапазонах частот.
1990	Димитри Антониадис	За вклад в моделирование и моделирование производственного процесса, а также в полевые квантовые транспортные устройства.
1990	Сёдзиро Асаи	За вклад в развитие технологии полупроводниковых устройств.
1990	C Bajorek	За лидерство в разработке и производстве магнитных устройств хранения данных и высокоскоростных компьютерных коммутационных устройств.
1990	Джо Кэмпбелл	За вклад в полупроводниковые фотодетекторы для световой связи.
1990	Дж. Доннелли	За разработку методов имплантации иконок и их применение в полупроводниковых фотонных устройствах.
1990	Ричард Фэйр	За вклад в понимание диффузии примесей в кремнии, компьютерное моделирование кремниевых процессов и разработки электронных устройств.
1990	Рэнди Гейгер	За вклад в разработку дискретных и интегрально-аналоговых схем
1990	Сунг Мо Кан	За технический вклад и лидерство в разработке систем автоматизированного проектирования сверхбольших интегральных схем и систем.
1990	Дэвид Майерс	За пионерскую разработку ионно-лучевой модификации сверхрешеток с напряженным слоем и материалов соединение-полупроводник с квантовыми ямами для новых электронных и оптоэлектронных устройств.
1990	Уильям Зайдлер	За вклад в исследования эффектов электромагнитных импульсов
1990	Джеральд Стрингфеллоу	За разработку и понимание процесса парофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для полупроводниковых устройств AIIIBV.
1990	Денни Танг	За вклад в разработку и масштабирование высокоскоростных биполярных кремниевых устройств.
1991	Джон Бин	За вклад в молекулярно-лучевую эпитаксию кремния
1991	Натан Блузер	Для датчиков инфракрасного изображения и детекторов на гетеропереходах
1991	Джеральд Борсук	За техническое лидерство в твердотельных и вакуумных электронных устройствах и за вклад в разработку микроэлектронных фотодетекторов для обработки оптических сигналов.
1991	Гайлон Брем	За вклад в разработку микроволновых схем и полупроводниковую обработку монолитных СВЧ интегральных схем на основе GaAs.
1991	Э Коэн	За лидерство в разработке монолитных интегральных схем микроволнового и миллиметрового диапазонов.
1991	Питер Коттрелл	Для разработки моделирования методом конечных элементов для МОП и биполярных транзисторов, а также для измерения и моделирования эффектов горячих электронов в МОП-устройствах.
1991	Филип Хауэр	За вклад в понимание и развитие силовых полупроводниковых устройств.
1991	Ренука Джиндал	За вклад в область теории и практики шума твердотельных устройств.
1991	Теодор Каминс	За вклад в материалы, процессы, дизайн и образование в области полупроводниковой электроники
1991	Марк Кушнер	За вклад в фундаментальное понимание низкотемпературной плазмы.
1991	Роберт Лехени	За вклад в интеграцию оптических и электронных устройств, использующих преимущества материалов InP для телекоммуникационных приложений.
1991	Ники Лу	За вклад в разработку и технологию полупроводниковой памяти
1991	Аджит Рохатги	За теоретический и экспериментальный вклад в разработку и производство высокоэффективных солнечных элементов.
1991	Георгий Сай-Халаш	За вклад в миниатюризацию устройств и новые концепции устройств
1991	Анджей Стройвас	За вклад в автоматизированное производство интегральных схем на основе статистических данных
1991	Орлин Трапп	За вклад в производственное обучение в области надежности и анализа отказов полупроводников.
1992	Брайан Экленд	За вклад в разработку индивидуальных интегральных схем для систем обработки сигналов.
1992	Джеймс Коулман	За вклад в полупроводниковые лазеры за счет инновационных методов эпитаксиального выращивания и конструкции устройств
1992	Серджио Кова	За вклад в приборостроение ядерной электроники, в частности, за концепцию и демонстрацию кремниевых однофотонных детекторов.
1992	Милтон Фенг	За вклад в разработку имплантированных GaAs и InGaAs MESFET-транзисторов миллиметрового диапазона.
1992	Тихиро Хамагути	За вклад в понимание эффектов горячих электронов в полупроводниках и развитие модуляционной спектроскопии
1992	Амр Мохсен
1992	Хисаши Ситидзё	За вклад в технологию полупроводниковой памяти
1992	Майкл Строцио	За вклад в понимание квантовых и релятивистских явлений в твердотельной и лазерной плазме.
1992	Эли Яблонович	За вклад в физику полупроводниковых оптических устройств.
1993	Дэвид Блэкберн	За вклад в понимание и описание электротермических свойств и связанных с ними механизмов отказа силовых полупроводниковых устройств.
1993	Джеймс Купер	Для времяпролетных исследований переноса сильного поля на границе кремний / диоксид кремния и демонстрации долговременного накопления заряда в широкозонных полупроводниках.
1993	Гилберт Деклерк	За лидерство и вклад в физику МОП-устройств, технологию ПЗС и методы обработки СБИС.
1993	Уилбур Джонстон	За вклад в оптоэлектронные материалы и приборную технику
1993	Димитриос Павлидис	За вклад в разработку и технологию гетеропереходных транзисторов и монолитных СВЧ интегральных схем.
1993	Зигфрид Зельберхерр	За новаторские работы в области численного анализа полупроводниковых приборов и процессов их изготовления.
1993	Стивен Сентурия	За вклад в применение микротехнологии изготовления микросенсоров и микроакусторов, а также за определение характеристик микроэлектронных материалов.
1993	Пол Соломон	За вклад в теорию масштабирования полупроводниковых приборов.
1993	Ричард Тру	За вклад в единую теорию транспорта электронного пучка в мощных микроволновых системах.
1994	Гордон Дэй	За технический вклад и лидерство в области измерения световой волны и оптоволоконных датчиков
1994	Ричард Циолковски	За вклад в теорию локализованных волн и их реализацию в импульсных массивах и за вклад в вычислительную электромагнетизм.
1994	Аристос Христу	За вклад в надежность силовых микроволновых устройств
1994	Джованни Де Микели	За вклад в разработку алгоритмов синтеза электронных схем и систем.
1994	Лоуренс Дворски	Для компонентов пьезоэлектрических резонаторов и резонаторов линий передачи и полосовых фильтров для телекоммуникационных приложений.
1994	Рональд Гутманн	За вклад в микроволновую полупроводниковую технологию
1994	Эвелин Ху	За вклад в развитие процессов сухого травления высокого разрешения в полупроводниках.
1994	Джеймс К. Хван	За вклад в развитие производства молекулярно-лучевой эпитаксии, устройств и материалов для гетероструктур.
1994	Марк Лундстрем	За вклад в физику и моделирование гетероструктурных устройств.
1994	Мартин Пекерар	За вклад и лидерство в области рентгеновской и микролитографии
1994	Джеймс Спратт	За вклад в разработку и производство радиационно-стойких интегральных схем и достижения в технологии полупроводниковых устройств.
1994	Роберт Шварц	За вклад в разработку быстродействующих интегральных схем для систем оптической связи.
1994	Ричард Темкин	За лидерство в разработке и применении когерентных источников миллиметрового и инфракрасного диапазона.
1994	Вэнь Ван	За вклад в создание сложных полупроводниковых устройств за счет инновационного роста кристаллов
1994	Петр Зори	За вклад в развитие и понимание полупроводниковых и газовых лазеров.
1995	Тяо-юань Хуан	За изобретение и демонстрацию полностью перекрытых МОП-транзисторов с легким стоком.
1995	Андре Джеклин	За вклад в понимание и развитие мощных полупроводниковых устройств.
1995	Чжи-юань Лу	За вклад в полупроводниковые технологии и за лидерство в росте тайваньской индустрии интегральных схем
1995	Цо-пин Ма	За вклад в понимание интерфейса оксид-полупроводник и эффектов горячих носителей.
1995	Сэйки Огура
1995	Джон Пьерро	За вклад в твердотельные СВЧ малошумящие усилители и разработки интегральных схем.
1995	Вилли Сансен	За вклад в систематический дизайн аналоговых интегральных схем.
1995	Питер Штекер	За лидерство и вклад в проектирование и разработку устройств и схем микроволнового и миллиметрового диапазона.
1996	Гарри Чарльз	За лидерство в технологии упаковки электроники для космических, морских и биомедицинских электронных систем
1996	Санджай Банерджи	За вклад в физику полупроводниковых устройств, используемых в трехмерных интегральных схемах, и низкотемпературную кремний-германиевую эпитаксию с использованием химического осаждения из паровой фазы без термического воздействия.
1996	Дэвид Карлсон	За вклад в открытие методов получения тонких пленок гидрогенизированного аморфного кремния.
1996	Джозеф Кроули	За вклад в образование и практику в области электростатических процессов, а также за фундаментальный вклад в электрогидродинамику.
1996	Суприйо Датта	За вклад в понимание электронного транспорта в сверхмалых устройствах
1996	Джей Майкл Голио	За вклад в определение характеристик, извлечение параметров и моделирование микроволновых транзисторов.
1996	Роджер Хоу	За плодотворный вклад в технологии микротехнологии
1996	Хироёси Комия	За вклад в разработку и эксплуатацию полностью автоматизированной линии по производству полупроводников.
1996	Жан-п Лебертон	За вклады в нелинейный электронный транспорт и размерное квантование в полупроводниковых квантовых ямах, квантовых проволоках и квантовых точках, а также в теорию показателя преломления в сверхрешетках
1996	Алан Льюис	За вклад в усовершенствованную физику дополнительных металлооксидных полупроводниковых устройств и проектирование схем для крупномасштабной микроэлектроники и очень крупномасштабных интегрированных устройств.
1996	Ефрем Сухир	За вклад в применение механики и инженерии надежности к физическому проектированию и анализу микроэлектронных и волоконно-оптических систем.
1996	Тору Тоябе	За вклад в численное моделирование устройств и физику устройств металл-оксид-полупроводник.
1997	Герберт Беннетт	За вклад в моделирование тяжелого легирования и физику переноса в полупроводниках.
1997	Говард Калтер	За вклад в развитие DRAM.
1997	Ларри Карли	За вклад в разработку аналоговых интегральных схем и автоматизированное аналоговое проектирование.
1997	Анджей Филипковски	За вклад в инженерное образование
1997	Дэниел Флитвуд	За вклад в область электронных устройств и материалов
1997	Джозеф Джачино	За вклад в микромеханические и микроэлектромеханические системы управления
1997	Стивен Хиллениус	За вклад в область твердотельных технологий и их приложений для интегральных схем.
1997	Кадзухико Хондзё	За вклад в разработку интегральных схем на основе арсенида галлия.
1997	Хироши Иваи	За вклад в устройства CMOS BiCMOS сверхмалой геометрии.
1997	Мицумаса Коянаги	За изобретение ячеек DRAM с пакетным конденсатором
1997	Хишам Масуд	За вклад в понимание кинетики окисления кремния, сверхтонких диэлектриков затвора и границы раздела Si-SiO2.
1997	Ричард Снайдер	За вклад в разработку мощных миниатюрных фильтров с полосой задерживания и чрезвычайно широкополосных полосовых фильтров для микроволновых приложений.
1997	W Трибула	За вклад в развитие и развитие технологий производства электроники.
1997	Осаму Вада	За его вклад в создание полупроводниковой оптоэлектронной интегральной схемы III-V (OEIC)
1997	Ченг Вэнь	За вклад в изобретение и разработку методик СВЧ интегральных схем на основе сополярных волноводов.
1998	Марк Ло	За вклад в моделирование и симуляцию процессов интегральных схем.
1998	Асад Мадни	За вклад в разработку и разработку приборов для систем радиоэлектронной борьбы.
1998	Аллен Барнетт	За вклад и техническое руководство в разработке и коммерциализации фотоэлектрических солнечных элементов.
1998	Ричард Чепмен	За разработку устройств визуализации HgCdTe и вклад в технологию CMOS
1998	Ён-кай Чен	За вклад в генерацию ультракоротких импульсов с использованием полупроводниковых лазеров, интегрированных лазерных модуляторов и высокочастотных InPHBAT.
1998	Майкл Драйвер	Для вкладов в широкополосные силовые цепи из арсенида галлия.
1998	Тадаёси Эномото	За вклад в развитие мультимедийных интегральных схем.
1998	Эрик Фоссум	За вклад в сенсоры изображений и встроенную обработку изображений
1998	Барри Гилберт	Для разработки улучшенной электронной упаковки для высокопроизводительных интегральных схем на основе арсенида галлия.
1998	Ричард Киль	За вклады в гетероструктуры полевых транзисторов и схем
1998	Конили Киркпатрик	За лидерство в разработке и производстве электронных материалов и устройств III-V и их применении в военных и коммерческих системах.
1998	Карлтон Осберн	За вклад в кремниевую технологию, включая самовыравнивающиеся силициды, диэлектрический пробой и явления горячих электронов.
1998	Марк Пинто	За вклад в автоматизированное проектирование электронных устройств.
1998	М Айман Шибиб	За вклад в физику устройств с эффектами сильного легирования и за разработку высоковольтных интегральных схем для систем коммутации телекоммуникаций.
1999	Дэвид Ламбет	За научный, образовательный и профессиональный вклад в области магнетизма, систем хранения данных и электронных устройств.
1999	Кристофер Сильва	За вклад в применение теории нелинейных схем и систем к обработке сигналов связи.
1999	Джорджио Баккарани	За вклад в теорию масштабируемых кремниевых устройств.
1999	Джеймс Дейтон	За вклад в разработку микроволновых устройств
1999	Дэн Гебель	За достижения в области источников плазмы и технологий импульсных переключателей мощности и микроволновых источников.
1999	Юэ Куо	За вклад в технологию и процессы тонкопленочных транзисторов.
1999	Майкл Меллох	За вклад в технологию устройств из карбида кремния
1999	Тору Накамура	За вклад в разработку высокоскоростных биполярных интегральных схем.
1999	Хайнер Райссел	За внедрение технологии ионной имплантации в немецкую полупроводниковую промышленность.
1999	Нихал Синнадурай	За вклад в создание рентабельной и надежной упаковки для микроэлектроники.
1999	Эндрю Штекль	За вклад в имплантацию сфокусированного ионного пучка и изготовление полупроводниковых приборов.
1999	Дуайт Страйт	За вклад в разработку и производство материалов и устройств для гетеропереходов.
1999	Кэри Янг	За вклад в образование в области микроэлектроники и понимание межфазных свойств устройств на основе кремния.
1999	Ян Янг	За вклад в реализацию микропроцессорной схемы и развитие технологий
2000	Питер Асбек	Для разработки гетероструктурных биполярных транзисторов и приложений.
2000	E Фред Шуберт	За вклад в легирование полупроводников и устройства с резонатором
2000	Богдан Виламовски	За вклад в промышленную электронику и устройства статической индукции
2000	Джеффри Бокор	За вклад в оптическую литографию EUV и глубоко субмикронные полевые МОП-транзисторы.
2000	Леонард Брилсон	За вклад в понимание и контроль полупроводниковых интерфейсов и электрических контактов с помощью методов атомного масштаба.
2000	Кайо Феррейра	За вклад в разработку реактивных реактивных двигателей и генераторов для перспективных электрических самолетов.
2000	Тор Фьелдли	За вклад в моделирование полупроводниковых устройств и разработку AIM spice.
2000	Роберт Колбас	За вклад в понимание и развитие лазеров и излучателей света на гетероструктурах с квантовыми ямами.
2000	Джон Хейг Марш	За вклад в развитие интегральной оптики на основе полупроводниковых устройств с квантовыми ямами.
2000	Масатоши Мигитака	За вклад в исследования и разработки кремниевых высокотемпературных интегральных схем.
2000	Арто Нурмикко	За вклад в развитие лазерной науки и устройств оптоэлектроники.
2000	Григорий Нусинович	За вклад в теорию гиротронных генераторов и усилителей и мазеров на циклотронном авторезонансе.
2000	Дэвид Пулфри	За вклад в моделирование биполярных полупроводниковых устройств на гетеропереходах.
2000	Рональд Шримпф	За вклад в понимание и моделирование физических механизмов, управляющих реакцией полупроводниковых устройств на радиационное воздействие.
2000	Юань-чен Сунь	За вклад в передовую технологию CMOS
2000	Наоки Ёкояма	За вклад в разработку интегральных схем MESFET из самовыравнивающегося арсенида галлия.
2001	Эдвард Резек	За вклад в создание монолитных СВЧ интегральных схем и оптоэлектронных устройств на основе GaAs и InP.
2001	Ричард Аренкиель	За вклад в измерение времени жизни неосновных носителей в полупроводниковых материалах
2001	Барри Берк	За вклад в развитие технологий устройств с зарядовой связью для обработки изображений и сигналов.
2001	Их-чин Чен	За лидерство в разработке передовых CMOS-технологий
2001	Сорин Кристоловяну	За вклад в физику, технологию и определение характеристик устройств кремний на изоляторе.
2001	Сан Ху Донг	За вклад в разработку высокоскоростного процессора и микросхемы памяти
2001	Самир Эль-Газали	За вклад в анализ и моделирование микроволновых устройств и схем.
2001	Сезар Гонсалес	За вклад в алгоритмы кодирования MPEG и лидерство в их использовании.
2001	Адитья Гупта	За вклад в развитие технологии микроволновых монолитных интегральных схем и лидерство в разработке технологических процессов.
2001	Ёсиаки Хагивара	За новаторскую работу и разработку твердотельных устройств формирования изображений.
2001	Вэй Хван	За вклад в технологию ячеек высокой плотности и разработку высокоскоростной динамической памяти произвольного доступа
2001	Кей Мэй Лау	За вклад в создание материалов и устройств для полупроводниковых гетероструктур соединений III-V.
2001	Чин Ли	За новаторские исследования в области технологии безфлюсового соединения и вклад в инструменты теплового проектирования для электронных устройств и корпусов.
2001	Барух Левуш	За лидерство в разработке теоретических и расчетных моделей источников излучения свободных электронов.
2001	Кенджи Ниси	За вклад в моделирование полупроводниковых процессов и устройств, а также за разработку программного обеспечения для их моделирования.
2001	Джон Орлофф	За вклад в технологию фокусированного ионного пучка
2001	Стивен Пирто	За разработку передовых технологий обработки полупроводников и их применение в сложных полупроводниковых устройствах.
2001	Джон Пшибыш	За вклад в разработку и применение цифровых схем Джозефсона в электронных системах, особенно в радарах, спутниках связи и сетях коммутации данных.
2001	Мухаммад Рашид	За лидерство в сфере образования в области силовой электроники и за вклад в методологии анализа и проектирования твердотельных преобразователей энергии.
2001	Кришна Шенай	За вклад в понимание, разработку и применение силовых полупроводниковых устройств и схем.
2001	Риту Шривастава	За вклад в технологию высокопроизводительной памяти CMOS и разработку продуктов
2001	Джеймс Штурм	За вклад в создание новых полупроводниковых устройств на основе кремния и электроники для больших площадей.
2001	Ян Юань Ван	За лидерство в области исследований и образования в области полупроводников в Китае.
2002	Мин Ву	За вклад в создание оптических микроэлектромеханических систем и высокоскоростной оптоэлектроники.
2002	Нараин Арора	За вклад в разработку компактных моделей MOSFET для моделирования схем.
2002	Иоахим Бургхартц	За вклад в интегрированные высокоскоростные и радиочастотные кремниевые устройства и компоненты
2002	Кех-Юнг Чен	За вклад в полупроводниковые гетероструктурные материалы и устройства с использованием молекулярно-лучевой эпитаксии
2002	Нико Де Рой	За вклад в микроэлектрические / механические системы и передачу технологий на рынок
2002	Евангелос Элефтериу	Для вкладов в эквализацию и кодирование, а также для обнаружения максимального правдоподобия с прогнозированием шума при магнитной записи.
2002	Дж. Хаслетт	За вклад в высокотемпературные приборы и шум в твердотельной электронике
2002	Ченнупати Джагадиш	За вклад в интеграцию полупроводниковых оптоэлектронных устройств III-V
2002	Ральф Джеймс	За вклад и лидерство в разработке широкозонных полупроводниковых устройств, используемых для регистрации и визуализации рентгеновского и гамма-излучения.
2002	Аллан Джонстон	За вклад в понимание эффектов космической радиации в оптоэлектронике.
2002	Леда Лунарди	За вклад в разработку высокопроизводительного монолитно-интегрированного фотоприемника 1,55 мкм для оптической связи.
2002	Лоуренс Пиледжи	За вклад в моделирование и моделирование интегральных схем
2002	Вольфганг Пород	За вклад в концептуальные схемы и архитектуры для наноэлектроники.
2002	Раджендра Сингх	За вклад и техническое лидерство в области обработки материалов и производства полупроводниковых приборов.
2002	Манфред Тумм	За вклад в разработку и применение гиротронных генераторов, крупногабаритных микроволновых преобразователей мод и компонентов линий передачи
2002	Тошиаки Цучия	За вклад в понимание физики надежности МОП-устройств и разработку КМОП-технологий, устойчивых к горячим носителям.
2002	Чарльз Ту	За вклад в молекулярно-лучевую эпитаксию новых полупроводников AIIIBV
2002	Ян Ван Дер Шпигель	За вклад в создание биологически мотивированных сенсоров и систем обработки информации
2002	Тошиаки Ячи	За вклад в силовые полупроводниковые и микромагнитные устройства.
2003	Джамал Дин	За вклад в моделирование, шум и извлечение параметров в кремниевых транзисторах и высокоскоростных фотодетекторах
2003	Дэвид Франк	За вклад в твердотельные устройства и сверхмалые КМОП-устройства.
2003	Уильям Галлахер	За вклад в развитие туннельных переходов оксидный барьер для сверхпроводящих и магнитных устройств.
2003	Дэвид Хараме	За вклад в развитие SiGe-гетеропереходных биполярных транзисторов и технологий BiCMOS.
2003	Нэн Джокерст	За вклад в интеграцию и упаковку оптоэлектронных устройств для реализации оптических соединений и интерфейсов.
2003	Хой-Синг Квок	За новаторские исследования в области технологии жидкокристаллических дисплеев
2003	Сжечь Линь	За вклад в теорию литографии, оснастку, маски и технологию изготовления.
2003	Тадаши Нисимура	За лидерство в разработке передовых КМОП-устройств и технологических процессов.
2003	Умберто Раваиоли	За вклад в моделирование электронных устройств методом Монте-Карло.
2003	Марк Родвелл	За вклад в высокоскоростные электронные устройства и интегральные схемы
2004	Стивен Гудник	За вклад в основы транспорта носителей и полупроводниковые приборы
2004	Гэри Броннер	За вклад в технологию динамической памяти с произвольным доступом
2004	Константин Булуча	За вклад в развитие транзисторной техники в области силовой электроники.
2004	Казимер Де Кусатис	За вклад в оптоволоконные системы передачи данных
2004	Роберт Эклунд	За лидерство в разработке и производстве субмикронных КМОП-технологий.
2004	Хирому Фудзиока	За вклад в электронно-лучевые испытания полупроводниковых приборов и схем
2004	Эрик Хейне	За вклад в системы полупроводниковых детекторов и радиационно-стойкую детекторную электронику
2004	Шуджи Икеда	За вклад в разработку и производство статической оперативной памяти
2004	Колин Макэндрю	За вклад в компактное и статистическое моделирование полупроводниковых приборов.
2004	Саваки Нобухико	За вклад в развитие нитридных полупроводниковых материалов и устройств III группы.
2004	Хироши Нодзава	Для вкладов в энергонезависимую полупроводниковую память
2004	Микаэль Остлинг	За вклад в технологию полупроводниковых устройств и образование
2004	Ежи Рузилло	За вклад в ультратонкое окисление в производстве микроэлектроники
2004	Виктор Рыжий	За вклад в разработку инфракрасных фотодетекторов с квантовыми ямами и инфракрасных фотоприемников с квантовыми точками.
2004	Дэвид Скотт	За вклад в развитие технологий и схем CMOS и BICMOS
2004	Дуглас Верре	За лидерство в коммерциализации биполярных технологий и технологий BiCMOS
2004	Шин-тсон Ву	За вклад в жидкокристаллические дисплеи и настраиваемые фотонные устройства
2005	Джейсон К Ву	За вклад в развитие наноразмерного кремния на изоляторе и массивных металлооксидных полупроводниковых приборах, физике и технологии.
2005	Дональд Вунш	За вклад в аппаратную реализацию подкрепления и обучения без учителя.
2005	Суприйо Бандйопадхьяй	За вклад в применение наноструктур в устройствах.
2005	Роберт Бауманн	За вклад в понимание влияния надежности наземных механизмов излучения в коммерческой электронике.
2005	Дуэйн Бонинг	За вклад в моделирование и управление в производстве полупроводников.
2005	Клифтон Фонстад	За лидерство в создании полупроводниковых гетероструктур.
2005	Уильям Френсли	За вклад в создание квантовых полупроводниковых устройств нанометрового масштаба
2005	Гвидо Гросенекен	За вклад в понимание физики и моделирование надежности металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов.
2005	Джордж Хейтер	За вклад в СВЧ-схемы, включая линейные усилители и сумматоры пространственного разнесения
2005	Тадао Исибаши	За вклад в высокоскоростные и оптоэлектронные полупроводниковые приборы.
2005	Благородный Джонсон	За вклады в контроль примесей в полупроводниках
2005	Масааки Кузухара	За вклад в силовые микроволновые устройства групп III-V.
2005	Джой Ласкар	За вклад в моделирование и разработку модулей высокочастотной связи.
2005	Картикея Майарам	За вклад в моделирование сопряженных устройств и схем
2005	Дейрдре Мелдрам	За вклад в автоматизацию генома
2005	Хисайо Момосе	За вклады в сверхтонкие затворные оксидные металлооксидные полупроводниковые транзисторы
2005	Ютака Омори	За вклад в развитие органических и полупроводниковых светоизлучающих материалов и устройств.
2005	Синдзи Окадзаки	За вклад в технологию повышения разрешения в оптической и электронно-лучевой литографии.
2005	Фан-чжэн Пэн	За вклад в многоуровневую топологию, управление и приложения преобразователя мощности.
2005	Марк Роддер	За вклад в технологию глубоких субмикронных комплементарных металлооксидных полупроводников.
2005	Энрико Санджорджи	За вклад в моделирование и определение характеристик горячих носителей заряда и нестационарных транспортных эффектов в небольших кремниевых устройствах.
2005	Филипп Смит	За вклад в сверхвысокочастотные транзисторы с высокой подвижностью электронов
2005	Юзер Васи	За лидерство в образовании в области микроэлектроники
2005	Софи Вердонкт-Вандебрук	За лидерство в разработке систем документов
2005	Лоис Уолш	За лидерство в надежности электронных устройств
2005	Казуо Яно	За вклад в устройства и схемы на основе наноструктурированного кремния и передовую логику КМОП
2006	Андреас Андреу	За вклад в энергоэффективные сенсорные микросистемы
2006	Уильям Чен	За вклад в технологии упаковки и сборки
2006	Стив Чанг	За вклад в надежность сверхтонких оксидно-комплементарных полупроводниковых оксидов металлов (CMOS)
2006	Гектор Де Лос Сантос	За вклад в устройства и приложения радиочастотных (RF) и микроволновых микромеханических систем (MEMS)
2006	Саймон Делеонибус	За вклад в технологию наноразмерных дополнительных устройств на основе оксидов металлов и полупроводников (CMOS).
2006	Мартин Джайлз	За вклад в технологию автоматизированного проектирования (TCAD) моделирования процессов и устройств.
2006	Хидеки Хаяси	За вклад и лидерство в технологиях сложных полупроводниковых устройств
2006	Ларри Хорнбек	За изобретение, разработку и применение цифрового микрозеркального устройства
2006	Цинь Хуан	За вклад в технологию тиристоров отключения эмиттеров и их применения
2006	Гэри Мэй	За вклад в производство полупроводников и инженерное образование
2006	Дэвид Зайлер	За лидерство в развитии критической метрологии и измерительной науки на микро- и наноуровнях.
2006	Уша Варшней	За техническое лидерство в сенсорных технологиях и системах
2006	Кацуёси Васио	За вклад в высокоскоростные кремниевые и кремниево-германиевые биполярные / Bi-комплементарные металлооксидные полупроводники (КМОП) устройства и технологии схем
2006	Burnell West	За вклад в высокопроизводительное автоматическое испытательное оборудование
2006	Поль Франзон	За вклад в разработку кода чип-пакета.
2007	Джованни Гионе	За вклад в численное моделирование пассивных и активных интегрированных СВЧ компонентов на основе физики
2007	Виктор Чен	За вклад в частотно-временной анализ для получения радиолокационных изображений и выделения признаков цели.
2007	Квонг-кит Чой	За вклад в технологию инфракрасных фотодетекторов с квантовыми ямами
2007	Т Пол Чоу	За вклад в интеллектуальные силовые полупроводниковые устройства
2007	Чарвака Дуввуры	За вклад в устройства электростатического разряда и методы защиты конструкции для интегральных схем.
2007	Филип Хочан	За вклад в развитие недорогой технологии flip-chip
2007	Такаюки Кавахара	Для внесения в низковольтные маломощные схемы оперативной памяти
2007	Бумман Ким	Для использования в линейных усилителях мощности, силовых устройствах микроволнового и миллиметрового диапазонов на арсениде галлия и монолитных интегральных схемах СВЧ
2007	Цу-дже Кинг	Для применения тонких пленок кремний-германий в металлооксидных полупроводниковых транзисторах и в микроэлектромеханических системах.
2007	Митико Миура-маттауш	За вклад в наноразмерное моделирование компактных полевых транзисторов на основе оксидов металлов и полупроводников.
2007	Кларк Ту-куонг Нгуен	За вклад в физику и технологию микроэлектромеханических систем.
2007	Джаясимха Прасад	За вклады в составные полупроводниковые биполярные транзисторы с гетеропереходом
2007	Паскуалина Сарро	За вклад в микромашинные сенсоры, исполнительные механизмы и микросистемы
2007	Ян-куин Су	За вклад в исследования и образование в области оптоэлектроники и нанофотоники.
2007	Джон Вуд	За вклад в нелинейные микроволновые устройства, моделирование поведения и технологии.
2008	Джон Боске	За вклад в вакуумную электронику и микроволновую обработку материалов.
2008	Акинтунде Акинванде	За вклад в развитие технологии цифровых самонастраивающихся затворов и устройств вакуумной микроэлектроники.
2008	Джо Брюэр	За вклад в развитие технологии интегральных схем энергонезависимой памяти и архитектуры процессора цифровых сигналов.
2008	Карлос Диас	За вклад в развитие КМОП-технологии глубокого субмикронного литья
2008	Гэри Феддер	За вклад в процессы интегрированных микро-электромеханических систем и методологии проектирования
2008	MichaelFu	За вклад в оценку стохастического градиента и оптимизацию моделирования
2008	Паоло Гарджини	За лидерство в глобализации и реализации дорожной карты технологий для полупроводников
2008	Фернандо Гуарин	За вклад в полупроводниковые материалы и надежность
2008	Хироки Хамада	За вклад в красные полупроводниковые лазерные диоды и поликристаллические кремниевые тонкопленочные транзисторы.
2008	Грегг Хигаши	За вклад в влажную химическую обработку кремния
2008	Минхвэй Хун	Для вкладов в полупроводниковые MOSFET транзисторы III-V
2008	Гарольд Хосак	За вклад в устройства резонансного туннелирования и визуализации
2008	Эйши Ибе	За вклад в анализ нейтронно-индуцированных мягких ошибок для полупроводниковых запоминающих устройств.
2008	Мин-доу Кер	За вклад в электростатическую защиту интегральных схем и оптимизацию производительности микросистем СБИС.
2008	Ракеш Кумар	За предпринимательское лидерство в области интегральных схем
2008	Массимо Рудан	За вклад в теорию и моделирование переноса тока в полупроводниковых приборах.
2008	Джюо-мин Шю	За лидерство в отрасли микроэлектроники
2008	Майкл Симпсон	За вклад в нанотехнологии в инженерных устройствах и биологии
2008	Хой-Джун Ю	За вклад в разработку маломощных и высокоскоростных СБИС
2008	Пол Кит Лай Ю	За вклад в полупроводниковые модуляторы и детекторы волноводов
2009	Гомер Алан Мантуз	За вклад в моделирование силовых электронных устройств.
2009	Ив Байенс	За вклад в широкополосные и миллиметровые волны для оптической и беспроводной связи.
2009	Александр Брагинский	За лидерство в исследованиях и разработках в области магнетизма и прикладной сверхпроводимости.
2009	Кор Клэйс	За вклад в физику полупроводниковых устройств, разработку дефектов и определение характеристик низкочастотного шума.
2009	Викрам Далал	За вклад в тонкопленочные фотоэлектрические материалы и устройства для преобразования энергии
2009	Николас Эконому	За лидерство в разработке и коммерциализации систем сфокусированного ионного пучка
2009	Тахир Гани	За вклад в разработку глубоких субмикронных металлооксидных полупроводниковых транзисторов для микропроцессоров.
2009	Сёдзи Кавахито	За вклад в сопряжение датчиков, обработку сигналов датчиков и многоуровневую сигнализацию
2009	Константин Лукин	За вклад в исследования радаров шума и хаотических сигналов.
2009	Тимоти Мэлони	За вклад в защиту полупроводниковых компонентов от электростатического разряда
2009	Джо Кферсон	За вклад в физику и технику надежности и применение в интегральных схемах.
2009	Маттиас Пасслак	За вклад в технологию металл-оксид-полупроводник группы III-V
2009	Адам Скорек	За вклад в электротермический анализ промышленных процессов
2009	Роберт Уоллес	За вклад в создание диэлектрических материалов затвора с высоким коэффициентом k для интегральных схем
2009	Альберт Ван	За вклад в обеспечение надежности и системы на кристалле
2009	Шань Ван	За вклад в магнитные материалы и устройство
2009	Ричард Уизерс	Для разработки сверхпроводящих и криогенных радиочастотных схем для датчиков ядерного магнитного резонанса.
2009	Чжипин Ю	За вклад в моделирование и симуляцию современных полупроводниковых устройств.
2009	Энрико Занони	За вклад в надежность сложных полупроводниковых приборов
2009	Джон Золпер	За лидерство в области сложной полупроводниковой электроники
2010	Амитава Чаттерджи	За вклад в разработку дополнительных металлооксидных полупроводниковых устройств и встроенную защиту от электростатического разряда
2010	Марио Дагене	За вклад в фотонную корреляцию, полупроводниковые приборы и технологии интеграции
2010	Лонг-шэн Фань	За взносы в Micro Electro-Mechanical Systems
2010	Йогеш Гианчандани	За вклад в кремниевые микроактюаторы и микроплазмы на кристалле
2010	Масаси Хоригути	За вклад в схемотехнику для маломощной памяти высокой плотности
2010	Димитрис Иоанну	За вклад в повышение надежности и характеристики устройств и материалов кремний-на-изоляторе.
2010	Юсуф Леблебичи	За вклад в надежность и методы проектирования интегральных схем и систем.
2010	Патрик Ленахан	За вклад в понимание радиационных повреждений и надежности металлооксидных полупроводниковых устройств.
2010	Чинг Фу Линь	За вклад в широкополосные полупроводниковые оптические устройства
2010	Кайзад Мистри	За вклад в создание высокопроизводительных дополнительных технологий металлооксидных полупроводников и надежности.
2010	Арокия Натан	За вклад в технологии тонкопленочных транзисторов
2010	Квок Нг	За вклад в оптимизацию внутренних паразитных элементов в конструкции металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов.
2010	Ясухиса Омура	За вклад кремния в технологию, анализ и моделирование изоляторов.
2010	Гэри Паттон	За вклады в кремниево-германиевые биполярные транзисторы с гетеропереходом
2010	Джин Ку Ри	За вклад в создание монолитных интегральных схем на основе арсенида галлия, микроволнового и миллиметрового диапазонов
2010	Томас Скотницки	За вклад в разработку моделей металл-оксидных полупроводниковых полевых транзисторов и передовых полупроводниковых технологий.
2010	Роберт Уайт	За вклад в цифровое управление питанием в энергосистемах вычислительного и телекоммуникационного оборудования.
2010	Шумпей Ямазаки	За вклад и лидерство в индустриализации энергонезависимой памяти и технологий тонкопленочных транзисторов
2010	Джордж Зентаи	За вклад в развитие цифровых рентгеновских аппаратов
2011	Пол Бергер	За вклад в понимание, разработку и производство кремниевых резонансных устройств и схем межзонного туннелирования.
2011	Пол Дэвис	Для разработки биполярных интегральных схем
2011	Асен Асенов	За вклад в понимание и прогнозирование изменчивости полупроводниковых устройств посредством моделирования и моделирования.
2011	Альберт Чин	За вклад в создание высококалиевых диэлектриков и металлических затворных электродов для дополнительных металлооксидных полупроводников.
2011	Джен-инн Чи	За вклад в создание полупроводниковых оптоэлектронных устройств III-V
2011	Бернар Дьени	За вклад в развитие наномагнетизма и спин-электронных устройств, включая спиновые клапаны.
2011	Вероник Ферле-Кавруа	За вклад в понимание радиационного воздействия на электронные устройства
2011	Диг Хисамото	За вклады в дополнительные металлооксидные полупроводниковые устройства
2011	Марк Итцлер	За лидерство в области лавинных фотодиодных технологий
2011	Ын Ким	За вклад в микроэлектромеханические системы
2011	Дирк Б. М. Клаассен	За вклад в моделирование и симуляцию полупроводниковых устройств.
2011	Томас Кюч	За вклад в развитие электронных материалов для эпитаксиальных устройств
2011	Сантош Куринец	За лидерство в интеграции инновационных исследований в области микроэлектроники в инженерное образование.
2011	Джеймс Лу	За вклад в технологию трехмерных интегральных схем
2011	Паоло Лугли	За вклад в наноструктурированные материалы и устройства
2011	Крис Мак	За вклад в микролитографию полупроводников
2011	Владимир Митин	За вклады в датчики и детекторы
2011	Кеннет О.	За вклад в сверхвысокочастотные комплементарные металлооксидные полупроводниковые схемы
2011	Ир Пуэрс	За вклад в имплантируемые микроэлектромеханические системы
2011	Чжэн Шэнь	За вклад в разработку боковых силовых металлооксидных полупроводниковых полевых транзисторов.
2011	Джеймс Стэтис	За вклад в дополнительную надежность металл-оксид-полупроводник оксид-затвор
2011	Деннис Сильвестр	За вклад в энергоэффективные интегральные схемы
2011	Цзе Сюэ	За вклад в живучесть и качество обслуживания в компьютерных сетях
2011	Джеффри Велсер	За лидерство в новейших технологиях устройств для компьютерных приложений
2012	Клиффорд Кинг	За вклад в устройства и технологии кремниево-германиевых гетеропереходов
2012	Джон Суэле	За вклад в понимание тонких диэлектрических пленок затвора
2012	Анант Агарвал	За вклад в технологию силовых устройств из карбида кремния
2012	Каустав Банерджи	За вклад в моделирование и проектирование межсоединений наноразмерных интегральных схем.
2012	Зейнеп Челик-дворецкий	За вклад в понимание явлений шума и флуктуаций в твердотельных устройствах
2012	Луиджи Коломбо	За вклад в инфракрасные детекторы и диэлектрики затвора с высоким k
2012	Джей Дэвид	За вклады в лавинные фотодиоды и ударную ионизацию в полупроводниках
2012	Дональд Гарднер	За вклад в межсоединения интегральных схем и технологию интегральных индукторов
2012	Надим Хаддад	За разработку технологии радиационно-стойких полупроводниковых приборов и продуктов для космического применения.
2012	Вильфрид Хенш	За вклад в физику и масштабирование металлооксидных полупроводниковых устройств на полевых транзисторах.
2012	Фрэнсис Куб	За лидерство в разработке широкозонной полупроводниковой силовой электроники.
2012	Олег Муханов	За лидерство в исследованиях и разработках сверхпроводящей цифровой электроники.
2012	Андреас Нойбер	За вклад в физику пробоя поверхности диэлектрика в сильных электрических полях
2012	Энтони Оутс	За вклад в разработку и понимание надежности межсоединений в интегральных схемах.
2012	Шунри Ода	За вклад в устройства с кремниевыми квантовыми точками
2012	Уильям Палмер	За лидерство и вклад в системы и источники микроволновых и миллиметровых волн
2012	Ci-ling Pan	За вклад в оптоэлектронные и жидкокристаллические устройства для сверхбыстрой и терагерцовой фотоники.
2012	Унил Перера	За вклад в квантовые структуры для инфракрасного и терагерцового обнаружения
2012	Валлури Рао	За вклад в технологии определения характеристик микропроцессоров и логических схем.
2012	Джонни Син	За вклад в разработку и коммерциализацию силовых полупроводниковых приборов.
2012	Крис Ван Де Валле	За вклад в теорию интерфейсов, легирования и дефектов в полупроводниках.
2012	Эдвард Ю	За вклад в определение характеристик и применение полупроводниковых наноструктур в устройствах.
2013	Артур Моррис	За разработку и коммерциализацию КМОП радиочастотных микромеханических систем.
2013	Джон Вербонкер	За вклад в вычислительную физику плазмы и приложения для плазменных устройств
2013	Рамачандра Ачар	За вклад в анализ межсоединений и целостности сигналов в высокоскоростных конструкциях.
2013	Роберт Эйткен	За вклад в тестирование и диагностику интегральных схем
2013	Картер Армстронг	За техническое лидерство в разработке мощных источников микроволнового и миллиметрового излучения, особенно их силовых модулей.
2013	Дэвид Камминг	За вклад в развитие интегрированных датчиков и микросистемных технологий
2013	Суман Датта	За вклад в развитие высокопроизводительных передовых технологий кремниевых и полупроводниковых транзисторов
2013	Такатомо Эноки	За вклад в создание сложных полупроводниковых высокоскоростных интегральных схем для оптических и беспроводных систем связи.
2013	Кеннет Хансен	За техническое лидерство в области беспроводной связи
2013	Рави Махаджан	За вклад в технологию электронной упаковки и терморегуляцию микропроцессоров.
2013	Чиан Матхуна	За лидерство в разработке источников питания с использованием микромагнетизма на кремнии.
2013	Карлос Мазуре	За лидерство в области кремния на изоляторах и технологиях памяти.
2013	Гауденцио Менегессо	За вклад в физику надежности сложных полупроводниковых приборов.
2013	Субхасиш Митра	За вклад в разработку и тестирование надежных интегральных схем.
2013	Масааки Нива	За вклад в технологию CMOS с использованием материалов с высокой диэлектрической проницаемостью и металлического затвора.
2013	Дэвид Перро	За вклад в разработку и применение высокочастотных силовых электронных преобразователей.
2013	Джон Робертсон	За вклад в понимание диэлектриков high-k и металлических затворных электродов для КМОП-технологии.
2013	Джон Спарго	За лидерство в сверхпроводящей электронике и родственных технологиях
2013	Р. П. Тхакур	За лидерство в разработке и внедрении технологии одиночных пластин в производстве полупроводников.
2013	Томас Тайс	За лидерство в развитии полупроводниковых технологий
2013	Чен-хуа Ю	За лидерство в разработке технологий межсоединений для интегральных схем.
2014	Ричард Браун	За вклад в разработку микросистем
2014	Сейичи Аритоме	За вклад в развитие технологий флэш-памяти
2014	Бабу Чаламала	За вклад в разработку передовых материалов и устройств для вакуумной микроэлектроники и автоэмиссионных дисплеев.
2014	Сёу-джинн Чанг	За вклад в создание фотонных, электронных и сенсорных устройств нанометрового масштаба
2014	Цзин Кевин Чен	За вклад в технологии сложных полупроводниковых транзисторов с гетеропереходом
2014	Дональд Дисней	За вклад в силовые интегральные схемы и приложения для повышения энергоэффективности
2014	Ичиро Фухимори	За вклад в преобразователи сверхдискретизированных данных и гигабитные проводные трансиверы
2014	Казунари Ишимару	За вклад в статическую оперативную память и дополнительные металлооксидные полупроводниковые устройства.
2014	Бёнхо Ли	За вклад в дифракционную оптику и технологии трехмерного отображения
2014	Тайити Оцудзи	За вклад в разработку плазмонных полупроводниковых интегрированных устройств для терагерцового измерения.
2014	Дэниел Радак	За лидерство в области технологий интегральных схем микроволнового и миллиметрового диапазона, а также технологий упаковки
2014	Жан-Пьер Раскин	За вклад в определение характеристик ВЧ-полевых МОП-транзисторов с кремнием на изоляторе и МЭМС-устройств.
2014	Якобус Сварт	За вклад в образование в области микроэлектроники в Бразилии
2014	Шринивас Тадигадапа	За вклад в микроэлектромеханические системы для жидкостных и биохимических датчиков.
2014	Мирча Стан	За вклад в разработку схем и систем СБИС с учетом мощности и температуры.
2015	Дэвид Эйб	За руководство и вклад в разработку мощных вакуумных электронных устройств микроволнового и миллиметрового диапазонов.
2015	C Auth	За вклад в технологию напряженных кремниевых транзисторов
2015	Виктор Брайт	За вклад в микро- и нано-электромеханические системы
2015	Джон Конли	За вклад в технологию производства полупроводников для улучшения радиационной стойкости МОП-устройств.
2015	Джон Даллезасс	За вклад в окисление полупроводников III-V для производства фотонных устройств.
2015	Weileun Fang	За вклад в методы измерения и технологические процессы для микроэлектромеханических систем.
2015	Лоренцо Фараоне	Для разработки полупроводниковых оптоэлектронных материалов и устройств.
2015	Д Гупта	За вклады в сверхпроводниковые цифровые радиоприемники
2015	Рэй-хуа Хорнг	За вклад в светодиоды высокой яркости
2015	Джузеппе Яннакконе	За вклад в моделирование транспортных и шумовых процессов в наноэлектронных устройствах.
2015	Сафа Касап	За вклад в фотопроводящие датчики для рентгеновских изображений
2015	Цуненобу Кимото	За вклад в разработку карбидокремниевых материалов и устройств.
2015	Хироши Кондо	За вклад в технологии MMIC микроволнового и миллиметрового диапазонов
2015	Пол Ли	За вклад в развитие технологии CMOS-датчика изображения и активного пиксельного датчика с закрепленным фотодиодом.
2015	Юн Лю	За вклад в упаковку силовой электроники
2015	Сьюзан Лорд	За профессиональное лидерство и вклад в инженерное образование
2015	Роджер Малик	За вклад в создание полупроводниковых материалов и устройств с гетеропереходами
2015	Сократ Пантелидес	За вклад в динамику точечных дефектов в полупроводниковых приборах
2015	Лука Селми	Для исследования транспорта носителей и надежности полупроводниковых приборов.
2015	Марк Вайхольд	За вклад в международное развитие инженерного образования
2015	Гаочжи Сяо	За вклад в развитие контрольно-измерительной аппаратуры и измерительных технологий.
2016	Брюс Карлстен	За вклады в электронные пучки высокой яркости и вакуумные электронные устройства
2016	Чорнг-пинг Чанг	За вклад в замену затвора и изоляцию неглубоких траншей для технологии CMOS
2016	Мукта Фарук	За вклад в 3D-интеграцию и технологию межсоединений
2016	Патрик Фэй	За вклад в технологии туннелирования полупроводников и высокоскоростных устройств.
2016	Цин-ань Хуан	За вклад в моделирование и упаковку микросенсоров и микроактюаторов.
2016	Адриан Ионеску	За вклад в разработку новых устройств для приложений с низким энергопотреблением.
2016	Элвин Джозеф	За вклад в технологии кремний-германиевых биполярных КМОП и ВЧ кремний на изоляторе
2016	Чон Хо Ли	За вклад в разработку и определение характеристик объемных полевых транзисторов с несколькими затворами.
2016	Эллис Мэн	За вклад в биомедицинские микроэлектромеханические системы
2016	Леонард Регистр	За вклад в моделирование переноса заряда в наноразмерных КМОП устройствах.
2016	Томас Сильва	За вклад в понимание и применение динамики намагничивания
2016	Тору Танзава	Для вкладов в интегральные высоковольтные цепи
2016	Акира Торими	За вклад в физику устройств и материаловедение для передовой технологии CMOS
2017	Хуля Киркичи	Для вкладов в высокочастотный пробой диэлектрика и электроизоляцию в космических и аэрокосмических энергосистемах.
2017	Эдоардо Чарбон	За вклад в твердотельные детекторы однофотонных лавин и их применение в построении изображений.
2017	Wei-ting Chien	За лидерство в управлении надежностью
2017	Кристофер Иерольд	За вклад в микроэлектромеханические датчики и сбор микротермоэлектрической энергии.
2017	Ру Хуанг	За вклад в технологию транзисторов на основе кремниевых нанопроволок с несколькими затворами
2017	Цюаньси Цзя	За вклад в создание сверхпроводников с покрытием и тонких пленок из оксидов металлов для электронных приложений
2017	Хунжуй Цзян	За вклад в материалы и микроскопические оптические инструменты для медицинской визуализации
2017	Ричард Кинг	За вклад в высокопроизводительные космические и наземные фотоэлектрические технологии
2017	Стивен Кестер	За вклад в электронные и фотонные устройства IV группы
2017	Дональд Ли	Для повышения линейности и эффективности кремниевых ВЧ-усилителей мощности для широкополосных беспроводных приложений
2017	Тереза ​​Майер	За вклад в интеграцию наноматериалов и направленную сборку
2017	Дзюнъити Накамура	За лидерство в области сенсоров изображения CMOS
2017	Боривое Николич	За вклад в разработку энергоэффективных схем цифровых и смешанных сигналов
2017	Томас Паласиос	За вклады в электронные устройства из нитрида галлия и двумерные материалы
2017	Андрей Владимиреску	За вклад в разработку и коммерческое внедрение моделирования схем SPICE.
2017	Сорин Войнигеску	За вклад в кремниевые и кремний-германиевые приборы СВЧ и миллиметрового диапазона, а также интегральные схемы.
2017	Синь Чжан	За вклад в микроэлектромеханические системы
2018	Памела Энн Абшир	За вклад в биосенсоры CMOS
2018	Тимоти Бойкин	За вклад в атомистические модели для моделирования полупроводниковых устройств.
2018	Куан-нэн Чен	За вклад в создание трехмерных интегральных схем и технологий упаковки
2018	Мишель Хусса	За вклад в определение характеристик материалов для полевых МОП-транзисторов.
2018	Ярослав Хынечек	За вклад в твердотельные датчики изображения
2018	Майкл Креймс	За лидерство в физике светоизлучающих устройств на основе GaN и их коммерциализацию.
2018	Исаак Лагнадо	За лидерство в разработке технологии кремний-на-сапфире.
2018	Чи Ви Лю	За вклад в высокоподвижные полевые МОП-транзисторы на основе Ge и SiGe
2018	Вэй Лу	За вклад в развитие нейроморфных систем
2018	Чжэньцян Ма	За вклад в гибкую и биоразлагаемую микроволновую электронику
2018	Сайбал Мухопадхьяй	За вклад в разработку энергоэффективных и надежных вычислительных систем
2018	Хидетоши Онодера	За вклад в разработку и анализ интегральных схем с учетом вариаций
2018	Филипп Пайе	За вклад в понимание радиационных эффектов в электронике
2018	Джозеф Павловски	За вклад в интерфейсы системы памяти
2018	Сэйдзи Самукава	За вклад в безаварийную плазменную обработку для производства наноустройств.
2018	Грегори Снайдер	За вклад в технологию одноэлектронных вычислений
2018	Сюдзи Танака	За вклад в микроэлектромеханические системы для устройств акустических волн, физических датчиков и производства электроэнергии.
2018	Виктор Велиадис	За вклад в развитие силовых устройств на основе SiC
2018	Роберт Вайкль	За вклад в электронику и приборы миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов для терагерцовых частот.
2018	Хуйкай Се	За вклад в микроэлектромеханические оптические сканирующие системы
2018	Цзяньбинь Сюй	За вклад в создание наноразмерных электронных материалов и устройств.
2018	Энтони Йен	За лидерство в области литографии в крайнем ультрафиолете для массового производства интегральных схем.
2019	Маттиас Бауэр	За вклад в технологии роста сплавов для транзисторов
2019	Мэн-фан Чанг	Для вкладов в статическую и энергонезависимую память для встроенных систем
2019	Кин Пинг Чунг	За вклад в повреждение интегральных схем, вызванное плазменным процессом
2019	Хироши Ито	За вклад в создание высокоскоростных фотодиодов для генерации миллиметровых и терагерцовых волн.
2019	Кристоф Юнгеманн	За вклад в иерархическое моделирование полупроводниковых устройств.
2019	Али Хакифируоз	За вклад в технологию полностью обедненного кремния на изоляторе из комплементарных оксидов металлов и полупроводников.
2019	Чжи-хуан Лай	За вклад в устройства хранения магнитной информации и спинтронику.
2019	Роджер Лейк	За вклад в моделирование квантово-механических электронных устройств
2019	Мирослав Мичович	За вклад в электронику из нитрида галлия
2019	Теодор Мойс	За вклад в развитие и разработку сегнетоэлектрической памяти.
2019	Кацу Накамура	За вклад в интегральные схемы для обработки цифровых изображений
2019	Стюарт Раух	За вклад в надежность микроэлектроники
2019	Самар Саха	За вклад в компактное моделирование кремниевых полевых транзисторов
2019	Сайиф Салахуддин	За вклад в маломощные электронные устройства и спинтронику.
2019	Венкат Сельваманикам	За вклад в разработку и производство сверхпроводниковых лент.
2019	Мунехиро Тада	Для вкладов в медные межсоединения для очень крупномасштабной интеграции
2019	Harkhoe Tan	За вклад в создание сложных полупроводниковых оптоэлектронных материалов и устройств.
2019	Дипак Уттамчандани	За вклад в зондирование на основе фотоники

Смотрите также

• Список стипендиатов IEEE

Рекомендации

1. "Справочник стипендиатов IEEE".