Низкоуровневый впрыск - Low-level injection - Wikipedia

Низкоуровневый впрыск условия для p – n переход относится к состоянию, в котором количество миноритарные перевозчики генерируется мало по сравнению с большинством носителей материала. Концентрация основных носителей в полупроводнике останется (относительно) неизменной, в то время как концентрация неосновных носителей будет значительно увеличиваться. В этом состоянии рекомбинация неосновных носителей ставки линейны.^[1]

Следующее уравнение должно выполняться для полупроводника в условиях инжекции носителей:

${\displaystyle n=\Delta n+n_{0},}$

куда ${\displaystyle n}$ это количество электронов, ${\displaystyle \Delta n}$ - избыточные носители, инжектированные в полупроводник, и ${\displaystyle n_{0}}$ - равновесная концентрация электронов в полупроводнике

Следующее соотношение также должно быть верным, потому что для каждого инжектированного электрона также должна создаваться дырка, чтобы поддерживать баланс заряда:

${\displaystyle \Delta n=\Delta p.}$

Предположение о низкоуровневой инжекции можно сделать в отношении полупроводника n-типа, что влияет на уравнения следующим образом:

${\displaystyle \Delta n\ll N_{D}.}$

Следовательно ${\displaystyle n=N_{D}}$ и ${\displaystyle p=\Delta p+p_{0}}$.

Для сравнения: полупроводник в высокий впрыск означает, что количество сгенерированных перевозчики велика по сравнению с фоновой плотностью легирования материала. В этом случае скорости рекомбинации неосновных носителей пропорциональны квадрату их числа.^[2]

Рекомендации

1. Дженни Нельсон, Физика солнечных элементов, Imperial College Press, Великобритания, 2007, стр. 266–267.
2. King, R. R .; Sinton, R.A .; Суонсон, Р. М. (1989-04-10). «Легированные поверхности в одном солнце, точечные солнечные элементы». Письма по прикладной физике. Издательство AIP. 54 (15): 1460–1462. Дои:10.1063/1.101345. ISSN  0003-6951.