Оптоган - Optogan

Оптоган
ПромышленностьВЕЛ
Основан2004
ТоварыСветодиодные чипы
Упакованные светодиоды
Светодиодные матрицы (стандартные световые двигатели, состоящие из светодиодов поверхностного монтажа)
Светильники
Интернет сайтoptogan.ru

В Оптоган группа компаний - вертикально интегрированный производитель High Brightness Светодиоды базируется в Санкт-Петербурге, Российская Федерация. Группа также активна в Финляндии и Германии.[1] Основана в 2004 году 3 выпускниками Физико-технический университет Иоффе В настоящее время он принадлежит различным частным и государственным инвестиционным фондам.[2]

История

Компания «Оптоган» была основана в 2004 году в Эспоо, Финляндия, доктором Максимом Одноблюдовым, доктором Владиславом Бугровым и доктором Алексеем Ковшем, выпускниками кафедры лауреата Нобелевской премии. Жорес Алферов. Он получил несколько раундов финансирования от различных европейских венчурных инвестиционных фондов. После начальной стадии разработки технологии научно-исследовательская и опытно-производственная линия компании была расширена на завод MST в Дортмунде, Германия. После 5 лет технологического развития в 2008 году компания была приобретена стратегическим инвестором - российской группой прямых инвестиций «Онэксим». В 2009 году российские государственные инвестиционные фонды «Роснано» и «РИК» присоединились к группе «Онэксим» в качестве инвесторов для создания полномасштабного производства светодиодов HB в свободной экономической зоне «Стрельна» под Санкт-Петербургом, Российская Федерация.

Деятельность

Оптоган инвестирует в дальнейшие исследования и разработки технологии GaN и создает ВЕЛ производственное предприятие, способное производить 1,5 миллиарда светодиодов HB в месяц, недалеко от Санкт-Петербурга в России.[3]

Технологии

Компания «Оптоган» владеет всей цепочкой создания стоимости технологий в твердотельное освещение (SSL) необходим для производства GaN основан светодиоды (Светодиоды) и ориентированные на потребителя светильники SSL. В цепочку технологий входят

  • эпитаксиальный рост пластин высококачественного полупроводника (GaN) металлоорганическое химическое осаждение из паровой фазы (MOCVD) техника;
  • ВЕЛ проектирование и изготовление микросхем;
  • Светодиодная упаковка, включая люминофор покрытие для преобразования синего и ультрафиолетового излучения в видимый спектр белого света и литье линз;
  • монтаж многокристальных светодиодов на печатную плату[4] с окончательной сборкой светильников различных типов.

Массовый прорыв в светодиодной технологии на основе GaN начался с новаторских работ С. Накамура в начале девяностых годов прошлого века. Технологии OptoGaN характеризуются улучшенным качеством пластин GaN.[5] и запатентованная светодиодная эпитаксиальная структура с улучшенной светоизлучающей способностью, оригинальная конструкция чипа f-Power TM, обеспечивающая равномерное распределение электрического тока свыше 300 А / см2, эффективность светодиодов достигает 110 лм / Вт, что является лидером в мире светодиодов производит.[6] OptoGaN интеллектуальная собственность (IP) и технологии защищены 35 выданными и находящимися на рассмотрении патентами.

Рекомендации

внешняя ссылка