StrataFlash - StrataFlash

Intel TE28F128J3C-120

StrataFlash это НИ флэш-память технология, впервые разработанная Intel.

Он хранит два или более бита информации на ячейку, а не только один, в архитектуре, называемой многоуровневая ячейка (MLC). Это достигается за счет сохранения промежуточных уровней напряжения вместо использования только двух уровней (разряженный = «0» и заряженный = «1») традиционной двоичной памяти. Технология StrataFlash возникла из продуктов флэш-памяти Intel ETOX. Два бита на ячейку достигаются с четырьмя уровнями напряжения, а три бита на ячейку могут быть достигнуты с восемью уровнями.

Исследования этой технологии начались в 1992 году, а первые коммерческие продукты были выпущены в 1997 году.[1]Дальнейшие разработки позволили повысить скорость чтения, предложив синхронный в режиме серийной съемки и операции чтения в асинхронном страничном режиме.

Рекомендации

  1. ^ Грег Этвуд, Аль Фазио, Дуэйн Милла, Билл Ривз (сентябрь 1997 г.). «Обзор технологии памяти StrataFlash» (PDF). Intel Technology Journal. Корпорация Intel. Получено 3 ноября, 2016.CS1 maint: несколько имен: список авторов (связь)