Вахид Шамс Колахи - Wahid Shams Kolahi
Вахид Шамс-Колахи | |
|---|---|
 | |
| Родился | 3 мая 1965 г. |
| Национальность | Иранский, немецкий |
| Альма-матер | Штутгартский университет (Бакалавриат, электротехника) Осакский университет (Магистр электротехники) Осакский университет (Кандидат электротехнических наук) |
| Научная карьера | |
| Поля | Электротехника Электрофизика Физика Твердотельная электроника Фотоэлектрические Физика полупроводников |
| Докторант | Ёсихиро Хамакава Хироаки Окамото |
| Другие научные консультанты | Вернер Х. Блосс Манфред Пилкун |
Вахид Шамс-Колахи (Персидский: وحید شمس کلاهی) - ученый и инженер-электрик, известный своими исследованиями в области фотоэлектрических технологий.
Доктор Шамс-Колахи родился в Арак, Иран в 1965 г. Он получил степень бакалавра электротехники в Штутгартский университет и поступил в аспирантуру электротехники / электрофизики под руководством профессора Вернер Х. Блосс.[1] Он работал под руководством профессора Блосса в Институте физической электроники IPE,[2] а позже присоединился к лаборатории Hamakawa[3] Высшей школы электротехники факультета инженерных наук, Осакский университет, Япония, где он получил степень магистра в 1994 году и докторскую степень. в 1997 г.
Находясь в лаборатории Хамакавы, Вахид Шамс-Колахи проводил исследования космических материалов и их потенциала для таких применений, как поглощающий слой солнечных элементов. Команда Hamakawa Lab во главе с Шамс-Колахи была выбрана Проект Spacelab Mission Endeavour, сотрудничество между НАСА Соединенных Штатов и Японии НАСДА, для изучения электрических и оптических свойств аморфно- или халькогенидных полупроводников SiAsTe, изготовленных в условиях микрогравитации в космосе в рамках миссии Endeavour СТС-47.
Вахид инициировал и провел исследование в твердотельная электроника и изготовление тонкопленочные солнечные элементы такие как аморфный кремний, CIGS и CdTe.
Известные проекты
- Эффективность допинга / влияние допинга на электрическая проводимость аморфных полупроводников, приготовленных в условиях микрогравитации космического челнока (Осакский университет, Япония)
- Новые методы очистки Полупроводники (Si ) и Изоляторы (PRIZED Solar Inc. и Центр передовых нанотехнологий, Университет Торонто, Канада)
- Оптимизация эпитаксии ультратонких силицид платины (Mitsubishi Electric, Амагасаки, Япония)
- Дифференциальные методы и расчет ширины запрещенной зоны полупроводников (Осакский университет, Япония)
- ВИМС-исследование влияния градации галлия в Cu (In, Ga) Se2 (Штутгартский университет, Германия)
- Физическое осаждение из паровой фазы (PVD) для совместного испарения CIGS тонкопленочные солнечные элементы (Panasonic, Мацусита Денки, Киото, Япония)
- Температура размягчения SLG-подложки, связанная с образованием тонких пленок CIGS (Panasonic, Мацусита Денки, Киото, Япония)
- Использование PVD для усиления света нанокристаллическим кремнием, сенсибилизированным кремнеземом, легированным эрбием (Университет Торонто, Канада)
- Использование TOF-SIMS для характеристики и идентификации Si-нанокристаллов (Университет Торонто, Канада)
- Одновременное улучшение электрических и оптических свойств тонких пленок TCO (ITO) (Университет Торонто, Канада)
Избранные публикации
- Шамс-Колахи, Вахид; Эндо, Шоичи; Кобаяши, Юки; Honda, A .; Nakaike, S .; Тома, Т .; Hambach, M .; Takeshima, S .; Окамото, Хироаки; Хамакава, Ёсихиро (1996). «Эффекты высокого давления в аморфных халькогенидных стеклах Si-As-Te, изготовленных в условиях микрогравитации». Журнал некристаллических твердых тел. Elsevier BV. 198-200: 705–708. Дои:10.1016/0022-3093(96)00012-9. ISSN 0022-3093.
- Шамс-Колахи, Вахид; Кобаяси, Мичихиро; Ханзава, Хиромаса; Окамото, Хироаки; Эндо, Шоичи; Кобаяши, Юки; Хамакава, Ёсихиро (1996-09-15). «Влияние давления на электрические и оптические свойства халькогенидных стекол Si – As – Te, изготовленных в условиях гравитации и в условиях микрогравитации». Японский журнал прикладной физики. Японское общество прикладной физики. 35 (Часть 1, № 9А): 4713–4717. Дои:10.1143 / jjap.35.4713. ISSN 0021-4922.
- Шамс-Колахи, Вахид; Кобаяси, Мичихиро; Ханзава, Хиромаса; Кубота, Томохиро; Кобаяши, Хикару; Окамото, Хироаки; Эндо, Шоичи; Кобаяши, Юки; Хамакава, Ёсихиро (1996-12-15). "Структура валентной зоны халькогенидных стекол Si – As – Te, полученных в гравитационной среде Земли и в условиях микрогравитации в космосе". Японский журнал прикладной физики. Японское общество прикладной физики. 35 (Часть 1, № 12А): 6162–6165. Дои:10.1143 / jjap.35.6162. ISSN 0021-4922.
- Шамс-Колахи, Вахид; Кобаяси, Мичихиро; Ханзава, Хиромаса; Мацумура, Мичио; Кобаяши, Хикару; Окамото, Хироаки; Эндо, Шоичи; Кобаяши, Юки; Хамакава, Ёсихиро (1997-03-15). «Рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия халькогенидных стекол Si – As – Te, полученных в условиях земной гравитации и микрогравитации». Японский журнал прикладной физики. Японское общество прикладной физики. 36 (Часть 1, № 3А): 987–990. Дои:10.1143 / jjap.36.987. ISSN 0021-4922.
- Минемото, Т; Хашимото, Y; Шамс-Колахи, Вт; Сато, Т; Негами, Т; Такакура, H; Хамакава, Y (2003). «Контроль смещения зоны проводимости в широкозонных солнечных элементах Cu (In, Ga) Se». Материалы для солнечной энергии и солнечные элементы. Elsevier BV. 75 (1–2): 121–126. Дои:10.1016 / s0927-0248 (02) 00120-4. ISSN 0927-0248.
- Dullweber, T .; Hanna, G .; Shams-Kolahi, W .; Schwartzlander, A .; Contreras, M.A .; Noufi, R .; Schock, H.W. (2000). «Исследование влияния градации галлия в Cu (In, Ga) Se2". Тонкие твердые пленки. Elsevier BV. 361-362: 478–481. Дои:10.1016 / с0040-6090 (99) 00845-7. ISSN 0040-6090.