Хельмут Фриче - Hellmut Fritzsche

Хельмут Фриче
Родившийся(1927-02-20)20 февраля 1927 г.
Берлин, Германия
Умер17 июня 2018 г.(2018-06-17) (91 год)
Тусон, Аризона
Альма-матерУниверситет Пердью
Научная карьера
ПоляФизика
УчрежденияЧикагский университет
ДокторантКарл Ларк-Горовиц

Хельмут Фриче (20 февраля 1927 - 17 июня 2018)[1] был американским физиком.

Он приехал в США на годичный Стипендия Смита-Мундта в 1950/51 гг. Получив его Диплом в физике из Геттингенский университет в 1952 году вернулся в США. Он заработал Кандидат наук. из Университет Пердью в 1954 г., где в том же году стал инструктором, а в 1955 г. Доцент. В 1957 году переехал в Чикагский университет, где в 1963 г. стал профессором, а в 1996 г. вышел на пенсию. Во время своей карьеры в Чикагском университете он был директором лаборатории исследования материалов в 1973–77 годах и председателем физического факультета 1977–1986 годов. Во время своего председательства он спланировал и руководил строительством Учебного центра физики Керстена. В течение двадцати пяти лет Фриче работал в Консультативном комитете Чикагского университета по вопросам Британская энциклопедия и в течение последних 7 лет в качестве его председателя. Фриче был вице-президентом и членом правления Energy Conversion Devices, Inc. с 1969 года и член совета директоров United Solar Systems Corp. с 1993 по 2003 год.

Исследование

Фрицше подготовил 36 кандидатов наук. студенты. Некоторые из основных достижений его группы:

  1. Открытие и исследование нового процесса проводимости в полупроводниках при очень низких температурах: примесная проводимостьперескок носителей заряда между случайным распределением примесь атомы. [2]
  2. Разъяснение переход металл-изолятор полупроводников.[2]
  3. Использование нейтронное трансмутационное легирование некоторых полупроводников: превращение основных атомов в легирующие атомы путем ядерного захвата тепловых нейтронов.
  4. Первое использование синхротронное излучение как источник света, приводящий к изучению дальний ультрафиолет спектры твердых тел и их электронное строение.[3]
  5. Экспериментальное и теоретическое исследование аморфные полупроводники обнаружен Стэнфорд Р. Овшински и их использование в твердотельных электронных устройствах и солнечные панели.[4]

Почести

Публикации

Фрицше опубликовал 280 статей в научных журналах и написал или отредактировал 13 книг. Он провел 15 Патенты США.

Избранные произведения Фриче

  • Редактор: Аморфный кремний и родственные материалы, части A, B, World Scientific 1989
  • Редактор: Транспорт, корреляция и структурные дефекты, World Scientific 1990
  • Редактор с Дэвидом Адлером: Локализация и переходы металл-изолятор, Plenum Press 1985 (Vol. 3 a Festschrift for Невилл Фрэнсис Мотт )
  • Электронные явления в аморфных полупроводниках, Annual Review of Material Science, Vol 2, 1972, pp. 697–744.
  • Редактор с Брайаном Шварцем: Стэнфорд Р. Овшинский - наука и технология американского гения, World Scientific 2008

Рекомендации

  1. ^ Звезда, Объявления Аризона Daily. "FRITZSCHE, Hellmut и Sybille C". tucson.com. Получено 26 июн 2018.
  2. ^ а б Л. М. Браун; А. Паис; Сэр Б. Пиппард, ред. (1995). Физика двадцатого века. III. Нью-Йорк: AIP Press. С. 1330–1335.
  3. ^ Джорджио Маргаритандо (май 2008 г.). «Эволюция специального синхротронного источника света». Физика сегодня. 61 (5): 37–43. Bibcode:2008ФТ .... 61э..37М. Дои:10.1063/1.2930734.
  4. ^ Х. Фриче, Б. Шварц, изд. (2008). Наука и техника американского гения - Стэнфорд Р. Овшинский. Нью-Джерси, Сингапур: World Scientific Publ. Co.
  5. ^ Михай Попеску (2012). "Премия Стэнфорда Р. Овшинского за выдающиеся достижения в области изучения аморфных халькогенидов в прошлом и настоящем". Phys. Статус Solidi B. 249 (10): 1835–1836. Bibcode:2012ПССБР.249.1835П. Дои:10.1002 / pssb.201200348.

внешняя ссылка