Лиза М. Портер - Lisa M. Porter

Эта статья об американском материаловеде. Для американского физика-ядерщика см. Лиза Портер.
Лиза Мари Спеллман Портер
LPorterCMU photo.jpg
Лиза М. Портер, март 2020 г.
Альма-матерУниверситет штата Северная Каролина (Кандидат наук)
Корнелл Университет (Бакалавр)
Научная карьера
УчрежденияУниверситет Карнеги Меллон
ТезисХимия, микроструктура и электрические свойства и их взаимосвязь с высотой барьера Шоттки на границах раздела между металлами и монокристаллическим карбидом кремния альфа (6H) типа N  (1993)

Лиза Мари Спеллман Портер американский материаловед, профессор материаловедения в Университет Карнеги Меллон. Она работает над новыми способами обработки и описания электронных материалов. Ранее она занимала пост президента Американское вакуумное общество.

ранняя жизнь и образование

Портер изучал материаловедение в Корнелл Университет.[1] Она получила степень бакалавра в 1989 году, прежде чем переехать в Университет штата Северная Каролина для ее аспирантуры.[1] Она получила докторскую степень в Карбид кремния в 1993 г.[2] После получения докторской степени Портер поступила в Государственный университет Северной Каролины в качестве научного сотрудника постдокторантуры.

Исследования и карьера

Кристалл оксида галлия (III)

Портер был назначен на факультет в Университет Карнеги Меллон в 1997 г. Ее ранние исследования касались металлических контактов для мощных электронных устройств и границ раздела оксид-карбид кремния.[3] С тех пор она исследовала несколько материалов, в том числе прозрачные проводящие пленки и электроды, а также органические полупроводники.[3][4][5] Ее исследования сосредоточены на полупроводниках с широкой запрещенной зоной. оксид галлия.[3][6] Небольшие количества оксида галлия могут выдерживать высокие электрические поля и могут использоваться для высокоэнергетических процессов.[6] Портер изучил различные полиморфы оксида галлия], включая α, β и ε-Ga.2О3.[6] В частности, β-Ga2О3 объемные монокристаллы могут быть изготовлены с использованием недорогих методов выращивания из расплава и могут быть изготовлены в больших пластинах.[6]

Портер создал дочернюю компанию SenSevere, которая создает химические сенсоры на основе полупроводников.[3][7] Датчики могут использоваться для обнаружения водорода в суровых условиях, включая ядерные реакторы и ячейки для производства хлора.[8][7] Когда эти элементы производят хлор, они производят значительную концентрацию водорода, и если его быстро не удалить из системы, это может привести к образованию хлористый водород.[8] В ядерных реакторах накопление водорода может вызвать взрывы, когда водород взаимодействует с кислородом и водой.[8]

Награды и награды

Избранные публикации

  • Портер, Лиза М .; Дэвис, Роберт Ф. (ноябрь 1995 г.). «Критический обзор омических и выпрямительных контактов для карбида кремния». Материаловедение и инженерия: B. 34 (2–3): 83–105. Дои:10.1016/0921-5107(95)01276-1. ISSN  0921-5107.
  • Крофтон, Джон; Мохни, Сюзанна (31 августа 2000 г.). «Омические контакты к SiC P-типа». Форт Бельвуар, штат Вирджиния. Дои:10.21236 / ada381452. Цитировать журнал требует | журнал = (помощь)
  • Chang, K. C .; Nuhfer, N.T .; Портер, Л. М .; Вахаб, К. (2000-10-02). «Высокие концентрации углерода на границе диоксида кремния и карбида кремния, идентифицированные с помощью спектроскопии потерь энергии электронов». Письма по прикладной физике. 77 (14): 2186–2188. Bibcode:2000АпФЛ..77.2186С. Дои:10.1063/1.1314293. ISSN  0003-6951.

Рекомендации

  1. ^ а б «Непосредственный бывший президент (2018)». Американское вакуумное общество. Получено 2020-03-17.
  2. ^ Портер, Лиза Мари Спеллман (1993). Химия, микроструктура и электрические свойства и их взаимосвязь с высотой барьера Шоттки на границах раздела между металлами и монокристаллическим карбидом кремния альфа (6H) типа N (Тезис). OCLC  30928458.
  3. ^ а б c d е «Зал славы МСЭ». Материаловедение и инженерия. Получено 2020-03-17.
  4. ^ «Лиза Портер: Полупроводники для энергоэффективного будущего». YouTube (CMU). Получено 2020-03-17.
  5. ^ "Energy Bite | Эпизод 203: Что такое полупроводники?". Укус энергии. 2017-07-18. Получено 2020-03-17.
  6. ^ а б c d "Проф. Лиза Портер". Материаловедение и инженерия. 2018-07-10. Получено 2020-03-17.
  7. ^ а б "Школа инженерии UCSD Jacobs". jacobsschool.ucsd.edu. Получено 2020-03-17.
  8. ^ а б c Писатель, Персонал. «Чувствовать опасность в суровых условиях». engineering.cmu.edu. Получено 2020-03-17.
  9. ^ «Поиск награды NSF: Награда № 9875186 - КАРЬЕРА: Исследование новых структур и связанных интерфейсов для полупроводниковых устройств с широкой запрещенной зоной». www.nsf.gov. Получено 2020-03-17.
  10. ^ Университет Карнеги-Меллона. "Лиза М. Портер - Институт энергетических инноваций Уилтона Э. Скотта - Университет Карнеги-Меллона". www.cmu.edu. Получено 2020-03-17.
  11. ^ «АВС». Президент AVS.