Институт физики полупроводников им. Ржанова - Rzhanov Institute of Semiconductor Physics
 | |
| Учредитель (и) | Анатолий Ржанов |
|---|---|
| Учредил | 1964 |
| Директор | Александр Латышев |
| Владелец | Сибирское отделение РАН |
| Адрес | Проспект Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Россия |
| Место расположения | , |
| Интернет сайт | www |
Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН (русский: Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН) является научно-исследовательским институтом в Академгородок из Новосибирск, Россия. Основан в 1964 году.
История
Институт был создан в 1964 году путем слияния Института физики твердого тела и полупроводниковой электроники и Института радиофизики и электроники.[1]
В 1970-х годах институт начал работу по развитию молекулярно-лучевая эпитаксия методы.[1]
Научная деятельность
Развитие физических основ микроэлектроники, акусто-электроника, микрофотоэлектроника, квантовая электроника; изучение физических явлений в полупроводниковых тонкопленочных структурах и др.[2]