Рассеяние от шероховатых поверхностей - Scattering from rough surfaces

Рассеяние шероховатости поверхности или же рассеяние шероховатости интерфейса это эластичный рассеяние заряженной частицы несовершенной границей между двумя разными материалами. Это важный эффект в электронных устройствах, которые содержат узкие слои, такие как полевые транзисторы и квантовые каскадные лазеры.^[1]

Описание

На энергию заряженных частиц в квантовой яме сильно влияет ее толщина.

Рассеяние шероховатости интерфейса наиболее заметно в ограниченный системы, в которых энергии носителей заряда определяются расположением границ раздела. Примером такой системы является квантовая яма, который может быть построен из сэндвича из разных слоев полупроводника. Таким образом, изменение толщины этих слоев приводит к тому, что энергия частиц зависит от их положения в плоскости в слое.^[2] Хотя шероховатость ${ displaystyle Delta _ {z} ( mathbf {r})}$ изменяется сложным образом в микроскопическом масштабе, можно считать, что он демонстрирует Гауссово распределение^[3] характеризуется высотой ${ displaystyle Delta}$ и корреляционная длина ${ displaystyle Lambda}$ такой, что

{ displaystyle langle Delta _ {z} ( mathbf {r}) Delta _ {z} ( mathbf {r '}) rangle = Delta ^ {2} exp left (- { frac {| mathbf {r} - mathbf {r '} | ^ {2}} { Lambda ^ {2}}} right)}

Примечания

^ Valavanis, A .; Ikonić, Z .; Келсалл, Р. В. (2008), "Межподзонное рассеяние носителей в п- и п−Si / SiGe квантовые ямы с диффузными интерфейсами », Физический обзор B, 77 (7): 075312, arXiv:0908.0552, Bibcode:2008PhRvB..77g5312V, Дои:10.1103 / PhysRevB.77.075312
^ Prange, R.E .; Ни, Цу-Вэй (1968), "Квантовая спектроскопия низкополевых колебаний поверхностного импеданса", Физический обзор, 168 (3): 779–786, Bibcode:1968ПхРв..168..779П, Дои:10.1103 / PhysRev.168.779
^ Sakaki, H .; Нода, Т .; Hirakawa, K .; Tanaka, M .; Matsusue, T. (1987), "Рассеяние шероховатости границы раздела в квантовых ямах GaAs / AlAs", Письма по прикладной физике, 51 (23): 1934–1936, Bibcode:1987АпФЛ..51.1934С, Дои:10.1063/1.98305

Этот физика конденсированного состояния -связанная статья является заглушка. Вы можете помочь Википедии расширяя это.

[1] Valavanis, A .; Ikonić, Z .; Келсалл, Р. В. (2008), "Межподзонное рассеяние носителей в п- и п−Si / SiGe квантовые ямы с диффузными интерфейсами », Физический обзор B, 77 (7): 075312, arXiv:0908.0552, Bibcode:2008PhRvB..77g5312V, Дои:10.1103 / PhysRevB.77.075312

[2] Prange, R.E .; Ни, Цу-Вэй (1968), "Квантовая спектроскопия низкополевых колебаний поверхностного импеданса", Физический обзор, 168 (3): 779–786, Bibcode:1968ПхРв..168..779П, Дои:10.1103 / PhysRev.168.779

[3] Sakaki, H .; Нода, Т .; Hirakawa, K .; Tanaka, M .; Matsusue, T. (1987), "Рассеяние шероховатости границы раздела в квантовых ямах GaAs / AlAs", Письма по прикладной физике, 51 (23): 1934–1936, Bibcode:1987АпФЛ..51.1934С, Дои:10.1063/1.98305

[1]

[2]

[3]