Умирает усадка - Die shrink

Полупроводник
устройство
изготовление
4-фах-NAND-C10.JPG
Масштабирование MOSFET
(технологические узлы )
Будущее

Период, термин умереть усадить (иногда оптическая усадка или же усадка процесса) относится к масштабирование из металл-оксид-полупроводник (MOS) устройства. Акт сжатия умереть состоит в том, чтобы создать несколько идентичную схему с использованием более продвинутого процесс изготовления, обычно с авансом литографический узлы. Это снижает общие затраты для компании, производящей микросхемы, поскольку отсутствие серьезных архитектурных изменений в процессоре снижает затраты на исследования и разработки, в то же время позволяя производить больше кристаллов процессора на одном и том же элементе. кремниевая пластина, что снижает затраты на проданный продукт.

Подробности

Смотрите также: Количество транзисторов

Усадка штампа - ключ к повышению цены / производительности при полупроводниковые компании Такие как Samsung, Intel, TSMC, и СК Хайникс, и басни производители, такие как AMD (включая бывшие ATI ), NVIDIA и MediaTek.

Примеры 2000-х годов включают уменьшение масштаба PlayStation 2 с Двигатель эмоций процессор от Sony и Toshiba (из 180 нм CMOS в 2000 г. 90 нм CMOS в 2003 году),[1] под кодовым названием Кедровая мельница Pentium 4 процессоры (от 90 нм CMOS до 65 нм CMOS) и Penryn Core 2 процессоров (от 65 нм CMOS до 45 нм CMOS) под кодовым названием Брисбен Athlon 64 X2 процессоры (от 90 нм ТАК ЧТО Я к 65 нм ТАК ЧТО Я ), различные поколения GPU как от ATI, так и от NVIDIA, а также от различных поколений баран и флэш-память чипы от Samsung, Toshiba и SK Hynix. В январе 2010 года Intel выпустила Кларкдейл Core i5 и Core i7 процессоры, изготовленные с 32 нм процесс, по сравнению с предыдущим 45 нм процесс, используемый в более старых итерациях Nehalem процессор микроархитектура. Intel, в частности, ранее сосредоточивалась на использовании усадки кристаллов для повышения производительности продукта на регулярной основе за счет своей Модель Tick-Tock. В этом Бизнес модель, каждый новый микроархитектура (tock) следует усадка матрицы (галочка) для повышения производительности с той же микроархитектурой.[2]

Усадка кристалла полезна для конечных пользователей, так как уменьшение кристалла снижает ток, используемый при каждом включении или выключении транзистора. полупроводниковые приборы при сохранении той же тактовой частоты чипа, делая продукт с меньшим энергопотреблением (и, следовательно, меньшим тепловыделением), увеличился тактовая частота запас и более низкие цены.[2] Поскольку стоимость изготовления кремниевой пластины диаметром 200 или 300 мм пропорциональна количеству этапов изготовления, а не количеству микросхем на пластине, усадка матрицы приводит к увеличению количества микросхем на каждой пластине, что приводит к снижению производственных затрат. за чип.

Полуусадка

При изготовлении ЦП усадка кристалла всегда предполагает повышение до литографический узел, как определено ITRS (см. список). Для GPU и SoC При производстве усадка кристалла часто включает усадку кристалла на узле, не определенном ITRS, например, на узлах 150 нм, 110 нм, 80 нм, 55 нм, 40 нм и более, в настоящее время 8-нм узлах, иногда называемых "половинными" узлы ». Это промежуточная точка между двумя, определенными ITRS литографический узлы (так называемое «сжатие на половину узла») перед тем, как произойдет дальнейшее сжатие до нижних узлов, определенных ITRS, что помогает сэкономить дальнейшие затраты на исследования и разработки. Выбор выполнять усадку кристаллов до полных или полуузлов остается за литейщиком, а не разработчиком интегральных схем.

Полуусадка
Главный узел ITRSПолуузел остановки
250 нм220 нм
180 нм150 нм
130 нм110 нм
90 нм80 нм
65 нм55 нм
45 нм40 нм
32 нм28 нм
22 нм20 нм
14 нм12 нм[3]
10 нм8 нм
7 нм6 нм
5 нм4 нм
3 нмНет данных

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ "EMOTION ENGINE® И СИНТЕЗАТОР ГРАФИКИ, ИСПОЛЬЗУЕМЫЙ В ЯДРЕ PLAYSTATION®, СТАНОВИТСЯ ОДНИМ ЧИПОМ" (PDF). Sony. 21 апреля 2003 г.. Получено 26 июн 2019.
  2. ^ а б "Tick-Tock" Intel, казалось бы, мертвый, становится "оптимизацией архитектуры процессов"'". Анандтех. Получено 23 марта 2016.
  3. ^ "Taiwan Semiconductor Mfg. Co. Ltd." подтверждает "планы по разработке 12-нм чипов". Пестрый дурак. Получено 18 января, 2017.

внешняя ссылка