HiSilicon - HiSilicon

HiSilicon Co., Ltd.
Родное имя
海思 半导体 有限公司
Филиал
ПромышленностьПолупроводники Fabless, Полупроводники, Дизайн интегральной схемы
Основан1991; 29 лет назад (1991)[1][нужна цитата ]
Штаб-квартираШэньчжэнь, Гуандун, Китай
ПродуктыSoC
БрендыКирин

ГигахомКунпенгБалонг

Восхождение
РодительHuawei
Интернет сайтwww.hisilicon.com
HiSilicon
Упрощенный китайский海思 半导体 有限公司
Традиционный китайский海思 半導體 有限公司
Буквальное значениеКомпания Haisi Semiconductor Limited

HiSilicon (Китайский : 海思; пиньинь : Hǎisī) - китаец полупроводниковая компания fabless основанный в Шэньчжэнь, Гуандун и полностью принадлежит Huawei. HiSilicon покупает лицензии на конструкции ЦП у ARM Holdings, в том числе ARM Cortex-A9 MPCore, ARM Cortex-M3, ARM Cortex-A7 MPCore, ARM Cortex-A15 MPCore,[2][3] ARM Cortex-A53, ARM Cortex-A57 а также для их Мали графические ядра.[4][5] HiSilicon также приобрел лицензии у Корпорация Виванте для графического ядра GC4000.

HiSilicon считается крупнейшим отечественным дизайнером интегральные схемы в Китае.[6] В 2020 году США ввели правила, согласно которым американские фирмы, предоставляющие определенное оборудование HiSilicon, или неамериканские фирмы, использующие американские технологии, поставляющие HiSilicon, должны иметь лицензии.[7] и Huawei объявила, что прекратит производство своего чипсета Kirin с 15 сентября 2020 года.[8]

История

Компания Shenzhen HiSilicon Semiconductor Co., Ltd. была центром проектирования ASIC компании Huawei, основанным в 1991 году. После более чем 10-летнего развития HiSilicon превратилась в независимого поставщика микросхем, который может предоставлять клиентам решения для беспроводных терминалов, решения для оптических сетей, цифровые решения. медиа-решения, решения для цифрового телевидения и решения для сетей связи. К концу 2005 года было завершено в общей сложности более 100 проектов микросхем, из которых более 60 были произведены серийно и широко используются в различных сетевых продуктах связи.

  • 1993 - Успешная разработка первой цифровой ASIC компании HiSilicon.
  • 1996 - HiSilicon успешно разработал свой первый ASIC со 100 000 логическим ключом.
  • 1998 - Успешно разработана первая аналогово-цифровая гибридная ASIC HiSilicon.
  • 2000 - HiSilicon успешно разработала свой первый ASIC с миллионным логическим ключом.
  • 2001 - Успешно разработан комплект базовой станции WCDMA.
  • 2002 - Успешно разработан первый COT-чип HiSilicon.
  • 2003 - HiSilicon успешно разработала первые десятки миллионов шлюзов ASIC.
  • 2004 - Зарегистрирована компания Shenzhen HiSilicon Semiconductor Co., Ltd. и официально учреждена компания.

Процессоры приложений для смартфонов

HiSilicon разрабатывает SoC на основе РУКА архитектура. Хотя это и не эксклюзив, эти SoC предварительно используются в карманных и планшетных устройствах материнской компании. Huawei.

K3V2

Первый широко известный продукт HiSilicon - K3V2, используемый в Huawei Ascend D Quad XL (U9510) смартфоны[9] и Huawei MediaPad 10 FHD7 таблетки. Этот набор микросхем основан на ARM Cortex-A9 MPCore изготовлен на 40 нм и использует 16 ядер Виванте GC4000 GPU.[10]SoC поддерживает LPDDR2-1066, но реальные продукты встречаются с LPDDR-900 вместо этого для более низкого энергопотребления.

Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
K3V2 (Hi3620)40 нмARMv7Cortex-A9 L1: 32 КБ инструкции + 32 КБ данных, L2: 1 МБ41.4Виванте GC4000240 МГц

(15,3 Гфлопс)

LPDDR264-битный двухканальный7,2 (до 8,5)Нет данныхНет данныхНет данныхНет данных1 квартал 2012 г.

K3V2E

Это пересмотренная версия K3V2 SoC с улучшенной поддержкой Intel baseband. SoC поддерживает LPDDR2-1066, но реальные продукты встречаются с LPDDR-900 вместо этого для более низкого энергопотребления.

Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
K3V2E40 нмARMv7Cortex-A9 L1: 32 КБ инструкции + 32 КБ данных, L2: 1 МБ41.5Виванте GC4000240 МГц

(15,3 Гфлопс)

LPDDR264-битный двухканальный7,2 (до 8,5)Нет данныхНет данныхНет данныхНет данных2013

Кирин 620

• поддерживает - USB 2.0 / 13 MP / 1080p кодирование видео

Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 62028 нмARMv8-ACortex-A5341.2Мали-450 MP4533 МГц (32 Гфлопс)LPDDR3 (МГц)32-битный одноканальный6.4Нет данныхДве SIM-карты LTE Cat.4 (150 Мбит / с)802.11 b / g / n (Wi-Fi Direct и точка доступа) не поддерживает DLNA / MiracastBluetooth версии 4.0, A2DP, EDR, LE1 квартал 2015 г.

Кирин 650, 655, 658, 659

Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 65016 нм FinFET +ARMv8-ACortex-A53
Cortex-A53
4+42,0 (4xA53) 1,7 (4xA53)Mali-T830 MP2900 МГц

(40,8 Гфлопс)

LPDDR3 (933 МГц)64-битный двухканальный (2x32bit)[11]A-GPS, ГЛОНАССДве SIM-карты LTE Cat.6 (300 Мбит / с)802.11 б / г / лBluetooth v4.12 квартал 2016 г.
Кирин 6552,12 (4xA53) 1,7 (4xA53)4 квартал 2016 г.
Кирин 6582,35 (4xA53) 1,7 (4xA53)802.11 б / г / н / акр2 квартал 2017 г.
Кирин 6592,36 (4xA53) 1,7 (4xA53)802.11 б / г / лBluetooth v4.23 квартал 2017 г.

Кирин 710

Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 71012 нм FinFET от TSMCARMv8-ACortex-A73
Cortex-A53
4+42.2 (A73)

1,7 (A53)

Mali-G51 MP41000 МГцLPDDR3 LPDDR432-битныйA-GPS, ГЛОНАССДве SIM-карты LTE Cat.12 (600 Мбит / с)802.11 б / г / лBluetooth v4.23 квартал 2018 г.
Кирин 710F[12]
Кирин 710A14 нм FinFET от SMIC[13]2.0 (A73)

1,7 (A53)

Кирин 810 и 820

  • DaVinci NPU на базе тензорного арифметического устройства
  • Kirin 820 поддерживает 5G NSA & SA
Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 8107 нм FinFETARMv8.2-АCortex-A76
Cortex-A55
DynamIQ
2+62,27 (2xA76)
1.9 (6xA55)
Mali-G52 MP6820 МГцLPDDR4X (2133 МГц)64-битный (16-битный четырехканальный)31.78A-GPS, ГЛОНАСС, BDSДве SIM-карты LTE Cat.12 (600 Мбит / с)802.11 б / г / н / акрBluetooth v5.02 квартал 2019 г.
Кирин 820 5G(1+3)+42,36 (1xA76 H)
2,22 (3xA76 L)
1,84 (4xA55)
Mali-G57 MP6Balong 5000 (только до 6 ГГц; NSA и SA)1 квартал 2020 г.

Кирин 910 и 910Т

Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 91028 нм HPMARMv7Cortex-A941.6Мали-450 MP4533 МГц

(32 Гфлопс)

LPDDR332-битный одноканальный6.4Нет данныхLTE Кат.4Нет данныхНет данных1 полугодие 2014 г.
Кирин 910Т1.8700 МГц

(41,8 Гфлопс)

Нет данныхНет данныхНет данных1 полугодие 2014 г.

Кирин 920, 925 и 928

• Kirin 920 SoC также содержит процессор изображений который поддерживает до 32 мегапикселей

Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 92028 нм HPMARMv7Cortex-A15
Cortex-A7
большой маленький
4+41,7 (A15)
1,3 (A7)
Mali-T628 MP4600 МГц

(76,8 Гфлопс)

LPDDR3 (1600 МГц)64-битный двухканальный12.8Нет данныхLTE Cat.6 (300 Мбит / с)Нет данныхНет данных2 полугодие 2014 г.
Кирин 9251,8 (A15)
1,3 (A7)
Нет данныхНет данныхНет данных3 квартал 2014 г.
Кирин 9282,0 (A15)
1,3 (A7)
Нет данныхНет данныхНет данныхНет данных

Кирин 930 и 935

• поддерживает - SD 3.0 (UHS-I) / eMMC 4.51 / двухдиапазонный a / b / g / n Wi-Fi / Bluetooth 4.0 с низким энергопотреблением / USB 2.0 / 32 МП ISP / кодирование видео 1080p

Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 93028 нм HPCARMv8-ACortex-A53
Cortex-A53
4+42.0 (A53)
1,5 (A53)
Mali-T628 MP4600 МГц

(76,8 Гфлопс)

LPDDR3 (1600 МГц)64-битный (2x32-битный) двухканальный12,8 ГБ / сНет данныхДве SIM-карты LTE Cat.6 (DL: 300 Мбит / с UP: 50 Мбит / с)Нет данныхНет данных1 квартал 2015 г.
Кирин 9352.2 (A53)
1,5 (A53)
680 МГц

(87Гфлопс)

Нет данныхНет данныхНет данных1 квартал 2015 г.

Кирин 950 и 955

• поддерживает - SD 4.1 (UHS-II) / UFS 2.0 / eMMC 5.1 / MU-MIMO 802.11ac Wi-Fi / Bluetooth 4.2 Smart / USB 3.0 / NFS / Dual ISP (42 МП) / Кодирование видео 4K с исходным разрешением 10 бит / Сопроцессор i5 / Tensilica HiFi 4 DSP

Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 950TSMC 16 нм FinFET +[18]ARMv8-ACortex-A72
Cortex-A53
большой маленький
4+42.3 (A72)
1,8 (A53)
Mali-T880 MP4900 МГц

(122,4 Гфлопс)

LPDDR464-битный (2x32-битный) двухканальный25.6Нет данныхДве SIM-карты LTE Cat.6Нет данныхНет данных4 квартал 2015 г.
Кирин 955[20]2,5 (A72)
1,8 (A53)
LPDDR3 (3 ГБ) LPDDR4 (4ГБ)Нет данныхНет данныхНет данных2 квартал 2016 г.

Кирин 960

  • Межсоединение: ARM CCI-550, хранилище: UFS 2.1, eMMC 5.1, Sensor Hub: i6
Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 960[21]TSMC 16 нм FFCARMv8-ACortex-A73
Cortex-A53
большой маленький
4+42,36 (A73)
1,84 (A53)
Mali-G71 MP81037 МГц

(282Гфлопс)

LPDDR4 -160064-битный (2x32-битный) двухканальный28.8Нет данныхДве SIM-карты LTE Cat.12 LTE 4x CA, 4x4 MIMOНет данныхНет данных4 квартал 2016 г.

Кирин 970

  • Межкомпонентное соединение: ARM CCI-550, хранилище: UFS 2.1, концентратор датчика: i7
  • Cadence Tensilica Vision P6 DSP.[22]
  • NPU сделан в сотрудничестве с Cambricon Technologies. 1.92T FP16 OPS.[23]
Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 970TSMC 10 нм FinFET +ARMv8-ACortex-A73
Cortex-A53
большой маленький
4+42,36 (A73)
1,84 (A53)
Mali-G72 MP12746 МГц

(330 Гфлопс)

LPDDR4X -186664-битный (4x16-битный) четырехканальный29.8ГалилеоДве SIM-карты LTE Cat.18 LTE 5x CA, без 4x4 MIMOНет данныхНет данных4 квартал 2017 г.

Кирин 980 и Кирин 985 5G

Kirin 980 - первая SoC HiSilicon на основе 7-нм технологии FinFET.

  • Межкомпонентное соединение: ARM Mali G76-MP10, хранилище: UFS 2.1, сенсорный концентратор: i8
  • Двойной NPU, созданный в сотрудничестве с Cambricon Technologies.

Kirin 985 5G - это вторая SoC Hislicon 5G, основанная на 7-нм технологии FinFET.

  • Межсоединение: ARM Mali-G77 MP8, хранилище UFS 3.0
  • Big-Tiny Da Vinci NPU: 1x Да Винчи Lite + 1x Да Винчи Tiny
Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 980TSMC 7 нм FinFETARMv8.2-АCortex-A76
Cortex-A55
DynamIQ
(2+2)+42,6 (A76 H)
1,92 (A76 L)
1,8 (A55)
Mali-G76 MP10720 МГц

(489,6 Гфлопс)[24]

LPDDR4X -213364-битный (4x16-битный) четырехканальный34.1ГалилеоДве SIM-карты LTE Cat.21 LTE 5x CA, без 4x4 MIMOНет данныхНет данных4 квартал 2018 г.
Кирин 985 5G(1+3)+42,58 (A76 H)
2,40 (A76 л)
1,84 (A55)
Mali-G77 MP8?Balong 5000 (только до 6 ГГц; NSA и SA)Нет данныхНет данных2 квартал 2020 г.

Kirin 990 4G, Kirin 990 5G и Kirin 990E 5G

Kirin 990 5G - первая SoC HiSilicon 5G, основанная на технологии N7 nm + FinFET.[25]

  • Соединить
    • Kirin 990 4G: ARM Mali-G76 MP16
    • Кирин 990 5G: ARM Mali-G76 MP16
    • Kirin 990E 5G: ARM Mali-G76 MP14
  • Да Винчи НПУ.
    • Kirin 990 4G: 1x Da Vinci Lite + 1x Da Vinci Tiny
    • Kirin 990 5G: 2x Da Vinci Lite + 1x Da Vinci Tiny
    • Kirin 990E 5G: 1x Da Vinci Lite + 1x Da Vinci Tiny
  • Da Vinci Lite включает тензорный вычислительный движок 3D Cube (2048 MAC FP16 + 4096 MAC адресов INT8), векторный блок (1024 бит INT8 / FP16 / FP32)
  • Da Vinci Tiny имеет тензорный вычислительный движок 3D Cube (256 MAC FP16 + 512 MAC INT8), векторный блок (256 бит INT8 / FP16 / FP32)[26]
Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 990 4GTSMC 7 нм FinFET (DUV)ARMv8.2-АCortex-A76
Cortex-A55
DynamIQ
(2+2)+42,86 (A76 H)
2,09 (A76 л)
1,86 (A55)
Mali-G76 MP16600 МГц
(737,28 ГФЛОПС)
LPDDR4X -213364-битный (4x16-битный) четырехканальный34.1ГалилеоBalong 765 (LTE Cat.19)Нет данныхНет данных4 квартал 2019 г.
Кирин 990 5GTSMC 7 нм + FinFET (EUV)2,86 (A76 H)
2,36 (A76 л)
1,95 (A55)
Balong 5000 (только до 6 ГГц; NSA и SA)Нет данныхНет данных
Кирин 990E 5GMali-G76 MP14?Нет данныхНет данных4 квартал 2020 г.

Кирин 9000 и Кирин 9000E

Kirin 9000 - первая SoC HiSilicon, основанная на технологии 5 нм + FinFET (EUV).

  • Соединить
    • Kirin 9000E: ARM Mali-G78 MP22
    • Кирин 9000: ARM Mali-G78 MP24
  • Да Винчи НПУ.
    • Kirin 9000E: 1x большое ядро ​​+ 1x крошечное ядро
    • Kirin 9000: 2x больших ядра + 1x крошечное ядро
Номер моделиFabЦПУGPUТехнология памятиNavБеспроводнойДоступность выборкиИспользование устройств
ЭТОМикроархитектураЯдраFrq (ГГц )МикроархитектураFrq (МГц )ТипШирина автобуса (немного )Пропускная способность (ГБ / с)Сотовая связьWLANСКОВОРОДА
Кирин 9000ETSMC 5 нм FinFET (EUV)ARMv8.2-АCortex-A77
Cortex-A55
DynamIQ
(1+3)+43,13 (A77 H)
2,54 (A77 L)
2,05 (A55)
Mali-G78 MP22?LPDDR4X -2133
LPDDR5 -2750
64-битный (4x16-битный) четырехканальный34,1 (LPDDR4X)
44 (LPDDR5)
ГалилеоBalong 5000 (только до 6 ГГц; NSA и SA)Нет данныхНет данных4 квартал 2020 г.
Кирин 9000Mali-G78 MP24?Нет данныхНет данных

Модемы для смартфонов

HiSilicon разрабатывает модемы для смартфонов, которые, хотя и не исключительно, эти SoC предварительно используются в карманных и планшетных устройствах своей материнской компании. Huawei.

Балонг 700

Balong 700 поддерживает LTE TDD / FDD.[27] Его характеристики:

  • Протокол 3GPP R8
  • LTE TDD и FDD
  • 4x2 / 2x2 SU-MIMO

Балонг 710

На MWC 2012 HiSilicon представила Balong 710.[28] Это многорежимный набор микросхем, поддерживающий 3GPP Release 9 и LTE Category 4 в GTI (Global TD-LTE Initiative). Balong 710 был разработан для использования с K3V2 SoC. Его характеристики:

  • Режим LTE FDD: 150 Мбит / с нисходящий канал и 50 Мбит / с восходящий канал.
  • Режим TD-LTE: до 112 Мбит / с нисходящий канал и до 30 Мбит / с восходящий канал.
  • WCDMA Dual Carrier с MIMO: нисходящий канал 84 Мбит / с и восходящий канал 23 Мбит / с.

Балонг 720

Balong 720 поддерживает LTE Cat6 с пиковой скоростью загрузки 300 Мбит / с.[27] Его характеристики:

  • TSMC 28 нм процесс HPM
  • Стандарт TD-LTE Cat.6
  • Агрегация двух несущих для полосы пропускания 40 МГц
  • 5-режимный модем LTE Cat6

Балонг 750

Balong 750 поддерживает LTE Cat 12/13 и первым поддерживает 4CC CA и частоту 3,5 ГГц.[27] Его характеристики:

  • Сетевые стандарты LTE Cat.12 и Cat.13 UL
  • 2CC (двухканальная) агрегация данных
  • 4x4, несколько входов, несколько выходов (MIMO)
  • TSMC 16 нм FinFET + процесс

Балонг 765

Balong 765 поддерживает технологию 8 × 8 MIMO, LTE Cat.19 со скоростью передачи данных по нисходящему каналу до 1,6 Гбит / с в сети FDD и до 1,16 Гбит / с в сети TD-LTE.[29] Его характеристики:

  • 3GPP, версия 14
  • LTE Cat.19 Пиковая скорость передачи данных до 1,6 Гбит / с
  • 4CC CA + 4 × 4 MIMO / 2CC CA + 8 × 8 MIMO
  • DL 256QAM
  • C-V2X

Балонг 5G01

Balong 5G01 поддерживает стандарт 3GPP для 5G со скоростью нисходящего канала до 2,3 Гбит / с. Он поддерживает 5G во всех частотных диапазонах, включая частоты ниже 6 ГГц и миллиметровые волны (mmWave).[27] Его характеристики:

  • 3GPP, выпуск 15
  • Пиковая скорость передачи данных до 2,3 Гбит / с
  • Sub-6 ГГц и mmWave
  • АНБ / СА
  • DL 256QAM

Балонг 5000

Balong 5000 поддерживает 2G, 3G, 4G и 5G.[30] Его характеристики:

  • 2G / 3G / 4G / 5G мультирежим
  • Полностью совместим с 3GPP Release 15
  • Суб-6 ГГц: 100 МГц x 2CC CA
  • Суб-6 ГГц: нисходящая линия до 4,6 Гбит / с, восходящая линия до 2,5 Гбит / с
  • mmWave: нисходящий канал до 6,5 Гбит / с, восходящий канал до 3,5 Гбит / с
  • NR + LTE: нисходящий канал до 7,5 Гбит / с
  • Доступ к спектру FDD и TDD
  • Архитектура Fusion Network SA и NSA
  • Поддерживает 3GPP R14 V2X
  • 3 ГБ LPDDR4X[31]

Носимые SoC

HiSilicon разрабатывает SoC для носимых устройств, таких как по-настоящему беспроводные наушники, беспроводные наушники, наушники с шейным ободом, умные динамики, умные очки и умные часы.[32]

Кирин А1

Kirin A1 был анонсирован 6 сентября 2019 года.[32] Особенности:

  • Двухрежимный Bluetooth 5.1 BT / BLE[33]
  • Технология изохронной двухканальной передачи
  • Аудиопроцессор 356 МГц

Серверные процессоры

HiSilicon разрабатывает серверный процессор SoC на основе РУКА архитектура.

Hi1610

Hi1610 - это серверный процессор первого поколения HiSilicon, анонсированный в 2015 году. Он включает:

  • 16x ARM Cortex-A57 на частоте до 2,1 ГГц[34]
  • 48 КБ L1-I, 32 КБ L1-D, 1 МБ L2 / 4 ядра и 16 МБ CCN L3
  • TSMC 16 нм
  • 2x DDR4-1866
  • 16 разъемов PCIe 3.0

Hi1612

Hi1612 - это серверный процессор второго поколения HiSilicon, выпущенный в 2016 году. Он включает:

  • 32x ARM Cortex-A57 на частоте до 2,1 ГГц[34]
  • 48 КБ L1-I, 32 КБ L1-D, 1 МБ L2 / 4 ядра и 32 МБ CCN L3
  • TSMC 16 нм
  • 4x DDR4-2133
  • 16 разъемов PCIe 3.0

Kunpeng 916 (ранее Hi1616)

Kunpeng 916 (ранее известный как Hi1616) - серверный процессор HiSilicon третьего поколения, выпущенный в 2017 году. Kunpeng 916 используется в сбалансированном сервере Huawei TaiShan 2280, сервере хранения TaiShan 5280, серверном узле TaiShan XR320 High-Density и TaiShan X6000 High-Density Server. .[35][36][37][38] Особенности:

Kunpeng 920 (ранее Hi1620)

Kunpeng 920 (ранее известный как Hi1620) - это серверный процессор HiSilicon четвертого поколения, анонсированный в 2018 году и запущенный в 2019 году. Huawei утверждает, что процессор Kunpeng 920 набрал более 930 баллов по SPECint®_rate_base2006.[39] Kunpeng 920 используется в сбалансированном сервере Huawei TaiShan 2280 V2, сервере хранения TaiShan 5280 V2 и узле сервера высокой плотности TaiShan XA320 V2.[40][41][42] Особенности:

  • От 32 до 64 пользовательских ядер TaiShan v110 с тактовой частотой до 2,6 ГГц.[43]
  • Ядро TaiShan v110 - это суперскаляр с 4 выходами вне очереди, который реализует ARMv8.2-A ISA. Huawei сообщает, что ядро ​​поддерживает почти все функции ARMv8.4-A ISA, за некоторыми исключениями, включая точечный продукт и расширение FP16 FML.[43]
  • Ядра TaiShan v110, вероятно, являются новым ядром, не основанным на дизайне ARM. [44][оригинальное исследование? ]
  • 3x простых ALU, 1x сложный MDU, 2x BRU (совместное использование портов с ALU2 / 3), 2x FSU (ASIMD FPU), 2x LSU[44]
  • 64 КБ L1-I, 64 КБ L1-D, 512 КБ частного L2 и 1 МБ L3 / ядро ​​общего доступа.
  • TSMC 7 нм HPC
  • 8x DDR4-3200
  • 2-ходовой и 4-ходовой Симметричная многопроцессорная обработка (SMP). Каждый сокет имеет 3 порта Hydra со скоростью 240 Гбит / с на порт (всего 720 Гбит / с на каждое межсоединение сокета)
  • 40 PCIe 4.0 с поддержкой CCIX, 4 USB 3.0, 2x SATA 3.0, x8 SAS 3.0 и 2 x 100 GbE
  • От 100 до 200 Вт
  • Механизм сжатия (GZIP, LZS, LZ4), способный до 40 Гбит / с сжимать и до 100 Гбит / с распаковывать
  • Механизм криптографии (для AES, DES, 3DES, SHA1 / 2 и т. Д.) С пропускной способностью до 100 Гбит / с

Kunpeng 930 (ранее Hi1630)

Kunpeng 930 (ранее известный как Hi1630) - серверный процессор пятого поколения HiSilicon, анонсированный в 2019 году и запланированный к запуску в 2021 году. Он включает:

  • Под заказные ядра с более высокими частотами, поддержка одновременная многопоточность (SMT) и ARM's Scalable Vector Extension (SVE).[43]
  • 64 КБ L1-I, 64 КБ L1-D, 512 КБ частного L2 и 1 МБ L3 / ядро ​​совместно
  • TSMC 5 нм
  • 8x DDR5

Кунпенг 950

Kunpeng 950 - это серверный процессор HiSilicon шестого поколения, анонсированный в 2019 году и запланированный к запуску в 2023 году.

Ускорение ИИ

HiSilicon также разрабатывает AI Фишки ускорения.

Архитектура да Винчи

Каждое AI-ядро Da Vinci Max включает тензорный вычислительный механизм 3D Cube (4096 MAC FP16 + 8192 MAC INT8), векторный блок (2048 бит INT8 / FP16 / FP32) и скалярный блок. Он включает новую структуру искусственного интеллекта под названием «MindSpore», продукт «платформа как услуга» под названием ModelArts и библиотеку нижнего уровня под названием Compute Architecture for Neural Networks (CANN).[26]

Ascend 310

Ascend 310 - это SoC с логическим выводом искусственного интеллекта, он получил кодовое название Ascend-Mini. Ascend 310 поддерживает 16 TOPS @ INT8 и 8 TOPS @ FP16.[45] Особенности Ascend 310:

  • 2x ядра Da Vinci Max AI[26]
  • 8x ARM Cortex-A55 Ядра процессора
  • Встроенный буфер 8 МБ
  • 16-канальное декодирование видео - H.264 / H.265
  • Кодирование 1 канала видео - H.264 / H.265
  • TSMC 12 нм FFC процесс
  • 8 Вт

Ascend 910

Ascend 910 - это SoC для обучения искусственного интеллекта, он получил кодовое название Ascend-Max. который обеспечивает 256 терафлопс @ FP16 и 512 терафлопс @ INT8. Особенности Ascend 910:

  • 32 ядра Da Vinci Max AI, организованные в 4 кластера[26]
  • 1024-битная сетка NoC @ 2 ГГц, с пропускной способностью 128 ГБ / с, чтение / запись на каждое ядро
  • 3 порта HCCS 240 Гбит / с для Numa связи
  • 2 интерфейса RoCE 100 Гбит / с для работы в сети
  • 4x HBM2E, пропускная способность 1,2 ТБ / с
  • 3D-SRAM расположена под кристаллом AI SoC
  • 1228 мм2 Общий размер матрицы (456 мм2 Virtuvian AI SoC, 168 мм2 Матрица ввода-вывода Nimbus V3, 4x96 мм 2 HBM2E, 2x110 мм2 Манекен Die)
  • Встроенный буфер 32 МБ
  • 128-канальное декодирование видео - H.264 / H.265
  • TSMC 7+ нм EUV (N7 +) процесс
  • 350 Вт

Кластер Ascend 910 имеет 1024–2048 микросхем Ascend 910 для достижения 256–512 петафлопс при FP16. Ascend 910 и Ascend Cluster будут доступны во втором квартале 2019 года.[46]

Похожие платформы

Процессоры Kirin конкурируют с продуктами ряда других компаний, в том числе:

использованная литература

  1. ^ "HiSilicon Technologies Co., Ltd.: Информация о частной компании". Bloomberg. В архиве из оригинала 19 января 2019 г.. Получено 18 января 2019.
  2. ^ HiSilicon лицензирует технологию ARM для использования в инновационных базовых станциях 3G / 4G, сетевой инфраструктуре и мобильных вычислительных приложениях В архиве 9 января 2013 в WebCite, 02 августа 2011 на ARM.com
  3. ^ "HiSilicon Technologies Co., Ltd. 海思 体 有限公司". ARM Holdings. Архивировано из оригинал 9 января 2013 г.. Получено 26 апреля 2013.
  4. ^ ARM запускает серию Cortex-A50, самые энергоэффективные 64-битные процессоры в мире В архиве 9 января 2013 в WebCite на ARM.com
  5. ^ Лай, Ричард. «Чипсет Huawei HiSilicon K3V3 должен быть выпущен во 2-м полугодии 2013 года на базе Cortex-A15». Engadget. В архиве из оригинала 15 мая 2013 г.. Получено 26 апреля 2013.
  6. ^ «Hisilicon превратилась в крупнейшую местную компанию по разработке микросхем». Виндози. Сентябрь 2012 г. В архиве из оригинала 21 августа 2014 г.. Получено 26 апреля 2013.
  7. ^ Джош, Хорвиц (21 мая 2020 г.). «США выигрывают приз Huawei: гигантский чип HiSilicon». Рейтер. В архиве из оригинала 22 мая 2020 г.. Получено 22 мая 2020.
  8. ^ "Huawei прекратит выпуск флагманских чипсетов из-за давления США, сообщают китайские СМИ". Рейтер. 8 августа 2020. Получено 8 августа 2020.
  9. ^ brightsideofnews.com: Тестирование Huawei U9510 Ascend D Quad XL В архиве 8 мая 2013 г. Wayback Machine на ARMdevices.net
  10. ^ Руки вперед с Huawei Ascend W1, Ascend D2 и Ascend Mate В архиве 29 июня 2019 в Wayback Machine на Анандтех
  11. ^ «HiSilicon Kirin 650 SoC - тесты и спецификации». www.notebookcheck.net. В архиве из оригинала 5 февраля 2017 г.. Получено 4 февраля 2017.
  12. ^ Маллик, Суброджит (18 января 2020 г.). «Отличается ли Kirin 710F в Honor 9X от Kirin 710? | Цифра». digit.in. Получено 2 июля 2020.
  13. ^ «Новый 14-нм чип Kirin 710A от Huawei HiSilicon был произведен компанией SMIC в Шанхае». xda-developers. 13 мая 2020. Получено 2 июля 2020.
  14. ^ «Huawei MediaPad X1». Технические характеристики устройства. Архивировано из оригинал 23 июля 2014 г.. Получено 14 марта 2014.
  15. ^ «Huawei P6 S». Huawei. Архивировано из оригинал 22 июня 2014 г.. Получено 12 июн 2014.
  16. ^ «Huawei MediaPad M1». Технические характеристики устройства. Архивировано из оригинал 29 апреля 2015 г.. Получено 14 марта 2014.
  17. ^ «Huawei Honor 6». Технические характеристики устройства. Архивировано из оригинал 27 июня 2014 г.. Получено 25 июн 2014.
  18. ^ «Производительность и характеристики процессора Huawei Ascend Mate 8 / Honor 7 Kirin 940/950». Архивировано из оригинал 16 марта 2015 г.. Получено 13 мая 2015.
  19. ^ «HUAWEI MediaPad M3 8.0». Huawei-Потребитель. Huawei. В архиве из оригинала от 20 ноября 2016 г.. Получено 18 января 2017.
  20. ^ «Кирин 955, Huawei P9, P9 Plus». В архиве из оригинала 9 апреля 2016 г.. Получено 7 апреля 2016.
  21. ^ «Huawei анонсирует HiSilicon Kirin 960: 4xA73 + 4xA53, G71MP8, CDMA». АнандТех. 19 октября 2016 г. В архиве из оригинала 20 октября 2016 г.. Получено 19 октября 2016.
  22. ^ Фрумусану, Андрей. «HiSilicon Kirin 970 - Обзор мощности и производительности Android SoC». www.anandtech.com. В архиве с оригинала 28 января 2019 г.. Получено 28 января 2019.
  23. ^ Катресс, Ян. «Cambricon, создатели Huawei Kirin NPU IP, создают большой ИИ-чип и карту PCIe». www.anandtech.com. В архиве с оригинала 28 января 2019 г.. Получено 28 января 2019.
  24. ^ Хинум, Клаус (12 октября 2018 г.). «ARM Mali-G76 MP10». Notebookcheck. В архиве из оригинала 4 декабря 2018 г.. Получено 3 декабря 2018.
  25. ^ "Кирин". www.hisilicon.com. В архиве из оригинала 2 октября 2019 г.. Получено 21 сентября 2019.
  26. ^ а б c d Катресс, доктор Ян. «Горячие фишки 31 Живые блоги: Архитектура Huawei Da Vinci». www.anandtech.com. В архиве с оригинала 21 августа 2019 г.. Получено 21 августа 2019.
  27. ^ а б c d "Балонг". www.hisilicon.com. В архиве из оригинала 4 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  28. ^ "HiSilicon выпускает передовой многорежимный чипсет LTE | HiSilicon". www.hisilicon.com. В архиве из оригинала 5 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  29. ^ «Huawei представляет первый в мире набор микросхем для модема с 8 антеннами 4.5G». www.hisilicon.com. В архиве из оригинала 17 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  30. ^ «Huawei запускает лучший в отрасли многорежимный набор микросхем 5G Balong 5000, чтобы возглавить эру 5G». www.hisilicon.com. В архиве из оригинала 5 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  31. ^ «Разборка Huawei Mate 20 X 5G». я чиню это. 25 июля 2019. В архиве из оригинала 27 июля 2019 г.. Получено 27 июля 2019.
  32. ^ а б С, Эми (7 сентября 2019 г.). «Kirin A1: первый в мире носимый чип Bluetooth 5.1 и Bluetooth с низким энергопотреблением 5.1». Huawei Central. В архиве из оригинала 21 сентября 2019 г.. Получено 21 сентября 2019.
  33. ^ «HUAWEI FreeBuds 3, Kirin A1, интеллектуальное шумоподавление | HUAWEI Global». consumer.huawei.com. В архиве из оригинала 21 сентября 2019 г.. Получено 21 сентября 2019.
  34. ^ а б c Катресс, Ян. «Усилия Huawei по серверу: Hi1620 и большое серверное ядро ​​Arm, Арес». www.anandtech.com. В архиве с оригинала 9 июня 2019 г.. Получено 4 мая 2019.
  35. ^ «Сбалансированный сервер TaiShan 2280 ─ Huawei Enterprise». Huawei Enterprise. Архивировано из оригинал 5 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  36. ^ "Сервер хранения TaiShan 5280". Huawei Enterprise. Архивировано из оригинал 5 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  37. ^ "Серверный узел TaiShan XA320 высокой плотности". Huawei Enterprise. Архивировано из оригинал 5 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  38. ^ "Сервер высокой плотности TaiShan X6000 ARM". Huawei Enterprise. Архивировано из оригинал 5 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  39. ^ «Huawei представляет самый высокопроизводительный в отрасли процессор на базе ARM, выводящий глобальные вычислительные мощности на новый уровень». www.hisilicon.com. В архиве из оригинала 4 мая 2019 г.. Получено 4 мая 2019.
  40. ^ «Сбалансированный сервер TaiShan 2280 V2 ─ Huawei Enterprise». Huawei Enterprise. Архивировано из оригинал 5 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  41. ^ «Сервер хранения TaiShan 5280 V2 ─ Huawei Enterprise». Huawei Enterprise. Архивировано из оригинал 5 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  42. ^ "Серверный узел TaiShan XA320 V2 высокой плотности". Huawei Enterprise. Архивировано из оригинал 5 мая 2019 г.. Получено 5 мая 2019.
  43. ^ а б c Шор, Дэвид (3 мая 2019 г.). «Huawei расширяет серверные процессоры Kunpeng, планирует SMT и SVE для следующего поколения». WikiChip Fuse. В архиве из оригинала 4 мая 2019 г.. Получено 4 мая 2019.
  44. ^ а б "gcc.gnu.org Git - gcc.git / blob - gcc / config / aarch64 / tsv110.md". gcc.gnu.org. Получено 13 июн 2019.
  45. ^ "Ascend | HiSilicon". www.hisilicon.com. В архиве из оригинала 4 мая 2019 г.. Получено 4 мая 2019.
  46. ^ Синхронизировано (10 октября 2018 г.). «Huawei делает шаг в сторону искусственного интеллекта; анонсирует мощные чипы и платформу машинного обучения». Средняя. В архиве из оригинала 4 мая 2019 г.. Получено 4 мая 2019.

внешние ссылки