Исаму Акасаки - Isamu Akasaki

Исаму Акасаки (赤 崎 勇, Акасаки Исаму, родился 30 января 1929 г.) японский инженер и физик, специализирующийся в области полупроводник технологии и Нобелевская премия лауреат, наиболее известный за изобретение ярких нитрид галлия (GaN ) p-n переход синий ВЕЛ в 1989 году, а затем и GaN-синий светодиод высокой яркости.[1][2][3][4][5]

За это и другие достижения Акасаки был награжден Киотская премия в передовых технологиях в 2009 г.,[6] и Медаль IEEE Эдисона в 2011.[7] Он также был удостоен Нобелевской премии по физике 2014 года вместе с Хироши Амано и Сюдзи Накамура,[8] «За изобретение эффективных синих светодиодов, сделавших возможным создание ярких и энергосберегающих источников белого света».

ранняя жизнь и образование

Исаму Акасаки

Рожден в Кагосима Префектура Акасаки окончила Киотский университет в 1952 г. и получил Доктор Эндж. степень в области Электроника из Нагойский университет в 1964 году. Во время учебы в колледже он посещал святыни и храмы, которые местные жители редко посещают, гулял по горам Синшу во время летних каникул, наслаждался уроками и наслаждался полноценной студенческой эрой.[9]

Исследование

Он начал работать над GaN на основе синих светодиодов в конце 1960-х гг. Шаг за шагом он улучшал качество кристаллов GaN и устройство структуры[10] в Matsushita Research Institute Tokyo, Inc. (MRIT), где он решил принять эпитаксия из паровой фазы металлоорганических соединений (MOVPE) как предпочтительный метод выращивания GaN.

В 1981 году он заново начал выращивание GaN с помощью MOVPE в Университете Нагоя, а в 1985 году он и его группа преуспели в выращивании высококачественного GaN на сапфировой подложке, впервые применив технологию низкотемпературного (LT) буферного слоя.[11][12]

Этот высококачественный GaN позволил им открыть GaN p-типа путем легирования магний (Mg) и последующая активация электронным облучением (1989 г.) для получения первого синего / УФ-светодиода на p-n-переходе GaN (1989 г.) и для достижения контроля проводимости GaN-типа n (1990 г.)[13] и родственные сплавы (1991)[14] путем легирования кремнием (Si), что позволяет использовать гетероструктуры и множественные квантовые ямы в конструкции и структуре более эффективных светоизлучающих структур с p-n-переходом.

Впервые они достигли стимулированного излучения GaN при комнатной температуре в 1990 г.[15] и разработал в 1995 году стимулированное излучение на 388 нм с инжекцией импульсного тока из высококачественного устройства с квантовыми ямами AlGaN / GaN / GaInN.[16] Они подтвердили квантовый размерный эффект (1991).[17] и квантово-ограниченный эффект Штарка (1997)[18] в нитридной системе, а в 2000 году теоретически показал ориентационную зависимость пьезоэлектрического поля и существование неполярных / полуполярных кристаллов GaN,[19] которые положили начало сегодняшним всемирным усилиям по выращиванию этих кристаллов для применения в более эффективных излучателях света.

Институт Акасаки Университета Нагоя

Институт Акасаки

Патенты Акасаки были созданы на основе этих изобретений, и патенты были вознаграждены в виде лицензионных отчислений. Институт Акасаки Университета Нагоя[20] открылся 20 октября 2006 г. Стоимость строительства института была покрыта за счет доходов университета от лицензионных отчислений, которые также использовались для широкого круга мероприятий в Университете Нагои. Институт состоит из светодиодной галереи для отображения истории исследований / разработок и применений синих светодиодов, офиса для сотрудничества в области исследований, лабораторий для инновационных исследований и офиса Акасаки на верхнем шестом этаже. Институт расположен в центре зоны сотрудничества в кампусе Хигасияма университета Нагоя.

Профессиональный рекорд

Акасаки работал научным сотрудником с 1952 по 1959 год в Kobe Kogyo Corporation (ныне Fujitsu Ltd.). В 1959 году он был научным сотрудником, доцентом и доцентом кафедры электроники Университета Нагоя до 1964 года. Позже, в 1964 году, он был руководителем лаборатории фундаментальных исследований в Matsushita Research Institute Tokyo, Inc. до 1974 года, а затем стал генеральный менеджер отдела полупроводников (в том же институте до 1981 г.). В 1981 г. он стал профессором кафедры электроники в университете Нагоя до 1992 г.

С 1987 по 1990 год он был руководителем проекта "Исследования и разработки синего светоизлучающего диода на основе GaN", спонсируемого Японским агентством по науке и технологиям (JST). Затем с 1993 года в качестве руководителя проекта "Исследования и разработки коротковолнового полупроводникового лазерного диода на основе GaN", спонсируемого JST, до 1999 года. Пока он работал руководителем проекта "Исследования и разработки коротковолнового полупроводника на основе GaN" Лазерный диод », он начал свою деятельность в 1995 году и до 1996 года в качестве приглашенного профессора Исследовательского центра интерфейсной квантовой электроники в Университете Хоккайдо. В 1996 году он был руководителем проекта Японского общества содействия науке (JSPS) в программе «Исследования будущего» до 2001 года. С 1996 года он начал как руководитель проекта «Центр высокотехнологичных исследований нитридов. Полупроводники »в Университете Мейджо, спонсируемого MEXT до 2004 года. С 2003 по 2006 год он был председателем« Стратегического комитета НИОКР по беспроводным устройствам на основе нитридных полупроводников », спонсируемого METI.

Он по-прежнему работает почетным профессором Нагойского университета, профессором Университет Мейджо с 1992 года. Также с 2004 года работал директором Исследовательского центра нитридных полупроводников в Университете Мейджо. С 2001 года все еще работал научным сотрудником в исследовательском центре Акасаки Университета Нагоя.

Почести и награды

Научно-академический

  • 1989 - Премия Японской ассоциации роста кристаллов (JACG)
  • 1991 - Приз культуры Чу-Ничи[21]
  • 1994 - Награда за вклад в развитие технологий Японской ассоциации выращивания кристаллов в ознаменование ее 20-летия
  • 1995 - Золотая медаль Генриха Велькера, Международный симпозиум по полупроводниковым соединениям
  • 1996 - Премия за инженерные достижения, Институт инженеров по электротехнике и электронике / Общество электрооптики лазеров
  • 1998 - Премия Иноуэ Харусигэ, Японское агентство науки и технологий
  • 1998 – Приз C&C, корпорация Nippon Electric Company[22]
  • 1998 - Премия Лаудиса Международной организации по выращиванию кристаллов[23]
  • 1998 - Премия Джека А. Мортона, Институт инженеров по электротехнике и электронике[24]
  • 1998 – Ранг Приз, Фонд ранговых премий[25]
  • 1999 г. - научный сотрудник Института инженеров по электротехнике и радиоэлектронике.[26]
  • 1999 – Медаль Гордона Э. Мура за выдающиеся достижения в области науки и технологий твердого тела, Электрохимическое общество[27]
  • 1999 - Докторантура Honoris Causa, Университет Монпелье II
  • 1999 - Премия Toray Science and Technology, Фонд Toray Science Foundation[28]
  • 2001 – Приз Асахи, Культурный фонд Асахи Синбун[29]
  • 2001 - Докторантура Honoris Causa, Университет Линчёпинга
  • 2002 - Премия Японского общества прикладной физики за выдающиеся достижения
  • 2002 – Премия Фуджихара, Научный фонд Фуджихара[30]
  • 2002 – Премия Такеда, Фонд Такеда[31]
  • 2003 - Президентская премия Научного совета Японии (SCJ)[32]
  • 2003 - Премия за твердотельные устройства и материалы (SSDM)
  • 2004 - Премия Tokai TV Culture Prize
  • 2004 г. - профессор университета Нагоя.
  • 2006 – Премия Джона Бардина, Общество минералов, металлов и материалов[33]
  • 2006 - Премия за выдающиеся достижения, Японская ассоциация выращивания кристаллов.
  • 2007 - Почетная награда за выслугу лет, 162-й комитет по исследованиям полупроводниковых фотонных и электронных устройств с широкой запрещенной зоной, Японское общество содействия науке (JSPS)
  • 2008 г. - иностранный научный сотрудник Национальной инженерной академии США.[34]
  • 2009 – Киотская премия Передовые технологии, Фонд Инамори[35]
  • 2010 г. - пожизненный профессор Университета Мейджо
  • 2011 – Медаль Эдисона, Институт инженеров по электротехнике и радиоэлектронике[7]
  • 2011 - Специальная награда за деятельность в области интеллектуальной собственности, Японское агентство науки и технологий
  • 2011 - почетный приз Minami-Nippon Culture Prize
  • 2014 – Нобелевская премия по физике вместе с проф. Хироши Амано и проф. Сюдзи Накамура[8]
  • 2015 – Приз Чарльза Старка Дрейпера
  • 2015 – Премия Asia Game Changer[36]

Национальный

Акасаки получил Орден Культуры. После этого они позировали фото. (в Восточном саду Императорский дворец в Токио 3 ноября 2011 г.)

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ «Японский журнал прикладной физики». Jsap.jp. Архивировано из оригинал 22 июля 2012 г.. Получено 2015-11-10.
  2. ^ «Японский журнал прикладной физики». jsap.jp. Архивировано из оригинал 18 апреля 2012 г.. Получено 2015-11-10.
  3. ^ Амано, Хироши; Кито, Масахиро; Хирамацу, Казумаса; Акасаки, Исаму (1989-12-20). «Проводимость P-типа в GaN, легированном магнием, обработанном низкоэнергетическим электронным пучком (LEEBI)». Японский журнал прикладной физики. Японское общество прикладной физики. 28 (Часть 2, № 12): L2112 – L2114. Bibcode:1989JaJAP..28L2112A. Дои:10.1143 / jjap.28.l2112. ISSN  0021-4922.
  4. ^ Исаму Акасаки; Хироши Амано; Масахиро Кито; Казумаса Хирамацу (1991). «Фотолюминесценция GaN p-типа, легированного магнием, и электролюминесценция светодиода на p-n-переходе GaN». Журнал Люминесценции. Elsevier BV. 48-49: 666–670. Bibcode:1991JLum ... 48..666A. Дои:10.1016 / 0022-2313 (91) 90215-ч. ISSN  0022-2313.
  5. ^ Исаму Акасаки, Хироши Амано, Кенджи Ито, Норикацу Коиде и Кацухиде Манабэ: "Устройства, излучающие УФ / синий свет на основе GaN", Inst. Phys. Конф. Сер. No 129, с. 851-856, 1992 г.
  6. ^ «ИНАМОРИ ФОНД». Inamori-f.or.jp. Архивировано из оригинал 4 марта 2016 г.. Получено 10 ноября, 2015.
  7. ^ а б «Получатели медали за обработку сигналов по стандарту IEEE Джека С. Килби» (PDF). IEEE. Получено 15 апреля, 2012.
  8. ^ а б «Нобелевская премия по физике 2014 года - пресс-релиз». Nobelprize.org. Nobel Media AB 2014. Получено 7 октября, 2014.
  9. ^ http://www.kyoto-u.ac.jp/ja/about/history/honor/award_b/nobel/2015/akasaki/interview.html ノ ー ベ ル 物理学 賞 受 賞 者 﨑 博士 と 京都 大学 - 大学 時代 に た 研究者 の 芽 -
  10. ^ Ю. Оки, Ю. Тойода, Х. Кобаяси и И. Акасаки: "Изготовление и свойства практичного GaN-диода с синим излучающим синим светом. Конференция Института физики, сер. № 63, стр. 479-484 (Proc. 9-го Международного симпозиума по арсениду галлия и родственным соединениям, 1981 г.).
  11. ^ Amano, H .; Sawaki, N .; Акасаки, I .; Тойода, Ю. (1986-02-03). «Эпитаксиальный рост металлоорганической паровой фазы пленки GaN высокого качества с использованием буферного слоя AlN». Письма по прикладной физике. Издательство AIP. 48 (5): 353–355. Bibcode:1986АпФЛ..48..353А. Дои:10.1063/1.96549. ISSN  0003-6951.
  12. ^ Акасаки, Исаму; Амано, Хироши; Коидэ, Ясуо; Хирамацу, Казумаса; Саваки, Нобухико (1989). «Влияние буферного слоя на кристаллографическую структуру, а также на электрические и оптические свойства GaN и Ga.1-хAlИксПленки N (0 Журнал роста кристаллов. Elsevier BV. 98 (1–2): 209–219. Дои:10.1016/0022-0248(89)90200-5. ISSN  0022-0248.
  13. ^ Х. Амано и И. Акасаки: "Изготовление и свойства GaN p-n-переходного светодиода", Mater. Res. Soc. Extended Abstract (EA-21), стр. 165-168, 1990, (Fall Meeting 1989).
  14. ^ Мураками, Хироши; Асахи, Цунэмори; Амано, Хироши; Хирамацу, Казумаса; Саваки, Нобухико; Акасаки, Исаму (1991). "Рост легированного кремнием AlИксGa1 – xN на сапфировой подложке (0001) методом газофазной эпитаксии металлоорганических соединений ». Журнал роста кристаллов. Elsevier BV. 115 (1–4): 648–651. Bibcode:1991JCrGr.115..648M. Дои:10.1016 / 0022-0248 (91) 90820-у. ISSN  0022-0248.
  15. ^ Амано, Хироши; Асахи, Цунэмори; Акасаки, Исаму (20 февраля 1990). «Вынужденное излучение в ближнем ультрафиолете при комнатной температуре из пленки GaN, выращенной на сапфире методом MOVPE с использованием буферного слоя AlN». Японский журнал прикладной физики. Японское общество прикладной физики. 29 (Часть 2, №2): L205 – L206. Bibcode:1990JaJAP..29L.205A. Дои:10.1143 / jjap.29.l205. ISSN  0021-4922.
  16. ^ Акасаки, Исаму; Амано, Хироши; Сота, Сигетоши; Сакаи, Хиромицу; Танака, Тошиюки; Койке, Масаёши (1995-11-01). «Вынужденное излучение путем закачки тока из устройства квантовой ямы AlGaN / GaN / GaInN». Японский журнал прикладной физики. Японское общество прикладной физики. 34 (11B): L1517 – L1519. Bibcode:1995JaJAP..34L1517A. Дои:10.7567 / jjap.34.l1517. ISSN  0021-4922.
  17. ^ Ито, Кенджи; Кавамото, Такеши; Амано, Хироши; Хирамацу, Казумаса; Акасаки, Исаму (1991-09-15). «Эпитаксиальный рост из паровой фазы металлоорганических соединений и свойства слоистых структур GaN / Al0.1Ga0.9N». Японский журнал прикладной физики. Японское общество прикладной физики. 30 (Часть 1, № 9А): 1924–1927. Bibcode:1991ЯЯП..30.1924И. Дои:10.1143 / jjap.30.1924. ISSN  0021-4922.
  18. ^ Такеучи, Тэцуя; Сота, Сигетоши; Кацурагава, Маки; Комори, Михо; Такеучи, Хидео; Амано, Хироши; Акасаки, Исаму (1 апреля 1997 г.). «Квантово-ограниченный эффект Штарка из-за пьезоэлектрических полей в напряженных квантовых ямах GaInN». Японский журнал прикладной физики. Японское общество прикладной физики. 36 (Часть 2, № 4А): L382 – L385. Bibcode:1997JaJAP..36L.382T. Дои:10.1143 / jjap.36.l382. ISSN  0021-4922.
  19. ^ Такеучи, Тэцуя; Амано, Хироши; Акасаки, Исаму (2000-02-15). «Теоретическое исследование ориентационной зависимости пьезоэлектрических эффектов в деформированных вюрцитом гетероструктурах GaInN / GaN и квантовых ямах». Японский журнал прикладной физики. Японское общество прикладной физики. 39 (Часть 1, № 2А): 413–416. Bibcode:2000ЯЯП..39..413Т. Дои:10.1143 / jjap.39.413. ISSN  0021-4922.
  20. ^ [1] В архиве 17 октября 2012 г. Wayback Machine
  21. ^ "中 日 文化 賞". 中 日 新聞 CHUNICHI Web.
  22. ^ "NEC: выпуск новостей 98/11 / 04-01". Nec.co.jp. Получено 2015-11-10.
  23. ^ «Международная организация по выращиванию кристаллов». Iocg.org. Получено 2015-11-10.
  24. ^ (PDF) https://web.archive.org/web/20141013182218/http://www.ieee.org/documents/morton_rl.pdf. Архивировано из оригинал (PDF) 13 октября 2014 г.. Получено 7 января, 2014. Отсутствует или пусто | название = (помощь)
  25. ^ [2] В архиве 13 декабря 2012 г. Wayback Machine
  26. ^ https://web.archive.org/web/20121226163602/http://www.ieee.org/membership_services/membership/fellows/chronology/fellows_1999.html. Архивировано из оригинал 26 декабря 2012 г.. Получено 23 февраля, 2013. Отсутствует или пусто | название = (помощь)
  27. ^ «Премия ECS SSS&T». Electrochem.org. Архивировано из оригинал 12 октября 2014 г.. Получено 2015-11-10.
  28. ^ «Премия Toray Science and Technology: список победителей». Toray.com. Получено 2015-11-10.
  29. ^ Компания Асахи Симбун. "Компания Asahi Shimbun - Приз Asahi - английская информация". Asahi.com. Получено 2015-11-10.
  30. ^ «Архивная копия». Архивировано из оригинал 11 апреля 2013 г.. Получено 1 марта, 2013.CS1 maint: заархивированная копия как заголовок (связь)
  31. ^ «Социально-экономическое благополучие: технические достижения: разработка полупроводниковых устройств, излучающих синий свет. Разработка синего светоизлучающего диода и лазерного диода является последним звеном в создании светового спектра для полупроводниковых устройств». Takeda-foundation.jp. Получено 2015-11-10.
  32. ^ «ИПД - О ИПД». Interacademies.net. Получено 2015-11-10.
  33. ^ «Получатель: Премия Джона Бардина 2006 г.». Tms.org. Архивировано из оригинал 4 марта 2016 г.. Получено 10 ноября, 2015.
  34. ^ "Веб-сайт NAE - Доктор Исаму Акасаки". Nae.edu. Получено 2015-11-10.
  35. ^ «ИНАМОРИ ФОНД». Inamori-f.or.jp. Архивировано из оригинал 4 марта 2016 г.. Получено 10 ноября, 2015.
  36. ^ «Чанда Кочхар среди трех индийцев получает награды Asia Game Changer». The Economic Times. 16 сентября 2015 года. В архиве с оригинала 21 сентября 2015 г.. Получено 28 октября, 2020.
  37. ^ «Виды медалей». cao.go.jp.
  38. ^ «Приказы восходящего солнца». Cao.go.jp. Получено 2015-11-10.
  39. ^ «Орден Культуры». Cao.go.jp. Получено 2015-11-10.
  40. ^ «Архивная копия». Архивировано из оригинал 11 апреля 2013 г.. Получено 1 марта, 2013.CS1 maint: заархивированная копия как заголовок (связь)
  41. ^ "M͎͎". Nifty.com. Архивировано из оригинал 13 сентября 2016 г.. Получено 10 ноября, 2015.

дальнейшее чтение

  • Аналитика и предпринимательство в ФОТОНИЧЕСКИЕ СПЕКТРЫ, 54, ноябрь 2004 г.
  • Материалы симпозиума Общества исследования материалов, Том 639 (2000), страницы xxiii - xxv

внешняя ссылка