Pro Electron - Pro Electron

Pro Electron или же ВЕЦА это европейская система обозначения и регистрации типов для активные компоненты (Такие как полупроводники, жидкокристаллические дисплеи, сенсорные устройства, электронные лампы и электронно-лучевые трубки ).

Pro Electron был основан в 1966 году в г. Брюссель, Бельгия. В 1983 году он был объединен с Европейская ассоциация производителей электронных компонентов (ВЕЦА) и с тех пор действует как агентство ВЕЦА.

Цель Pro Electron - обеспечить однозначную идентификацию электронных компонентов, даже если они изготовлены несколькими разными производителями. Для этого производители регистрируют новые устройства в агентстве и получают для них новые обозначения типов.

Система обозначений

Примеры обозначений типа Pro Electron:

Pro Electron взял популярную европейскую систему кодирования, которая использовалась примерно с 1934 года для клапанов (трубы ), т.е. Обозначение трубки Малларда – Филипса, и по существу перераспределение некоторых из редко используемых обозначений нагревателей (первая буква номера детали) для полупроводников. Вторая буква использовалась аналогично соглашению об именах вентилей: «A» для сигнального диода, «C» для биполярного транзистора или триода малой мощности, «D» для транзистора (или триода) большой мощности и «Y». "для выпрямителя, но другие буквенные обозначения не так точно следовали режиму вакуумной лампы.

Три цифры (или буква, за которой следуют две цифры) после первых двух букв были, по сути, порядковым номером, с (сначала) пережитком соглашения эпохи клапанов, что первые одна или две цифры будут указывать на базовый тип (упаковки). в таких примерах, как в этом семействе транзисторов общего назначения:

УпаковкаNPNPNP
ТО-18BC10xBC17x
LockfitBC14xBC15x
ТО-92BC54xBC55x

... где x может быть:

  • 7 для высокого напряжения
  • 8 общего назначения
  • 9 для низкого шума / высокого усиления

Именование Pro Electron для транзисторов и стабилитронов широко используется производителями полупроводников во всем мире. Pro Electron именование интегральные схемы, за исключением некоторых специальных микросхем (например, обработки телевизионных сигналов), не получили широкого распространения (даже в Европе). Для многих интегральных схем использовались и другие популярные системы обозначений.

Различия между Pro Electron и более ранними соглашениями об именах клапанов

  • В отличие от соглашения об именах ламп, если есть два транзистора в одной оболочке, буква типа никогда не повторялась, поэтому двойной транзистор NPN RF может иметь тип «BFM505», а не что-то вроде «BFF505», например.
  • Хотя некоторые из самых популярных устройств соответствуют шаблону серийных номеров, которые определяют тип корпуса и полярность, многие этого не делают.
  • Буквы, присвоенные второму символу номеров типов транзисторов и диодов, различаются по-разному, например:
    • "B" обычно используется для двойного варикап диоды
    • «L» в контексте транзисторов обозначает силовые (передающие) ВЧ транзисторы; для клапанов это означало мощную пентодную трубку (обычный выбор для мощных ВЧ)
    • "Z" используется для полупроводниковых стабилитронов вместо (двухполупериодных) выпрямительных вентилей (трубы ).

Часто используемые первые буквы в европейских активных устройствах

    • А Германий (или любой полупроводник с переходами в материале с шириной запрещенной зоны от 0,6 до 1,0 эВ)
    • B Кремний (или запрещенная зона от 1,0 до 1,3 эВ)
    • C III -V полупроводники с шириной запрещенной зоны 1,3 эВ или более, например арсенид галлия в Светодиоды
    • D может быть...
    • E (Mullard – Philips) лампы с нагревателем 6,3 В
    • F Цифровые интегральные схемы
    • п (Mullard – Philips) трубки для источника питания нагревателя серии 300 мА
    • р Устройства без стыков, например сульфид кадмия в фоторезистор
    • S Уединенные цифровые интегральные схемы
    • Т Линейные интегральные схемы
    • U может быть...
      • (Mullard – Philips) трубки для источника питания нагревателя серии 100 мА, или же
      • Смешанные цифровые / аналоговые интегральные схемы

Электронные лампы

    ECC81   /   __ последняя цифра (и) дает серийный номер /   __ первая цифра (и) указывает основание (3 = восьмеричное, 8 или 18 или 80 =Новаль (B9A), 9=Миниатюрный 7-контактный (B7G). /  ___ одна буква на блок клапанов в трубке: D = 1,4 В или меньше A = одинарный диод (малой мощности) E = 6,3 В * B = двойной диод (обычно общий катод, но не всегда) P = 300 мА C = триод U = 100 мА F = пентод (низкая мощность) L = пентод (высокая мощность) Y = однофазный выпрямитель Z = двухполупериодный выпрямитель * Примечание: некоторые типы нагревателей на 6,3 В имеют разделенный нагреватель, позволяющий последовательно ( 12,6 вольт; значение по умолчанию для Новаль контакты с 4 по 5) или в параллельном (6,3 В) режиме.

Полупроводниковые диоды и транзисторы

Первая буква обозначает тип полупроводника.

(см. выше)

Вторая буква обозначает предполагаемое использование

2-я букваиспользованиеПример
АМаломощный / малосигнальный диодAA119, BA121
BВарикап диодBB105G
CТранзистор слабого сигнала, RthG> 15K / ВтBC546C
DМощный низкочастотный силовой транзистор, RthG ≤ 15K / ВтBD139
EТуннельный (Esaki-) диодAE100
FМалая мощность, РФ (высокая частота) биполярный или же FET, РthG> 15K / ВтBF245
граммГибридное устройствоBGY32, BGY585
ЧАСДатчик холла / диод
LВысокочастотный мощный транзистор (для передатчиков), RthG ≤ 15K / ВтBLW34
MКольцевой модулятор -тип частотный смеситель
NОптоизолятор17 юаней
пДетектор излучения (фотодиод, фототранзистор )BPW34
QГенератор излучения (ВЕЛ )CQY99
рУстройство управления или переключения малой мощности: тиристоры, диаки, симисторы, UJTs, программируемые однопереходные транзисторы (PUT), кремниевый двунаправленный переключатель (SBS), опто-симисторы и т. д.BR100
SМаломощный переключающий транзистор, биполярный или МОП-транзистор, РthG> 15K / ВтBS170
ТУстройство управления или переключения большой мощности: тиристоры, ТРИАК, кремниевый двунаправленный переключатель (SBS) и т. д.BT138
UИмпульсные транзисторы большой мощности, биполярные или МОП-транзистор, РthG ≤ 15K / ВтBU508, BUZ11
VАнтенна
WУстройство поверхностно-акустических волн
ИксУмножитель частоты: варактор, ступенчатый диод восстановления
YВыпрямительный диод большой мощностиBY228
ZЛавина, TVS, Зинер диодBZY91

Серийный номер

За этими двумя буквами следует трех- или четырехзначный серийный номер (или другая буква, а затем цифры), присвоенный Pro Electron. Это не всегда просто порядковый номер; иногда в числе передается информация:

  • Только в ранних устройствах серийный номер часто указывал на тип корпуса / корпуса (например, AF114-7 для корпуса TO-5, а AF124-7 были версиями TO-72 тех же транзисторов); современные устройства для поверхностного монтажа часто начинаются с цифры «8»,
  • Первые кремниевые транзисторы следовали соглашению об использовании средней цифры 0-5 для NPN и 6-9 для PNP.
  • последняя цифра часто указывает на конкретную спецификацию или группу приложений, например AF117 и AF127 были аналогичными усилителями ПЧ в разных случаях; BC109, BC149, BC169 и BC549 - аналогичные малошумящие транзисторы).
  • некоторые современные устройства используют буквы, такие как «B», для обозначения биполярных транзисторов HBT.[1]

Суффиксы и спецификаторы версии

Могут использоваться суффиксы, буквы или, возможно, блоки цифр, разделенные «/» или «-» от серийного номера, часто без фиксированного значения, но некоторые из наиболее распространенных соглашений:

  • для малосигнальных транзисторов "A" - "C" часто означает низкий или высокий hFE, например: BC549C[2]),
  • числовые суффиксы могут использоваться как альтернативный способ показать hFE (например, BC327-25) или номинальное напряжение (например, BUK854-800A[3]).
  • для опорных диодов напряжения буквы обозначают допуск («A», «B», «C», «D», «E» обозначают 1% / 2% / 5% / 10 * / 20%) и могут сопровождаться Vz значение, например 6V8 для 6,8 В или 18 В для 18 В.
  • «R» может означать «обратная полярность».

Примеры суффиксов и расширений производителей к основному порядковому номеру включают:

Префиксный классиспользованиеПримерПримечания
ACГерманий малосигнальный транзисторAC127 / 01АК127 (корпус ТО-1) со встроенным теплопроводным блоком
AFГерманий РФ транзисторAFY40Rпорядковый номер "Y40" подразумевает промышленное использование,
"R" указывает на сокращенные характеристики
до н.эКремниевый, малосигнальный транзистор («allround» или «G.P.»)BC183LB"L" указывает распиновку базы-коллектора-эмиттера, а
суффикс "B" указывает на средний прирост (240-500 ч.FE) выбор
до н.эКремниевый, малосигнальный транзисторBC337-25-25 означает чFE около 250 (диапазон 140-400)
BDСиловой транзистор на кремниевой паре ДарлингтонаBDT60Bсуффикс "B" здесь указывает на среднее напряжение (-100 ВCBO)
BFКремний РФ (высокая частота) BJT или же FETBF493SBF493 с -350 ВИсполнительный директор рейтинг
BLКремний высокочастотный, высокомощный (для передатчиков)BLY49ABLY49 в кейсе TO-66
BSКремниевый переключающий транзистор, биполярный или МОП-транзистор )BSV52LT1Корпус SOT-23 (поверхностный монтаж)
BTКремниевый тиристор или TRIACBT138 / 800TRIAC с номиналом 800 В
BUКремний высоковольтный (для ЭЛТ схемы горизонтального отклонения)BU508DBU508 со встроенным демпферным диодом
BZКремниевый стабилизатор (стабилитрон) диодBZY88-C5V6«C» означает допуск 5%, «5V6» означает 5,6Вz

Примечание: BC546 может иметь маркировку «C546» только некоторыми производителями, что может создавать путаницу с сокращенной маркировкой JIS, поскольку транзистор с маркировкой «C546» также может быть 2SC546.

Краткое описание наиболее распространенных обозначений полупроводниковых диодов и транзисторов:

      BC549C / | ---  ___ вариант (A, B, C для транзисторов подразумевает низкий, средний или высокий коэффициент усиления) / |  ____ серийный номер (минимум 3 цифры или буквы и 2 цифры) / тип устройства: A = Ge A = сигнальный диод B = Si C = низкочастотный транзистор малой мощности D = низкочастотный транзистор F = высокочастотный транзистор (или полевой транзистор) P = Фоточувствительный транзистор и т. Д. T = симистор или тиристор Y = выпрямительный диод Z = стабилитрон

Использование в Восточном блоке

Польша, Венгрия, Румыния, а Куба в основном использовала обозначения Pro Electron для дискретных полупроводников, как и Западная Европа. Комбинат Микроэлектроник Эрфурт (KME) в Восточная Германия и Tesla (чехословацкая компания) использованы обозначения, полученные из схемы Pro Electron. В частности, первая буква, обозначающая материал, отличалась, тогда как вторая буква следовала за таблицей выше (за некоторыми исключениями для KME, указанными ниже).[4]

Материал1-я буква Pro Electron1-я буква KME Восточная Германия1-я буква Тесла
ГерманийАграммграмм
КремнийBSK
Составные материалы (GaAs и др.)CVL
Несколько материалов (например, Si + GaAs)CM—
2-я букваKME Восточная Германия использование
BОптоизолятор (варикапы были включены с другими диодами под литерой А)
MMOSFET (Pro Electron включает полевые МОП-транзисторы буквами C, D, F, L, S, U)
WДатчики, кроме детекторов излучения

Примеры: GD241C - Германиевый силовой транзистор от КМЕ; MB111 - оптоизолятор от КМЕ; KD503 - Кремниевый силовой транзистор от Tesla; LQ100 - Светодиод от Tesla.

Интегральные схемы

  • Линейные ИС начинаются с буквы «Т», например Ограничитель-усилитель TAA570 и FM-детектор.
  • Логические ИС начинаются с буквы «F».
  • Смешанные аналоговые / цифровые ИС начинаются с буквы «U», например Светодиодный барграф UAA180 ОБЪЯВЛЕНИЕ и водитель.
   FCH171 //   __ серийный номер, указывает количество и тип ворот, например //  ___ H = ворота ("Комбинаторная схема") J = триггер K = моностабильный Q =баран R =ПЗУ и т. д. FC =DTL FD =MOS FJ =TTL

К сожалению, серийный номер не указывает на один и тот же тип ворот в каждой семье, например в то время как FJH131 - четырехканальный 2-входной Ворота NAND (словно 7400 ), FCH131 - это двойной логический элемент И-НЕ с 4 входами.[1]

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ а б «Европейская система кодовых обозначений для электронных компонентов» (PDF) (16-е изд.). Pro Electron, Брюссель, Бельгия. Июль 2010 г.. Получено 2018-02-06.
  2. ^ Техническое описание BC549 с группировками усиления A, B и C
  3. ^ лист данных на BUK854-800A (800 В IGBT)
  4. ^ TGL 38015: Halbleiterbauelemente; Diskrete Halbleiterbauelemente und integrierte Halbleiterschaltkreise; Bildung der Typbezeichnung und Gestaltung der Typkennzeichnung [TGL 38015: Полупроводниковые приборы; Дискретные полупроводниковые приборы и интегральные полупроводниковые схемы; Формирование типового обозначения и маркировки] (PDF) (на немецком). Лейпциг: Verlag für Standardisierung. Май 1986 г.. Получено 2017-12-02.

внешняя ссылка