Кристофер Сноуден - Christopher Snowden

Не путать с Кристофер Сноудон.

Сэр Кристофер Максвелл Сноуден, ФРС, FIET (1956 г.р.) - британец Инженер по электронике и академический. Он бывший Вице-канцлер из Суррейский университет (С 2005 по 2015 год) и Саутгемптонский университет (2015-2019). Он был президентом Университеты Великобритании на двухлетний срок до 31 июля 2015 г.[1][2] и в настоящее время является председателем Фонд ЭРА.[3]

биография

Ранняя карьера

Сноуден изучал электронику и электротехнику в Университет Лидса, получив Бакалавр в 1977 г. Магистр и кандидат наук в 1982 году. Его докторская степень была связана с микроволновыми генераторами для радарных приложений и моделирования полупроводниковых устройств. Свою кандидатскую диссертацию он проводил в ООО «Ракал-МЕСЛ», Эдинбург в Шотландия а также на Университет Лидса.[4]

Он был инженером по прикладным программам в Mullard Applications Laboratory с 1977 по 1978 год. Читал лекции на кафедре электроники в Йоркский университет с 1982-83 гг. С 1983 по 2005 год он был сотрудником Университета Лидса, его бывшей альма матер, работал на кафедре электротехники и электроники, а в 1992 году стал профессором микроволновой техники. В 1995–1998 годах он возглавлял школу и какое-то время был начальником Bodington Hall. В то время как в Лидсе он был основателем Института микроволнового излучения и фотоники. Под его руководством было подготовлено 50 докторантов.[5] Он также работал в M / A-COM в США с 1989 по 1991 год в качестве старшего научного сотрудника в Центре корпоративных исследований и разработок, расположенном недалеко от Бостона.

В 1998 году он был назначен в совет директоров Filtronic plc в качестве исполнительного директора по технологиям, где он основал Global Technology Group. Впоследствии в 1999 году он был назначен совместным исполнительным директором Filtronic plc. По мере роста компании в 2001 году он стал главным исполнительным директором Filtronic ICS.

Он также был приглашенным профессором в Даремский университет до 2005 г. и приглашенным ученым в Делфтский технологический университет с 1996-98 гг.

Университет Суррея

Сноуден был президентом и вице-канцлером Университет Суррея с 2005 по 2015 гг.

В 2009 году он объявил о 65 сокращениях рабочих мест, всего через несколько недель после того, как университет объявил, что выиграл тендер на финансирование в размере 600 000 фунтов стерлингов, чтобы помочь людям, рискующим потерять работу во время рецессии.[6] Позже его раскритиковали за предложение дальнейшего сокращения рабочих мест, несмотря на то, что в то время университет имел излишек в 4 миллиона фунтов стерлингов.[7] Под его руководством Суррей рассмотрел вопрос о введении метрического измерения производительности персонала на основе количества студентов, достигших 60% или выше.[8] и позже рассмотрел новый порог, которого сотрудники должны были достичь при оценке студентов (3,8 / 5), чтобы избежать особых мер, что побудило УКУ рассмотреть вопрос о вотуме недоверия Сноудену.[9]

Университет занял 4 место в 2016 г. Хранитель Таблица университетов[10] поднявшись с 6-го места в 2015 году.[11] Суррей был назван университетом года в The Times и Sunday Times Good University Guide 2016. Он занял первое место в категориях «Лучшее преподавание» и «Лучший опыт студентов».[12] И это несмотря на продолжающийся спор со студентами и УКУ над сокращениями через университет.[13][14]

Университеты Великобритании

Сноуден был президентом 134 членов[15] Группа университетов Великобритании (UUK), с 1 августа 2013 г. по 31 июля 2015 г.[1] Он преуспел Эрик Томас, вице-канцлер Бристольский университет и его сменил Дама Джулия Гудфеллоу.[2] С ноября 2012 года по август 2013 года Сноуден занимал одну из должностей вице-президента UUK, представляя Англию и Северную Ирландию, а с 2009 по 2011 год он возглавлял их Комитет по вопросам занятости, деловой и промышленной политики.

Саутгемптонский университет

20 марта 2015 г. Саутгемптонский университет объявил[16] что Сноуден станет его новым вице-канцлером после выхода на пенсию профессора Дон Нутбим, действие, которое вступило в силу с октября 2015 года.

В 2017 году Сноуден возглавил крупнейшую инвестиционную программу за 155-летнюю историю Саутгемптона с планом инвестировать более 600 миллионов фунтов стерлингов в течение следующего десятилетия. Для этого университет привлек облигацию на сумму 300 миллионов фунтов стерлингов.[17]

В июне 2017 года Сноуден выступил против Система педагогического мастерства который дал Саутгемптонскому университету бронзовую оценку, назвав его «фундаментально несовершенным» и «не имеющим ценности или доверия».[18]

В 2018 году Саутгемптонский университет получил Серебряный рейтинг,[19] Сноуден выступил с заявлением, в котором поблагодарил тех, кто внес свой вклад в учебное заведение, и заявил, что рейтинг является для студентов гарантией того, что их опыт в Саутгемптонском университете приведет к отличным результатам обучения.[20]

Сноуден ушел со своей должности в Саутгемптоне весной 2019 года. Его сменил на посту вице-канцлера профессор Марк Смит.[21]

Критика зарплаты

С июня 2017 года зарплата Сноудена стала частью широко обсуждаемых в Великобритании дебатов о зарплате вице-канцлера, которые начались с критики заработной платы Дама Глиннис Брейквелл Вице-канцлер Университет Бата. Заработная плата Сноудена в размере 433000 фунтов стерлингов была одной из самых высоких в секторе высшего образования Великобритании и вызвала особую критику со стороны тогдашнего министра университетов. Джо Джонсон[22][23] и коллега по труду Лорд Адонис.[24] В марте 2018 года The Guardian в статье о заработной плате вице-канцлеров Великобритании подчеркнула, что зарплата Сноудена как главы Саутгемптонского университета была выше, чем у руководителей Городской совет Саутгемптона (166 786 фунтов стерлингов) или Университетская больница Саутгемптона Фонд NHS Foundation Trust (£195,000)[25]

Была дополнительная критика значительного повышения заработной платы, в том числе со стороны генерального секретаря УКУ. Салли Хант.[26] Однако позже это было разъяснено как разница между оплатой Сноудена за первые 10 месяцев его работы в 2015–2016 годах и его зарплатой за первые полные 12 месяцев работы в 2016–17 учебном году.[27]

Председатель Совета Саутгемптонского университета Джилл Райдер заявил, что уровень вознаграждения Сноудена отражает его опыт.[28]

Исследование

Научные интересы Сноудена находятся в области микроволновых, миллиметровых волн и оптоэлектронных устройств и схем. Он был пионером в применении численных физических моделей устройств для всестороннего описания переноса электронов при работе микроволновых транзисторов и, в частности, для исследования свойств взаимодействия устройства и схемы. Это позволило значительно улучшить и оптимизировать конструкции транзисторов. Эта работа была особо отмечена на его избрании членом Королевского общества.[29] и как член IEEE.

Его ранние работы были сосредоточены на двумерном численном моделировании. В частности, он работал над эффектами горячих электронов в полевых транзисторах с коротким затвором (FET), где он показал, что высокоэнергетические электроны в подложках транзисторов вносят значительный вклад в ток проводимости.[30] Он также внес вклад в разработку новых моделей нелинейных лазерных диодов, которые нашли особое применение в новых системах связи с высокой скоростью передачи данных.[31][32]

В середине 1980-х вместе с коллегами из университетов Лилля и Дуйсбурга он исследовал потенциал нового класса физических моделей, который стал известен как квазидвумерный (Q2D) подход.[33] Было показано, что это чрезвычайно эффективно при моделировании полевых транзисторов, таких как популярный металлический полупроводниковый полевой транзистор (MESFET). Было показано, что модели Сноудена обладают способностью точно прогнозировать характеристики постоянного и радиочастотного сигналов на основе физической геометрии и свойств материала, доступных из производственных данных.[34] Более того, модель Q2D может быть решена более чем в 1000 раз быстрее, чем полные двухмерные модели, что делает ее пригодной для приложений автоматизированного проектирования.[35][36] Эти модели широко использовались во всем мире в промышленности и академических кругах. Эти модели использовались для разработки высокопроизводительных СВЧ-транзисторов с хорошо предсказуемыми характеристиками, которые в дальнейшем производились в больших количествах несколькими компаниями. Одним из наиболее успешных был СВЧ-транзистор с импульсным легированием, который достиг высокого напряжения пробоя и особенно хорошо подходил для массового производства.[37]

В период с 1995 по 2005 год Сноуден применил эту технику к транзисторам с высокой подвижностью электронов (HEMT), используя высокоэффективные модели квантового управления зарядом.[38] Было показано, что это эффективный метод моделирования и конструирования HEMT AlGaAs / GaAs и важных псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMT) на основе систем InGaAs / GaAs. Новые конструкции силовых pHEMT (некоторые с мощностью более 100 Вт на 2 ГГц) были разработаны и изготовлены с использованием этих знаний, которые позволили достичь высоких пробивных напряжений при сохранении отличного усиления сигнала на микроволновых частотах.[39] pHEMT широко используются в приложениях связи, и многие миллиарды схем, основанных на интегральных схемах pHEMT, используются в таких продуктах, как мобильные телефоны, радары и спутниковые приемники.[40] Совсем недавно, с 2008 года, он применил новые модели Q2D к силовым МОП-транзисторам с боковым рассеиванием (LDMOS) для усилителей большой мощности в системах связи, достигнув таких же высоких уровней точности прогнозирования и преимущества в скорости.[41][42]

В период с 1990 по 1997 год Сноуден разработал новую модель эквивалентной схемы на основе электротермической физики для биполярных транзисторов с гетеропереходом, которая подходила для приложений усилителя мощности (широко используемых в сотовых телефонах). Он был награжден премией IEEE Microwave Theory and Techniques Society в 1999 году.[43] для этой работы, описанной в его статье 1997 г. «СВЧ-характеристика AlGaAs / GaAs HBT на основе физической электротермической модели для больших сигналов» (IEEE TMTT, MTT-45, стр. 58–71, 1997).[44]

Сноуден продолжил разработку дальнейших моделей, основанных на учете взаимодействия между тепловыми эффектами и поведением электроники, что оказалось важным для точного моделирования силовых транзисторов и конструкций усилителей мощности. Впоследствии он разработал это в полностью интегрированные модели, включающие электромагнитные эффекты в физические модели и демонстрирующие важность этого типа глобальной модели для схем миллиметрового диапазона.[45]

Он также разработал несколько новых методов интеграции микроволновых, миллиметровых и оптических схем и во время работы в M / A-COM, работая старшим научным сотрудником, он расширил их технологию стеклянных микроволновых интегральных схем (GMIC) на фотонику, представив концепцию встраивание световодов в GMIC для создания фотонных схем и интерфейсов с твердотельными лазерами, детекторами и высокоскоростными процессорами. Он впервые представил эти концепции на конференции IEEE LEOS 1991 г.[46] Впоследствии концепция была разработана для использования на скорости 622 Мбит / с в приложениях синхронной оптической сети (SONET).[47]

Сноуден написал восемь книг, в том числе World Scientific на английском языке,[48] Введение в моделирование полупроводниковых устройств[49] и Введение в моделирование полупроводниковых устройств[50] Он опубликовал один из первых пакетов программного обеспечения для интерактивного анализа схем для персональных компьютеров с Wiley в 1988 году.[51] Он был редактором четырех журналов и трех специальных выпусков, а также серии книг EEE Wiley. Он председательствовал на ряде крупных международных конференций, в том числе на Европейской конференции по СВЧ в 2006 году.[52]

Товарищества, членство, общества и компании

Сноуден - бывший президент Институт инженерии и технологий (ИЭПП) (2009–10).[53] и до августа 2013 года он был вице-президентом Королевская инженерная академия[54] где возглавлял Комитет по инженерной политике Академии.[55] В 2014 году был приглашен на должность заместителя председателя судейской коллегии 2015 года. Премия Королевы Елизаветы в области инженерии (QEPrize)[56] и теперь председатель.

Сноуден был назначен премьер-министром своим советником. Совет по науке и технологиям (CST) в 2011 году. Он также является членом Консультативного совета по форсайту при правительстве Великобритании.[57]

Сноуден был членом руководящего органа британской Innovate UK (ранее известный как Совет по технологической стратегии (TSB)) 2009-2015. Он был членом Совета по промышленности и высшему образованию (CIHE) (CIHE ),[58] и является действующим членом Руководящего совета Национального центра университетов и бизнеса (NCUB). С 2006 по 2012 год он был членом Совета британских Совет по инженерным и физическим наукам (EPSRC).[59]

Он член Королевское общество (2005 г.) и был членом их Совета (2012–2013 гг.). Он является Парень[54] из Королевская инженерная академия[54] (2000), Институт инженерии и технологий (IET) (1993), IEEE (1996) и Лондонский институт Сити и гильдий (2005).[60]

Он был членом экспертных комиссий по коммуникациям и средствам массовой информации и использованию электромагнитного спектра. Он был членом Национального консультативного комитета Великобритании по электронным материалам с 2002 по 2007 год. Он был членом наблюдательного совета Центра технологий защиты от электромагнитного дистанционного зондирования с 2002 по 2005 год. Он несколько раз выступал перед специальным комитетом Палаты общин Великобритании.

Он был председателем Дафна Джексон Траст с 2005 по 2009 год и до 2015 года являлся покровителем треста.[61] Он был покровителем Surrey Youth Focus и Transform Housing & Support до 2015 года. Он был губернатором Королевская больница графства Суррей Фонд NHS UK до 2011 года.

Он был неисполнительным директором таких компаний, как Intense Ltd, CENAMPS Ltd и SSTL. Он был членом Правления Европейской ассоциации микроволнового излучения с 2003 по 2007 годы, где он также некоторое время был заместителем председателя. Он был председателем HERO Ltd с 2006 по 2009 год и членом правления Совета по инженерным технологиям с 2007 по 2009 год.

До 2011 года он был членом Консультативного совета по науке, технике и технологиям Юго-Восточной Англии (SESETAC).[62]

Почести и награды

Он был награжден премией IEEE Microwave Prize в 1999 году за свою исследовательскую работу по силовым микроволновым транзисторам для приложений связи и премией IEEE Distinguished Educator Award в 2009 году от Общества теории и техники микроволнового излучения (MTT).[63]

В Королевская инженерная академия[54] наградил его Серебряной медалью за «Выдающийся личный вклад в развитие полупроводниковой промышленности Великобритании» в 2004 году.[64]

В 2009 году он получил награду IEEE MTT Distinguished Educator Award за выдающиеся достижения в качестве преподавателя, наставника и образца для подражания для инженеров-микроволновых инженеров и студентов инженерных специальностей.[65]

Сноуден был посвященный в рыцари в новогоднем празднике 2012 г. за заслуги перед инженерным и высшим образованием.[66][67]

Рекомендации

  1. ^ а б UNIVERSITIES UK ОБЪЯВЛЯЕТ ПРЕЗИДЕНТА НА 2013-2015 ГОДЫ http://surrey.ac.uk/mediacentre/press/2012/93554_universities_uk_announces_president_for_2013_2015.htm
  2. ^ а б «Профессор Дам Джулия Гудфеллоу избрана президентом университетов Великобритании на 2015–2017 годы». UUK. Архивировано из оригинал 2 октября 2015 г.. Получено 1 августа 2015.
  3. ^ «Наш Совет - Фонд ЭРА». Получено 19 мая 2019.
  4. ^ Биографические данные с веб-сайта EPSRC В архиве 3 октября 2009 г. Wayback Machine
  5. ^ {http://www.leeds.ac.uk/info/130509/honorary_graduates/354/christopher_maxwell_snowden}
  6. ^ «Университет Суррея объявляет о сокращении 65 рабочих мест».
  7. ^ "'Сложные финансовые обстоятельства вынуждают университет сокращать персонал ». 18 марта 2015.
  8. ^ «Суррей считал цели для оценок при аттестации сотрудников». 17 июля 2013 г.
  9. ^ "UCU рассматривает вотум недоверия Surrey v-c". 28 мая 2014.
  10. ^ [1] Путеводитель Guardian University 2016
  11. ^ «Рейтинг университетов 2015 - полный список». 2 июня 2014 г. - через The Guardian.
  12. ^ «Суррей назван университетом года в национальном опросе». ITV.com. Получено 5 октября 2015.
  13. ^ «Студенты Суррейского университета борются за спасение факультета политики». 21 апреля 2015 г.. Получено 26 февраля 2016.
  14. ^ Уоткинс, Джеймс (9 мая 2015 г.). «Сотрудники Университета Суррея голосуют за забастовку после скандала с потерей работы». Geturrey. Получено 26 февраля 2016.
  15. ^ «Архивная копия». Архивировано из оригинал 31 октября 2012 г.. Получено 6 ноября 2012.CS1 maint: заархивированная копия как заголовок (связь)
  16. ^ «Новый проректор университета». 20 марта 2015.
  17. ^ «Вливание наличных в размере 300 миллионов фунтов стерлингов на модернизацию университета».
  18. ^ «TEF:« бессмысленные »результаты,« лишенные достоверности », - говорит v-c». Times Higher Education (THE). 22 июня 2017.
  19. ^ «Саутгемптон и Соас возвращаются для повторной оценки TEF». Times Higher Education. Получено 31 января 2018.
  20. ^ «Серебряная награда TEF отражает стремление Саутгемптона предоставлять студентам качественный опыт». Получено 6 июн 2018.
  21. ^ «Саутгемптон объявляет нового вице-канцлера». Саутгемптонский университет. 8 апреля 2019 г.. Получено 14 мая 2019.
  22. ^ «Министр университетов говорит, что вице-канцлерам Великобритании платят слишком много». Times Higher Education. Получено 29 июн 2017.
  23. ^ Йорк, Гарри (29 июня 2017 г.). «Джо Джонсон критикует ведущего проректора университета за« резкое »повышение заработной платы». Телеграф.
  24. ^ «Самый высокооплачиваемый проректор университета в Великобритании уходит в отставку из-за нехватки денег». Financial Times. Получено 28 ноября 2017.
  25. ^ https://www.theguardian.com/education/2018/mar/11/university-vice-chancellors-are-paid-far-more-than-public-sector-peers
  26. ^ «Университет рекламирует работу шофером - за ту же неделю, что и 75 сокращений».
  27. ^ "Финансовая отчетность | Финансы, планирование и аналитика | Саутгемптонский университет".
  28. ^ «Отставка Бата проливает свет на управление университетом». Financial Times. Получено 28 марта 2018.
  29. ^ [2] Архив Королевского общества
  30. ^ Сноуден, К. и Лорет, Д., «Двумерные модели горячих электронов для GaAs MESFET с малой длиной затвора», IEEE Trans. Electron Devices, стр 212-223, февраль 1987 г.
  31. ^ Изекиэль С., Сноуден К. М. и Хоус М. Дж., "Анализ нелинейных схем гармонических и интермодуляционных искажений в лазерных диодах при прямой микроволновой модуляции", IEEE MTT, Vol. 38, No. 12, pp.1906-1915, декабрь 1990 г.
  32. ^ Лим, К.Г., Иезекиэль, С., Сноуден, К.М., "Нелинейная динамика самопульсирующих лазерных диодов с оптической инжекцией" Журнал квантовой электроники IEEE, том 37, стр. 699-706, май 2001 г.
  33. ^ [3] ОСНОВНОЙ
  34. ^ 4 Сноуден, К. и Пантоха, Р.Р., "Физические модели GaAs MESFET для проектирования, ориентированного на процесс", IEEE Trans. MTT, Vol. 40, No. 7, pp.1401-1409, июль 1992 г.
  35. ^ Сноуден, К. и Пантоха, Р.Р., «Применение и проверка квазидвумерных моделей MESFET», Европейские транзакции по телекоммуникациям и родственным технологиям, № N.4-1990, том 1, стр. 383-388, август 1990 г.
  36. ^ Пантоха Р. Р., Хоус М. Дж., Ричардсон Дж. Р. Р. и Сноуден К. М. "Физическая модель MESFET для больших сигналов для САПР и ее приложений" IEEE Trans. MTT, стр. 2039 г., 2045 г., декабрь 1989 г.
  37. ^ Сноуден, К. и Пантоха, Р.Р., "Физические модели GaAs MESFET для проектирования, ориентированного на процесс", IEEE Trans. MTT, Vol. 40, No. 7, pp.1401-1409, июль 1992 г.
  38. ^ Друри, Р. и Сноуден, К.М., "Квазидвумерная модель HEMT для микроволновых приложений САПР", IEEE Transactions on Electron Devices, стр. 1026-1032, июнь 1995 г.
  39. ^ M. Akkul, M. Sarfraz, J. Mayock и W. Bosch, «Конструкция усилителя мощности MMIC мощностью 50 Вт для приложений 2 ГГц», в Proc. IEEE Int. Microwave Symp., Форт-Уэрт, Техас, июнь 2004 г., стр. 1355–1358.
  40. ^ О'Киф, М. Ф., Атертон, Дж. С., Беш, В., Берджесс, П., Кэмерон, Н. И. и Сноуден, С. М., «Технология на основе GaAs pHEMT для микроволновых приложений в среде массового производства MMIC на 150-миллиметровых пластинах», IEEE Transactions по производству полупроводников, Том 16, № 3: 376–383, август 2003 г.
  41. ^ Эверетт, Дж., Кирни, М.Дж., Руэда, Х., Джонсон, Э.М., Ааен, PH, Вуд, Дж. И Сноуден, К.М., «Квазидвумерная модель для мощных РЧ LDMOS-транзисторов» (10.1109 / TED .2011.2160546) IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 58, No. 9, pp. 3081-3088, сентябрь 2011 г.
  42. ^ Aaen P., Wood J., Bridges D., Zhang L., Johnson E., Lamey D., Barbieri T., Pla J., Snowden CM, Everett, JP, Kearney, MJ, Мультифизическое моделирование высокочастотных и микроволновых высоких частот -Силовые транзисторы, IEEE Transactions по теории и методам СВЧ, Vol. 60, No. 12, pp. 4013-4023, декабрь 2012 г. 4013
  43. ^ «Премия микроволнового излучения - Общество теории и техники микроволнового излучения IEEE». Архивировано из оригинал 22 января 2012 г.. Получено 3 января 2012.
  44. ^ Сноуден, К. М. (1 января 1997 г.). "СВЧ-анализ больших сигналов ТБТ из AlGaAs / GaAs на основе электротермической модели, основанной на физике" (PDF). Протоколы IEEE по теории и методам микроволнового излучения. 45 (1): 58–71. Bibcode:1997ITMTT..45 ... 58S. Дои:10.1109/22.552033.
  45. ^ Денис Д., Сноуден К.М., Хантер И., "Сопряженное электротермическое, электромагнитное и физическое моделирование полевых транзисторов мощности СВЧ", IEEE Trans. Теория и методы микроволнового излучения, Vol. 54, No. 6, pp. 2465-2470, июнь 2006 г.
  46. ^ Сноуден, К.М., "Моделирование электронных и оптоэлектронных устройств III-V: обзор", приглашенный докладчик, IEEE / Lasers and Electro-Optics Society / Optical Society of America, Proceedings Integrated Photonics Research Conference, 9-11 апреля 1991 г.
  47. ^ Ставрос Иезекиэль, Эрик А. Сошеа, Мэтью Ф. О'Киф и Кристофер М. Сноуден, IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 43. NO. 9 СЕНТЯБРЯ 1995 г.
  48. ^ Введение в моделирование полупроводниковых устройств. World Scientific Pub Co Inc. 1998. ISBN  978-9971-5-0142-6.
  49. ^ Сноуден, К.М., Введение в моделирование полупроводниковых устройств, Всемирное научное издательство, ISBN  9971 50 142 2 (250 стр., Опубликовано в декабре 1986 г.)
  50. ^ Сноуден, К.М., Введение в моделирование полупроводниковых устройств, Японский перевод, Гендай Когаку Ша, издательство, Перевод Кендзи Танигучи и Тихиро Хамагути. World Scientific Publishing Co., ISBN  978-9971501426, (193pp) Опубликовано в мае 1988 г.
  51. ^ Сноуден, К.М., "Интерактивный анализ цепей INCA", Wiley (Великобритания), (программное обеспечение и руководство), ISBN  0 471 91933 0Опубликовано в апреле 1988 г.
  52. ^ Программа European Microwave Week 2006 В архиве 6 февраля 2009 г. Wayback Machine
  53. ^ «Попечительский совет - ИЭПП». Архивировано из оригинал 27 декабря 2009 г.. Получено 6 января 2010.
  54. ^ а б c d «Список стипендиатов».
  55. ^ Сайт RAeng
  56. ^ «Архивная копия». Архивировано из оригинал 6 мая 2014 г.. Получено 6 мая 2014.CS1 maint: заархивированная копия как заголовок (связь)
  57. ^ «Членство - Совет по науке и технологиям - GOV.UK».
  58. ^ Члены Совета CIHE В архиве 16 января 2010 г. Wayback Machine
  59. ^ Пресс-релиз EPSRC В архиве 17 декабря 2009 г. Wayback Machine
  60. ^ Биографические данные на сайте EPSRC В архиве 3 октября 2009 г. Wayback Machine
  61. ^ Сайт благотворительной комиссии
  62. ^ (SESETAC В архиве 2 марта 2012 г. Wayback Machine )«Архивная копия». Архивировано из оригинал 2 марта 2012 г.. Получено 6 января 2010.CS1 maint: заархивированная копия как заголовок (связь) Членство в SESETAC
  63. ^ "Страница не найдена - IET". Архивировано из оригинал 27 декабря 2009 г.. Получено 6 января 2010. Cite использует общий заголовок (помощь)
  64. ^ Пресс-релиз RAeng
  65. ^ «Премия за выдающийся педагог - Общество теории и техники микроволнового излучения IEEE». Архивировано из оригинал 26 октября 2015 г.. Получено 30 июля 2015.
  66. ^ «№ 60009». Лондонская газета (Добавка). 31 декабря 2011. с. 1.
  67. ^ Персонал, The Guardian (30 декабря 2011 г.). «Новогодний список почестей: Рыцари». Хранитель.

внешняя ссылка