Давон Канг - Dawon Kahng

В этом Корейское имя, то фамилия является Канг.
Давон Канг
강대원
Давон Канг.jpg
Родился(1931-05-04)4 мая 1931 г.[1]
Сеул, Корея
Умер13 мая 1992 г.(1992-05-13) (61 год)[2]
Нью-Брансуик, Нью-Джерси, США
Гражданствоюжнокорейский (отказался)
Соединенные Штаты
оккупацияИнженер-электрик
ИзвестенМОП-транзистор (МОП-транзистор)
PMOS и NMOS
Диод Шоттки
Транзистор с нанослойной базой
МОП-транзистор с плавающим затвором
Память с плавающей запятой
Перепрограммируемое ПЗУ
Корейское имя
Хангыль
Ханджа
Пересмотренная романизацияГанг Дэ-вон
МакКьюн – РайшауэрКан Дэуон

Давон Канг (Корейский: 강대원; 4 мая 1931 - 13 мая 1992) был корейско-американским инженером-электриком и изобретателем, известным своей работой в твердотельная электроника. Он известен прежде всего изобретением МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник), также известный как МОП-транзистор (вместе со своим коллегой Мохамед Аталла ) в 1959 году. Канг и Аталла разработали как PMOS и NMOS процессы для MOSFET изготовление полупроводниковых приборов. MOSFET - это наиболее широко используемый тип транзистор, и основной элемент в большинстве современных электронное оборудование.

Канг и Аталла позже предложили концепцию MOS. Интегральная схема, и они проделали новаторскую работу над Диоды Шоттки и нанослой -база транзисторы в начале 1960-х гг. Канг затем изобрел МОП-транзистор с плавающим затвором (FGMOS) с Саймон Мин Сзе в 1967 г. Канг и Зе предложили использовать FGMOS в качестве плавающий затвор ячейки памяти для энергонезависимая память (NVM) и перепрограммируемый только для чтения памяти (ROM), который стал основой для EPROM (стираемый программируемое ПЗУ ), EEPROM (электрически стираемое программируемое ПЗУ) и флэш-память технологии. Канг был введен в должность Национальный зал славы изобретателей в 2009.

биография

Давон Кан родился 4 мая 1931 года в г. Сеул, Корея. Изучал физику в Сеульский национальный университет в Южная Корея, и иммигрировал в Соединенные Штаты в 1955 году принять участие Государственный университет Огайо, где получил степень доктора физики.

В МОП-транзистор был изобретен Канг вместе со своим коллегой Мохамед Аталла в Bell Labs в 1959 году.

Он был исследователем в Bell Telephone Laboratories в Мюррей-Хилле, Нью-Джерси, и он изобрел МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник), который является основным элементом в большинстве современного электронного оборудования, с Мохамед Аталла в 1959 г.[3] Oни сфабрикованный и то и другое PMOS и NMOS устройства с 20 мкм процесс.[4]

Давон Канг в 1961 году предложил концепцию МОП Интегральная схема, отмечая, что простота использования МОП-транзистора изготовление сделал его полезным для интегральных схем.[5][6] Однако Bell Labs изначально проигнорировала технологию MOS, поскольку в то время компания не интересовалась интегральными схемами.[5]

Расширяя свою работу над технологией MOS, Канг и Аталла затем проделали новаторскую работу над горячий носитель устройства, в которых использовалось то, что позже будет называться Барьер Шоттки.[7] В Диод Шоттки, также известный как диод с барьером Шоттки, теоретизировался в течение многих лет, но впервые был реализован на практике в результате работ Канга и Аталлы в 1960–1961 годах.[8] Они опубликовали свои результаты в 1962 году и назвали свое устройство триодной структурой «горячих электронов» с эмиттером полупроводник-металл.[9] Диод Шоттки стал играть заметную роль в Смеситель Приложения.[8] Позже они провели дальнейшие исследования высокочастотных диодов Шоттки.

В 1962 году Канг и Аталла предложили и продемонстрировали ранний металл нанослой -база транзистор. Это устройство имеет металлический слой с нанометрический толщина, зажатая между двумя полупроводниковыми слоями, причем металл образует основу, а полупроводники образуют эмиттер и коллектор. Благодаря низкому сопротивлению и короткому времени прохождения в тонкой металлической нанослойной основе, устройство было способно к высокой производительности. частота в сравнении с биполярные транзисторы. Их новаторская работа заключалась в нанесении металлических слоев (основы) поверх монокристалл полупроводниковые подложки (коллектор), с эмиттером кристаллический полупроводниковая деталь с прижатой вершиной или тупым углом к ​​металлическому слою (точечный контакт). Они депонировали золото (Au) тонкие пленки толщиной 10 нм на n-тип германий (n-Ge), а точечный контакт - кремний n-типа (n-Si).[10]

Вместе со своим коллегой Саймон Мин Сзе, он изобрел МОП-транзистор с плавающим затвором, о котором они впервые сообщили в 1967 году.[11] Они также изобрели плавающий затвор ячейка памяти, основа для многих форм полупроводниковая память устройств. Он изобрел плавающие ворота энергонезависимая память в 1967 году, и предложил использовать плавающий затвор полупроводникового МОП-устройства для ячейки перепрограммируемого ПЗУ, что стало основой для EPROM (стираемый программируемое ПЗУ ),[12] EEPROM (электрически стираемое программируемое ПЗУ) и флэш-память технологии. Он также провел исследование ферроэлектрический полупроводников и светящихся материалов, и внесли важный вклад в область электролюминесценция.

После ухода из Bell Laboratories он стал президентом-основателем Исследовательский институт NEC в Нью-Джерси. Он был сотрудником IEEE и сотрудником Bell Laboratories. Он также был получателем Стюарт Баллантайн Медаль из Институт Франклина и Премию выдающихся выпускников Инженерный колледж государственного университета Огайо. Он умер от осложнений после экстренной операции по поводу разрыва аневризмы аорты в 1992 году.[13]

Награды и отличия

Канг и Мохамед Аталла были награждены Стюарт Баллантайн Медаль в 1975 г. Награды института Франклина за изобретение полевого МОП-транзистора.[14][15] В 2009 году Канг был введен в должность Национальный зал славы изобретателей.[16] В 2014 году изобретение MOSFET в 1959 году было включено в список список этапов IEEE в электронике.[17]

Несмотря на то, что MOSFET позволяет Нобелевская премия успешные прорывы, такие как квантовый эффект холла[18] и устройство с зарядовой связью (CCD),[19] Нобелевской премии за сам MOSFET никогда не присуждался.[20] В 2018 г. Шведская королевская академия наук, который присуждает Нобелевские премии по науке, признал, что изобретение MOSFET Кангом и Аталлой было одним из самых важных изобретений в мире. микроэлектроника и информационные и коммуникационные технологии (ИКТ).[21]

использованная литература

  1. ^ "Давон Канг". Национальный зал славы изобретателей. 2009. Архивировано с оригинал 28 марта 2009 г.. Получено 28 марта 2009.
  2. ^ Некролог New York Times
  3. ^ «1960 - Демонстрация металлооксидного полупроводникового (МОП) транзистора». Музей истории компьютеров. Получено 11 ноября 2012.
  4. ^ Лойек, Бо (2007). История полупроводниковой техники. Springer Science & Business Media. стр.321 -3. ISBN  9783540342588.
  5. ^ а б Московиц, Сэнфорд Л. (2016). Инновации в передовых материалах: управление глобальными технологиями в 21 веке. Джон Уайли и сыновья. С. 165–167. ISBN  9780470508923.
  6. ^ Бассетт, Росс Нокс (2007). К веку цифровых технологий: исследовательские лаборатории, начинающие компании и развитие MOS-технологий. Издательство Университета Джона Хопкинса. С. 22–25. ISBN  9780801886393.
  7. ^ Бассетт, Росс Нокс (2007). К веку цифровых технологий: исследовательские лаборатории, начинающие компании и развитие MOS-технологий. Издательство Университета Джона Хопкинса. п. 328. ISBN  9780801886393.
  8. ^ а б Закон о реорганизации промышленности: отрасль связи. Типография правительства США. 1973. с. 1475.
  9. ^ Аталла, М .; Канг Д. (ноябрь 1962 г.). «Новая триодная структура« Горячих электронов »с эмиттером полупроводник-металл». IRE-транзакции на электронных устройствах. 9 (6): 507–508. Bibcode:1962ITED .... 9..507A. Дои:10.1109 / T-ED.1962.15048. ISSN  0096-2430. S2CID  51637380.
  10. ^ Паса, Андре Авелино (2010). «Глава 13: Металлический транзистор на основе нанослоя». Справочник по нанофизике: наноэлектроника и нанофотоника. CRC Press. С. 13–1, 13–4. ISBN  9781420075519.
  11. ^ Д. Канг и С. М. Сзе, "Плавающий затвор и его применение в устройствах памяти", Технический журнал Bell System, т. 46, нет. 4. 1967, с. 1288–1295.
  12. ^ «1971: введено многоразовое полупроводниковое ПЗУ». Музей истории компьютеров. Получено 19 июн 2019.
  13. ^ Некролог New York Times
  14. ^ Калхун, Дэйв; Люстиг, Лоуренс К. (1976). 1977 Ежегодник науки и будущего. Британская энциклопедия. п.418. ISBN  9780852293195. Трое ученых были удостоены медали Стюарта Баллантайна Института Франклина в 1975 году. [...] Мартин М. Аталла, президент Atalla Technovations в Калифорнии, и Давон Канг из Bell Laboratories были выбраны «за их вклад в технологию полупроводникового диоксида кремния. , а также для разработки полевого транзистора с МОП-изоляцией.
  15. ^ "Давон Канг". Награды института Франклина. Институт Франклина. 14 января 2014 г.. Получено 23 августа 2019.
  16. ^ "Давон Канг". Национальный зал славы изобретателей. Получено 27 июн 2019.
  17. ^ «Вехи: список вех IEEE». Институт инженеров по электротехнике и электронике. Получено 25 июля 2019.
  18. ^ Линдли, Дэвид (15 мая 2015 г.). «В центре внимания: ориентиры - случайное обнаружение приводит к стандарту калибровки». Физика. 8. Дои:10.1103 / Физика.8.46.
  19. ^ Уильямс, Дж. Б. (2017). Революция в электронике: изобретая будущее. Springer. С. 245 и 249. ISBN  9783319490885.
  20. ^ Вудалл, Джерри М. (2010). Основы полупроводниковых МОП-транзисторов III-V. Springer Science & Business Media. п. 2. ISBN  9781441915474.
  21. ^ «Расширенная информация о Нобелевской премии по физике 2000 г.» (PDF). Нобелевская премия. Июнь 2018 г.. Получено 17 августа 2019.