Нестабильность температуры с отрицательным смещением - Negative-bias temperature instability - Wikipedia

Нестабильность температуры с отрицательным смещением (НБТИ) является ключевым вопросом надежности в МОП-транзисторы, тип старение транзисторов. НБТИ проявляется увеличением пороговое напряжение и, как следствие, уменьшение тока стока и крутизна полевого МОП-транзистора. Деградацию часто аппроксимируют сила закона зависимость от времени. Это вызывает непосредственную озабоченность в p-канале. MOS устройства (pMOS), поскольку они почти всегда работают с отрицательным напряжением затвор-исток; однако тот же самый механизм также влияет на nMOS-транзисторы при смещении в режиме накопления, то есть при отрицательном смещении, приложенном к затвору.

В частности, со временем положительные заряды захватываются на границе оксид-полупроводник под затвором полевого МОП-транзистора. Эти положительные заряды частично нейтрализуют отрицательное напряжение затвора. без способствуя прохождению через канал, поскольку электронные дыры в полупроводнике. Когда напряжение затвора снимается, захваченные заряды рассеиваются в течение времени от миллисекунд до часов. Проблема обострилась по мере уменьшения размера транзисторов, поскольку усреднение эффекта по большой площади затвора стало меньше. Таким образом, разные транзисторы испытывают разное количество NBTI, что противоречит стандартным методам проектирования схем, позволяющим допускать производственную изменчивость, которая зависит от близкого согласования соседних транзисторов.

NBTI стал важным инструментом для портативной электроники, потому что он плохо взаимодействует с двумя распространенными методами энергосбережения: пониженным рабочим напряжением и стробирование часов. При более низких рабочих напряжениях изменение порогового напряжения, вызванное NBTI, составляет большую часть логического напряжения и нарушает работу. Когда часы закрыты, транзисторы перестают переключаться, и эффекты NBTI накапливаются намного быстрее. Когда часы снова включаются, пороговые значения транзисторов изменились, и схема может не работать. Некоторые маломощные конструкции переключаются на низкочастотные часы, а не полностью останавливаются, чтобы смягчить эффекты NBTI.

Физика

Детали механизмов NBTI обсуждались, но считается, что способствуют два эффекта: захват положительно заряженных дыры, и генерация состояний интерфейса.

• Существующие ранее ловушки, расположенные в объеме диэлектрика, заполнены дырками, выходящими из канала pMOS. Эти ловушки могут быть опорожнены при снятии напряжения напряжения, так что ухудшение Vth может быть восстановлено с течением времени.
• Интерфейсные ловушки генерируются, и эти состояния интерфейса становятся положительно заряженными, когда устройство pMOS смещено в состояние «включено», то есть с отрицательным напряжением затвора. Некоторые состояния интерфейса могут деактивироваться при снятии напряжения, так что деградация V-го уровня может быть восстановлена ​​с течением времени.

Существование двух сосуществующих механизмов привело к научным спорам по поводу относительной важности каждого компонента и по механизму генерации и восстановления состояний интерфейса.

В субмикрометрических приборах азот включен в кремний оксид ворот для уменьшения плотности тока утечки затвора и предотвращения бор проникновение. Известно, что введение азота усиливает NBTI. Для новых технологий (номинальная длина канала 45 нм и меньше), высокий-κ стеки металлических затворов используются в качестве альтернативы для улучшения плотности тока затвора для заданной эквивалентной толщины оксида (EOT). Даже с введением новых материалов, таких как гафний оксида в стопке затвора, NBTI остается и часто усугубляется захватом дополнительного заряда в слое с высоким κ.

С появлением металлических затворов с высоким κ стал более важным новый механизм деградации, называемый PBTI (для положительной нестабильности температуры смещения), который влияет на nMOS-транзистор при положительном смещении. В этом случае состояния интерфейса не генерируются, и 100% деградации V-го может быть восстановлено.

Смотрите также

• Введение горячего носителя
• Электромиграция

Рекомендации

• J.H. Статис, С. Махапатра и Т. Грассер, «Спорные вопросы о нестабильности температуры отрицательного смещения ”, Надежность микроэлектроники, том 81, стр. 244-251, февраль 2018 г. Дои:10.1016 / j.microrel.2017.12.035
• Т. Грассер и др., «Смена парадигмы в понимании нестабильности температуры смещения: от реакции-диффузии к переключению оксидных ловушек”, IEEE Transactions on Electron Devices 58 (11), pp. 3652-3666, ноябрь 2011 г. Дои:10.1109 / TED.2011.2164543 Bibcode:2011ITED ... 58.3652G
• Д.К. Шредер, "Нестабильность температуры отрицательного смещения: что мы понимаем?// Надежность микроэлектроники. 47, нет. 6. С. 841–852, июнь 2007 г. Дои:10.1016 / j.microrel.2006.10.006
• Шредер, Дитер К. (август 2005 г.). «Нестабильность температуры с отрицательным смещением (NBTI): вопросы физики, материалов, процессов и схем» (PDF).
• Дж. Х. Статис и С. Зафар, "Нестабильность температуры отрицательного смещения в МОП-устройствах: обзор// Надежность микроэлектроники. Вып. 46, вып. 2, pp. 278-286, февраль 2006 г. Дои:10.1016 / j.microrel.2005.08.001
• М. Алам и С. Махапатра, «Комплексная модель деградации PMOS NBTI // Надежность микроэлектроники. 45, нет. 1. С. 71–81, январь 2005 г. Дои:10.1016 / j.microrel.2004.03.019