Силовой полупроводниковый прибор - Power semiconductor device - Wikipedia

А силовой полупроводниковый прибор это полупроводниковый прибор используется как выключатель или же выпрямитель в силовая электроника (например, в импульсный источник питания ). Такое устройство еще называют силовое устройство или при использовании в Интегральная схема, а мощность IC.

Силовое полупроводниковое устройство обычно используется в «коммутационном режиме» (т.е. оно либо включено, либо выключено), и поэтому его конструкция оптимизирована для такого использования; обычно его не следует использовать в линейном режиме. Линейные силовые цепи широко распространены как регуляторы напряжения, усилители звука и усилители радиочастоты.

Силовые полупроводники используются в системах, обеспечивающих мощность от нескольких десятков милливатт для усилителя наушников до гигаватт в энергосистеме. постоянный ток высокого напряжения линия передачи.

История

Первым полупроводниковым прибором, использованным в силовых цепях, был электролитический выпрямитель - ранняя версия была описана французским экспериментатором А. Нодоном в 1904 году. Они были кратковременно популярны среди первых радиоэкспериментаторов, поскольку их можно было импровизировать из алюминиевых листов и бытовой химии. Они имели низкое выдерживаемое напряжение и ограниченную эффективность.[1]

Первыми твердотельными силовыми полупроводниковыми приборами были выпрямители из оксида меди, которые использовались в первых зарядных устройствах батарей и источниках питания для радиооборудования, о которых в 1927 году объявил Л.О. Грундаль и П. Х. Гейгер.[2]

Первый германий силовой полупроводниковый прибор появился в 1952 году с введением силового диод к R.N. зал. Он имел способность блокировки обратного напряжения 200 V и текущий рейтинг из 35 А.

Германий биполярные транзисторы с существенными возможностями управления мощностью (ток коллектора 100 мА) были введены примерно в 1952 году; по существу такой же конструкции, что и сигнальные устройства, но с лучшим теплоотводом. Возможности управления мощностью быстро развивались, и к 1954 году стали доступны переходные транзисторы из германиевого сплава с рассеиваемой мощностью 100 Вт. Все это были относительно низкочастотные устройства, работавшие на частотах до 100 кГц и температуре перехода до 85 градусов Цельсия.[3] Силовые кремниевые транзисторы не производились до 1957 года, но, когда они были доступны, имели лучшую частотную характеристику, чем германиевые устройства, и могли работать при температуре перехода до 150 ° C.

В тиристор появился в 1957 году. Способен выдерживать очень высокие реверсы. напряжение пробоя а также может пропускать большой ток. Однако одним из недостатков тиристора в схемах переключения является то, что, когда он становится «зафиксированным» в проводящем состоянии; его нельзя отключить внешним управлением, так как отключение тиристора является пассивным, т. е. необходимо отключить питание от устройства. Тиристоры, которые можно было выключить, называются запорные тиристоры (GTO), были представлены в 1960 году.[4] Они преодолевают некоторые ограничения обычного тиристора, поскольку их можно включать и выключать с помощью приложенного сигнала.

Силовой MOSFET

Основная статья: Силовой MOSFET
Смотрите также: Усилитель на полевом транзисторе, Биполярный транзистор с изолированным затвором, МОП-транзистор, LDMOS, и VMOS

Прорыв в силовой электронике произошел с изобретением МОП-транзистор (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) Мохамед Аталла и Давон Канг в Bell Labs в 1959 году. Поколения MOSFET-транзисторов позволили разработчикам мощности достичь уровней производительности и плотности, недоступных для биполярных транзисторов.[5] Благодаря усовершенствованию технологии MOSFET (первоначально использовавшейся для производства интегральные схемы ), силовой MOSFET стал доступен в 1970-х годах.

В 1969 г. Hitachi представил первый вертикальный силовой MOSFET,[6] который позже будет известен как VMOS (МОП-транзистор с V-образной канавкой).[7] С 1974 г. Ямаха, JVC, Pioneer Corporation, Sony и Toshiba начал производство усилители звука с силовыми МОП-транзисторами.[8] Международный выпрямитель представила силовой МОП-транзистор на 25 А, 400 В.[9] Это устройство позволяет работать на более высоких частотах, чем биполярный транзистор, но ограничивается приложениями с низким напряжением.

В Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT) был разработан в 1980-х годах и стал широко доступным в 1990-х годах. Этот компонент обладает возможностями управления мощностью биполярного транзистора и преимуществами изолированного управления затвором силового полевого МОП-транзистора.

Общие устройства

Некоторые распространенные устройства питания: силовой MOSFET, мощность диод, тиристор, и IGBT. Силовой диод и силовой полевой МОП-транзистор работают по тем же принципам, что и их маломощные аналоги, но способны выдерживать больший ток и, как правило, выдерживают большие токи. обратное смещение напряжение в за пределами штата.

Конструктивные изменения часто вносятся в силовое устройство, чтобы приспособиться к более высокой плотности тока, более высокой рассеиваемой мощности и / или более высокому напряжению обратного пробоя. Подавляющее большинство дискретный (т. е. неинтегрированные) силовые устройства построены с использованием вертикальной конструкции, тогда как малосигнальные устройства используют боковую структуру. При вертикальной конструкции номинальный ток устройства пропорционален его площади, а способность блокировки напряжения достигается по высоте кристалла. При такой конструкции одно из соединений устройства расположено в нижней части полупроводниковый кристалл.

Силовой полевой МОП-транзистор является наиболее распространенным силовым устройством в мире из-за его низкой мощности привода затвора, высокой скорости переключения и расширенных возможностей параллельного подключения.[10] Имеет широкий спектр power electronic приложения, такие как портативные информационные устройства, силовые интегральные схемы, сотовые телефоны, ноутбуки, а инфраструктура связи что позволяет Интернет.[11] По состоянию на 2010 год, силовые MOSFET составляют большую часть (53%) рынка силовых транзисторов, за ними следуют IGBT (27%), затем РЧ усилитель (11%), а затем биполярный переходный транзистор (9%).[12]

Твердотельные устройства

УстройствоОписаниеРейтинги
ДиодОднополярное, неуправляемое переключающее устройство, используемое в таких приложениях, как выпрямление и управление направленным током цепи. Устройство блокировки обратного напряжения, обычно моделируемое как переключатель, включенный последовательно с источником напряжения, обычно 0,7 В постоянного тока. Модель может быть расширена за счет включения сопротивления перехода для точного прогнозирования падения напряжения на диоде относительно протекания тока.До 3000 ампер и 5000 вольт в одном кремниевом устройстве. Высокое напряжение требует нескольких кремниевых устройств.
Выпрямитель с кремниевым управлением (SCR)Это полууправляемое устройство включается, когда присутствует стробирующий импульс и анод положительный по сравнению с катодом. При наличии стробирующего импульса устройство работает как стандартный диод. Когда анод отрицательный по сравнению с катодом, устройство отключается и блокирует наличие положительного или отрицательного напряжения. Напряжение затвора не дает отключиться устройству.[13]До 3000 ампер, 5000 вольт в одном кремниевом устройстве.
ТиристорТиристор - это семейство трехполюсников, в которое входят тиристоры, GTO и MCT. Для большинства устройств стробирующий импульс включает устройство. Устройство выключается, когда анодное напряжение падает ниже значения (относительно катода), определяемого характеристиками устройства. В выключенном состоянии он считается устройством блокировки обратного напряжения.[13]
Запорный тиристор (GTO)Запорный тиристор, в отличие от тиристора, можно включать и выключать с помощью управляющего импульса. Одна из проблем устройства заключается в том, что напряжения затвора при выключении обычно больше и требуют большего тока, чем уровни включения. Это напряжение выключения представляет собой отрицательное напряжение от затвора к источнику, обычно оно должно присутствовать только в течение короткого времени, но величина s составляет порядка 1/3 анодного тока. Для обеспечения пригодной кривой переключения для этого устройства требуется демпфирующая цепь. Без демпферной цепи GTO нельзя использовать для отключения индуктивных нагрузок. Эти устройства из-за развития технологии IGCT не очень популярны в области силовой электроники. Они считаются управляемой, однополярной и биполярной блокировкой напряжения.[14]
СимисторСимистор - это устройство, которое по сути представляет собой интегрированную пару тиристоров с регулируемой фазой, подключенных обратно параллельно на одном кристалле.[15] Как и SCR, когда на клемме затвора присутствует импульс напряжения, устройство включается. Основное различие между тиристором и симистором заключается в том, что как положительный, так и отрицательный цикл можно включать независимо друг от друга, используя положительный или отрицательный импульс затвора. Подобно SCR, после включения устройство не может быть выключено. Это устройство считается биполярным и с блокировкой обратного напряжения.
Биполярный переходной транзистор (BJT)BJT нельзя использовать на большой мощности; они медленнее и имеют более высокие резистивные потери по сравнению с устройствами типа MOSFET. Чтобы пропускать большой ток, BJT должны иметь относительно большие базовые токи, поэтому эти устройства имеют большие потери мощности по сравнению с устройствами MOSFET. BJT вместе с MOSFET, также считаются униполярными[уточнить ] и не очень хорошо блокируют обратное напряжение, если не установлены попарно с защитными диодами. Как правило, BJT не используются в схемах переключения силовой электроники из-за I2R потери связаны с сопротивлением и базовыми текущими требованиями.[13] Биполярные транзисторы имеют более низкий коэффициент усиления по току в мощных корпусах, что требует их установки в конфигурациях Дарлингтона, чтобы выдерживать токи, необходимые для силовых электронных схем. Из-за этих конфигураций с несколькими транзисторами время переключения составляет от сотен наносекунд до микросекунд. Устройства имеют максимально допустимое напряжение около 1500 В и довольно высокие значения тока. Их также можно подключать параллельно, чтобы увеличить мощность, но их нужно ограничить примерно 5 устройствами для разделения тока.[14]
Силовой MOSFETОсновное преимущество силового MOSFET по сравнению с BJT состоит в том, что MOSFET является устройством с каналом истощения, и поэтому для создания пути проводимости от стока к истоку необходимо напряжение, а не ток. На низких частотах это значительно снижает ток затвора, поскольку требуется только для зарядки. емкость затвора во время переключения, хотя с увеличением частот это преимущество уменьшается. Большинство потерь в полевых МОП-транзисторах происходит из-за сопротивления в открытом состоянии, они могут увеличиваться по мере прохождения через устройство большего тока, а также больше в устройствах, которые должны обеспечивать высокое напряжение блокировки. BVdss.

Время переключения составляет от десятков наносекунд до нескольких сотен микросекунд. Номинальное напряжение для переключающих устройств MOSFET колеблется от нескольких вольт до чуть более 1000 В, с токами примерно до 100 А или около того, хотя полевые МОП-транзисторы можно подключать параллельно для увеличения тока переключения. Устройства MOSFET не являются двунаправленными и не блокируют обратное напряжение.[14]

Биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT)Эти устройства имеют лучшие характеристики MOSFET и BJT. Как и полевые МОП-транзисторы, биполярный транзистор с изолированным затвором имеет высокий импеданс затвора, поэтому требования к току затвора низкие. Как и BJT, это устройство имеет низкое падение напряжения во включенном состоянии, что обеспечивает низкую потерю мощности на переключателе в рабочем режиме. Подобно GTO, IGBT можно использовать для блокировки как положительного, так и отрицательного напряжения. Рабочие токи довольно высоки, превышают 1500 А, а коммутируемое напряжение до 3000 В.[14] IGBT имеет меньшую входную емкость по сравнению с устройствами MOSFET, что улучшает эффект обратной связи Миллера при включении и выключении с высоким значением du / dt.[15]
МОП-управляемый тиристор (MCT)Тиристор, управляемый МОП, подобен тиристору и может включаться или выключаться импульсом, подаваемым на затвор полевого МОП-транзистора.[15] Поскольку вход выполнен по технологии MOS, ток очень мал, что позволяет получать управляющие сигналы с очень низкой мощностью. Устройство состоит из двух входов MOSFET и пары выходных каскадов BJT. Входные полевые МОП-транзисторы сконфигурированы так, чтобы позволить управление включением во время положительного и отрицательного полупериодов. Выходные BJT сконфигурированы так, чтобы обеспечивать двунаправленное управление и обратную блокировку низкого напряжения. Некоторыми преимуществами MCT являются быстрая частота переключения, довольно высокое напряжение и средний ток (около 100 А или около того).
Встроенный тиристор с коммутацией затвора (IGCT)Подобно GTO, но без высоких требований к току для включения или выключения нагрузки. IGCT можно использовать для быстрого переключения с небольшим током затвора. У устройств высокий входной импеданс во многом из-за драйверов затвора MOSFET. У них есть выходы с низким сопротивлением, которые не тратят впустую мощность, и очень короткие переходные времена, которые конкурируют с BJT. ABB Group Компания опубликовала спецификации для этих устройств и предоставила описания внутреннего устройства. Устройство состоит из затвора с оптически изолированным входом и выходных транзисторов BJT с низким сопротивлением, которые приводят к низкому падению напряжения и низким потерям мощности на устройстве при довольно высоких уровнях коммутируемого напряжения и тока.

Пример этого нового устройства от ABB показывает, как это устройство улучшает технологию GTO для переключения высокого напряжения и большого тока в приложениях силовой электроники. Согласно ABB, устройства IGCT способны переключать более 5000 В переменного тока и 5000 А на очень высоких частотах, что невозможно эффективно сделать с устройствами GTO.[16]

Классификации

Рис. 1: Семейство устройств питания с указанием основных переключателей питания.

Силовые устройства можно отнести к одной из следующих основных категорий (см. Рисунок 1):

  • Двухконтактное устройство (например, диод ), состояние которого полностью зависит от внешней цепи питания, к которой он подключен.
  • Трехконтактное устройство (например, триод ), состояние которого зависит не только от его внешней цепи питания, но и от сигнала на его выводе управления (этот вывод известен как ворота или же основание).
  • Четырехконцевое устройство (например, кремниевый управляемый коммутатор -SCS). SCS - это тип тиристора, имеющий четыре слоя и четыре вывода, называемых анодом, анодным затвором, катодным затвором и катодом. клеммы подключены к первому, второму, третьему и четвертому слоям соответственно.[17]

Другая классификация менее очевидна, но сильно влияет на производительность устройства:

  • А устройство большинства операторов связи (например, диод Шоттки, полевой МОП-транзистор и т. д.); при этом используется только один тип носителей заряда.
  • А устройство неосновного носителя (например, тиристор, биполярный транзистор, IGBT и т. д.); при этом используются как мажоритарные, так и неосновные носители (т. е. электроны и электронные дыры ).

Устройство с основным носителем быстрее, но инжекция заряда устройств с неосновным носителем обеспечивает лучшую производительность в открытом состоянии.

Диоды

Идеальный диод должен иметь следующие характеристики:

  • Когда смещен в прямом направлении, напряжение на концевых выводах диода должно быть нулевым, независимо от тока, протекающего через него (в открытом состоянии).
  • Когда обратный, ток утечки должен быть равен нулю, независимо от напряжения (в выключенном состоянии).
  • Переход (или переключение) между включенным и выключенным состоянием должен быть мгновенным.

На самом деле конструкция диода представляет собой компромисс между характеристиками во включенном, выключенном состоянии и коммутации. Действительно, одна и та же область устройства должна выдерживать напряжение блокировки в выключенном состоянии и позволять току течь во включенном состоянии; поскольку требования для двух состояний полностью противоположны, диод должен быть либо оптимизирован для одного из них, либо необходимо дать время для переключения из одного состояния в другое (т.е. скорость коммутации должна быть уменьшена).

Эти компромиссы одинаковы для всех силовых устройств; например, Диод Шоттки имеет отличную скорость переключения и характеристики во включенном состоянии, но высокий уровень тока утечки в выключенном состоянии. С другой стороны, PIN-диод коммерчески доступен с различными скоростями коммутации (так называемые «быстрые» и «сверхбыстрые» выпрямители), но любое увеличение скорости обязательно связано с более низкими характеристиками во включенном состоянии.

Переключатели

Рис.2: Области тока / напряжения / частоты коммутации основных переключателей силовой электроники.

Для переключателя также существует компромисс между номинальными значениями напряжения, тока и частоты. Фактически, любой силовой полупроводник полагается на структуру PIN-диода для поддержания напряжения; это можно увидеть на рисунке 2. силовой MOSFET имеет преимущества устройства с мажоритарной несущей, поэтому он может достигать очень высокой рабочей частоты, но не может использоваться с высокими напряжениями; поскольку это физический предел, никаких улучшений в конструкции кремния не ожидается. МОП-транзистор относительно его максимального номинального напряжения. Тем не менее, его отличные характеристики в приложениях с низким напряжением делают его предпочтительным устройством (фактически единственным выбором в настоящее время) для приложений с напряжением ниже 200 В. Путем параллельного размещения нескольких устройств можно увеличить номинальный ток переключателя. МОП-транзистор особенно подходит для этой конфигурации, потому что его положительный тепловой коэффициент сопротивления имеет тенденцию приводить к балансу тока между отдельными устройствами.

В IGBT является новым компонентом, поэтому его производительность регулярно улучшается по мере развития технологий. Он уже полностью заменил биполярный транзистор в энергетических приложениях; а модуль питания доступен, в котором несколько устройств IGBT соединены параллельно, что делает его привлекательным для уровней мощности до нескольких мегаватт, что еще больше увеличивает предел, при котором тиристоры и GTOs стать единственным вариантом. По сути, IGBT - это биполярный транзистор, управляемый силовым MOSFET; он имеет преимущества в том, что он является устройством с неосновной несущей (хорошая производительность во включенном состоянии, даже для высоковольтных устройств), с высоким входным сопротивлением полевого МОП-транзистора (его можно включать и выключать с очень низким уровнем мощности) .

Основным ограничением IGBT для приложений с низким напряжением является высокое падение напряжения, которое он проявляет во включенном состоянии (от 2 до 4 В). По сравнению с MOSFET рабочая частота IGBT относительно низкая (обычно не выше 50 кГц), в основном из-за проблемы во время выключения, известной как текущий хвост: Медленное затухание тока проводимости во время выключения является результатом медленной рекомбинации большого количества носителей, которые заполняют толстую «дрейфовую» область IGBT во время проводимости. В итоге потери переключения при выключении IGBT значительно превышают потери при включении. Обычно в технических данных энергия выключения упоминается как измеряемый параметр; это число необходимо умножить на частоту переключения предполагаемого применения, чтобы оценить потери при выключении.

На очень высоких уровнях мощности тиристор -на основе устройства (например, SCR, GTO, a MCT и т. д.) по-прежнему остается единственным выбором. Это устройство может быть включено с помощью импульса, выдаваемого управляющей схемой, но не может быть выключено путем снятия импульса. Тиристор отключается, как только через него перестает течь ток; это происходит автоматически в переменный ток системы в каждом цикле, или требуется цепь со средствами для отвода тока вокруг устройства. И MCT, и GTO были разработаны для преодоления этого ограничения и широко используются в распределение мощности Приложения.

Некоторые применения силовых полупроводников в режиме переключения включают лампы диммеры, импульсные источники питания, индукционные плиты, автомобильная системы зажигания, а также приводы электродвигателей переменного и постоянного тока всех размеров.

Усилители

Усилители работают в активной области, где ток и напряжение устройства не равны нулю. Следовательно, мощность постоянно рассеивается, и в его конструкции преобладает необходимость отвода избыточного тепла от полупроводникового устройства. Усилители мощности часто можно распознать по радиатор используется для крепления устройств. Существует несколько типов силовых полупроводниковых усилителей, таких как биполярный переходной транзистор, вертикальный полевой МОП-транзистор и другие. Уровни мощности для отдельных усилительных устройств составляют до сотен ватт, а пределы частоты - до нижнего. микроволновая печь группы. Полноценный двухканальный усилитель мощности звука с номинальной мощностью порядка десятков ватт может быть помещен в небольшой корпус интегральной схемы, для работы которого потребуется всего несколько внешних пассивных компонентов. Еще одно важное применение усилителей активного режима - это линейные регулируемые источники питания, когда усилитель используется в качестве источника питания. регулятор напряжения для поддержания напряжения нагрузки на желаемом уровне. Хотя такой блок питания может быть менее энергоэффективным, чем импульсный источник питания, простота применения делает их популярными, особенно в диапазонах тока примерно до одного А.

Параметры

Устройство питания обычно присоединяется к радиатор для отвода тепла, вызванного эксплуатационными потерями.
Силовой полупроводниковый кристалл трехконтактного устройства (IGBT, MOSFET или BJT). Два контакта находятся сверху матрицы, оставшийся - сзади.
  1. Напряжение пробоя: Часто существует компромисс между номинальным напряжением пробоя и сопротивлением в открытом состоянии, поскольку увеличение напряжения пробоя за счет включения более толстой и менее легированной области дрейфа приводит к более высокому сопротивлению в открытом состоянии.
  2. На сопротивление: Более высокий номинальный ток снижает сопротивление в открытом состоянии из-за большего количества параллельных ячеек. Это увеличивает общую емкость и снижает скорость.
  3. Время подъема и спада: Время, необходимое для переключения между включенным и выключенным состоянием.
  4. Зона безопасной эксплуатации: Это соображения по рассеянию тепла и "фиксации".
  5. Термическое сопротивление: Это часто игнорируемый, но чрезвычайно важный параметр с точки зрения практического дизайна; Полупроводник плохо работает при повышенной температуре, и все же из-за большой проводимости тока силовое полупроводниковое устройство неизменно нагревается. Следовательно, такие устройства необходимо охлаждать, непрерывно отводя это тепло; Технология упаковки и теплоотвода позволяет отводить тепло от полупроводникового устройства, проводя его во внешнюю среду. Как правило, устройство с большим током имеет большую площадь поверхности матрицы и упаковки и более низкое тепловое сопротивление.

Исследования и разработки

Упаковка

Роль упаковки заключается в следующем:

  • подключите матрицу к внешней цепи.
  • обеспечивают способ отвода тепла, выделяемого устройством.
  • защищать штамп от воздействия внешней среды (влаги, пыли и т. д.).

Многие проблемы надежности силового устройства связаны либо с чрезмерной температурой, либо с усталостью из-за термоциклирования. В настоящее время проводятся исследования по следующим темам:

Также продолжаются исследования по вопросам электричества, таким как уменьшение паразитной индуктивности упаковки; эта индуктивность ограничивает рабочую частоту, поскольку создает потери при коммутации.

Низковольтный полевой МОП-транзистор также ограничен паразитным сопротивлением его корпуса, поскольку его внутреннее сопротивление в открытом состоянии составляет всего один или два миллиома.

Некоторые из наиболее распространенных типов корпусов силовых полупроводников включают TO-220, TO-247, TO-262, TO-3, D2Пак и др.

Улучшение конструкций

Конструкция IGBT все еще находится в стадии разработки, и можно ожидать, что она обеспечит увеличение рабочего напряжения. МОП-управляемый тиристор является многообещающим устройством на высокомощном конце диапазона. Достижение значительного улучшения по сравнению с традиционной структурой полевого МОП-транзистора за счет использования принципа баланса заряда суперперехода: по сути, он позволяет сильно легировать толстую дрейфовую область силового полевого МОП-транзистора, тем самым снижая электрическое сопротивление потоку электронов без ущерба для напряжения пробоя. Это соседствует с областью, которая аналогичным образом легирована носителями противоположной полярности (дыры); эти две похожие, но противоположно легированные области эффективно нейтрализуют свой мобильный заряд и образуют «обедненную область», которая поддерживает высокое напряжение в выключенном состоянии. С другой стороны, во включенном состоянии более сильное легирование дрейфовой области обеспечивает легкий поток носителей, тем самым снижая сопротивление в открытом состоянии. Коммерческие устройства, основанные на этом принципе супер-перехода, были разработаны такими компаниями, как Infineon (Продукты CoolMOS) и Международный выпрямитель (ИК).

Полупроводники с широкой запрещенной зоной

Главный прорыв в области силовых полупроводниковых устройств ожидается от замены кремния полупроводником с широкой запрещенной зоной. В данный момент, Карбид кремния (SiC) считается наиболее перспективным. SiC диод Шоттки с пробивным напряжением 1200 В коммерчески доступен, как и диод 1200 В. JFET. Поскольку оба являются устройствами большинства операторов связи, они могут работать на высокой скорости. Разрабатывается биполярное устройство для более высоких напряжений (до 20 кВ). Среди его преимуществ карбид кремния может работать при более высоких температурах (до 400 ° C) и имеет более низкую термическое сопротивление чем кремний, что обеспечивает лучшее охлаждение.

Смотрите также

Примечания и ссылки

Примечания

  1. ^ Бернард Финн, Выставление электроники, CRC Press, 2000 ISBN  9058230562 страницы 14-15
  2. ^ Питер Робин Моррис, История мировой полупроводниковой промышленности, ИЭПП 1990 ISBN  0863412270 стр.18
  3. ^ Питер Робин Моррис, История мировой полупроводниковой промышленности, ИЭПП 1990 ISBN  0863412270 страницы 39-41
  4. ^ Х. ван Лигтен, Д. Навон, «Базовое отключение переключателей GTO», IRE Wescon Convention Record, Часть 3 об электронных устройствах, стр. 49–52, август 1960.
  5. ^ "Переосмыслить плотность мощности с помощью GaN". Электронный дизайн. 21 апреля 2017 г.. Получено 23 июля 2019.
  6. ^ Окснер, Э. С. (1988). Технология и применение Fet. CRC Press. п. 18. ISBN  9780824780500.
  7. ^ "Достижения в области дискретных полупроводников идут вперед". Технология силовой электроники. Информация: 52–6. Сентябрь 2005 г. В архиве (PDF) из оригинала 22 марта 2006 г.. Получено 31 июля 2019.
  8. ^ Дункан, Бен (1996). Усилители мощности аудио высокого качества. Эльзевир. стр.177-8, 406. ISBN  9780080508047.
  9. ^ Жак Арно, Пьер Мерль Dispositifs de l'électronique de puissance, Издательство Hermès, ISBN  2-86601-306-9 (На французском)
  10. ^ "Основы силового MOSFET" (PDF). Alpha & Omega Semiconductor. Получено 29 июля 2019.
  11. ^ Уайтли, Кэрол; Маклафлин, Джон Роберт (2002). Технологии, предприниматели и Кремниевая долина. Институт истории техники. ISBN  9780964921719. Эти активные электронные компоненты или силовые полупроводниковые продукты от Siliconix используются для переключения и преобразования энергии в широком диапазоне систем, от портативных информационных устройств до коммуникационной инфраструктуры, обеспечивающей выход в Интернет. Силовые МОП-транзисторы компании - крошечные твердотельные переключатели или металлооксидные полупроводниковые полевые транзисторы - и силовые интегральные схемы широко используются в сотовых телефонах и ноутбуках для эффективного управления питанием от батарей.
  12. ^ «Рынок силовых транзисторов превысит 13,0 млрд долларов в 2011 году». IC Insights. 21 июня 2011 г.. Получено 15 октября 2019.
  13. ^ а б c Харт, Д. (2010). Силовая электроника. McGraw-Hill Education. С. Глава 1. ISBN  978-0-07-128930-6.
  14. ^ а б c d Мохан, Н. (2003). Применение и конструкция преобразователей силовой электроники. Мичиган: Джон Уайли и сыновья. С. Глава 1. ISBN  978-0-471-22693-2.
  15. ^ а б c Бозе, Б. (апрель 1992 г.). «Оценка современных силовых полупроводниковых устройств и будущих тенденций в области преобразователей». IEEE Transactions по отраслевым приложениям. 28 (2).
  16. ^ «полупроводник ГТО». GTO. ABB. Получено 21 марта 2012.
  17. ^ Роберт Бойлестад и Луи Нашельски (2006). Электронные устройства. и теория цепей. 9-е издание Prentice Hall. Река Аппер Сэдл, Нью-Джерси. Колумбус

Рекомендации

  • Балига, Б. Джаянт. Силовые полупроводниковые приборы. Бостон: издательская компания PWS. ISBN  0-534-94098-6.
  • Джайн, Алок. Силовая электроника и ее применение. Мумбаи: Пенрам Интернэшнл Паблишинг. ISBN  81-87972-22-X.
  • Семикрон: Руководство по применению Силовые модули IGBT и MOSFET, 2. Издание, 2015, ISLE Verlag, ISBN  978-3-938843-83-3 PDF-версия
  • Арендт Винтрих; Ульрих Николай; Вернер Турский; Тобиас Рейманн (2010), Applikationshandbuch 2015 (PDF) (на немецком языке) (2-е изд.), ISLE Verlag, ISBN  978-3-938843-83-3
  • Арендт Винтрих; Ульрих Николай; Вернер Турский; Тобиас Рейманн (2015). Руководство по применению 2015 (PDF) (2-е изд.). ISLE Verlag. ISBN  978-3-938843-83-3.

внешняя ссылка