Диод - Diode

Информационные диоды см. Однонаправленная сеть. Для использования в других целях см. Диоды (значения).
Кремниевый диод крупным планом. Анод находится справа; катод находится с левой стороны (там, где он отмечен черной полосой). Между двумя выводами виден квадратный кристалл кремния.
Различные полупроводниковые диоды. Внизу: A мостовой выпрямитель. В большинстве диодов полоса, окрашенная в белый или черный цвет, обозначает катод в которую будут течь электроны, когда диод проводит. Электронный поток обратен обычный ток поток.[1] [2][3]
Структура вакуумная труба диод. Сама нить накала может быть катодом или, чаще (как показано здесь), использоваться для нагрева отдельной металлической трубки, которая служит катодом.

А диод это двух-Терминал электронный компонент что проводит Текущий преимущественно в одном направлении (асимметричный проводимость ); у него низкий (в идеале нулевой) сопротивление в одну сторону и высоко (в идеале бесконечно) сопротивление в другом. Диод вакуумная труба или же термоэмиссионный диод представляет собой вакуумную трубку с двумя электроды, подогреваемый катод и пластина, в котором электроны могут течь только в одном направлении, от катода к пластине. А полупроводниковый диод, наиболее часто используемый тип сегодня, это кристаллический кусок полупроводник материал с p – n переход подключен к двум электрическим клеммам.[4] Полупроводниковые диоды были первыми полупроводниковые электронные устройства. Открытие асимметричной электропроводности на контакте между кристаллическим минералом и металлом было сделано немецким физиком. Фердинанд Браун в 1874 году. Сегодня большинство диодов изготовлено из кремний, но другие полупроводниковые материалы, такие как арсенид галлия и германий также используются.[5]

Основные функции

Наиболее распространенная функция диода - пропускать электрический ток в одном направлении (называемом диодным вперед направлении), блокируя его в обратном направлении ( обеспечить регресс направление). Таким образом, диод можно рассматривать как электронную версию обратный клапан. Это однонаправленное поведение называется исправление, и используется для преобразования переменный ток (ac) к постоянный ток (Округ Колумбия). Формы выпрямители, диоды можно использовать для таких задач, как извлечение модуляция от радиосигналов в радиоприемниках.

Однако диоды могут иметь более сложное поведение, чем это простое двухпозиционное действие, из-за их нелинейный вольт-амперные характеристики.[6] Полупроводниковые диоды начинают проводить электричество только в том случае, если определенное пороговое напряжение или напряжение включения присутствует в прямом направлении (состояние, в котором диод называется смещен в прямом направлении ). Падение напряжения на диоде с прямым смещением мало изменяется в зависимости от тока и является функцией температуры; этот эффект можно использовать как Датчик температуры или как опорное напряжение. Кроме того, высокое сопротивление диодов току, протекающему в обратном направлении, внезапно падает до низкого сопротивления, когда обратное напряжение на диоде достигает значения, называемого напряжение пробоя.

Вольт-амперную характеристику полупроводникового диода можно настроить, выбрав полупроводниковые материалы и допинг примеси, внесенные в материалы в процессе производства.[6] Эти методы используются для создания диодов специального назначения, которые выполняют множество различных функций.[6] Например, диоды используются для регулирования напряжения (Стабилитроны ), для защиты цепей от скачков высокого напряжения (лавинные диоды ), для электронной настройки радио и ТВ-приемников (варакторные диоды ), чтобы генерировать радиочастота колебания (туннельные диоды, Диоды Ганна, IMPATT диоды ) и производить свет (светодиоды ). Выставка туннельных диодов, диодов Ганна и IMPATT отрицательное сопротивление, что полезно в микроволновая печь и коммутационные схемы.

Диоды, как вакуумные, так и полупроводниковые, могут использоваться в качестве генераторы дробового шума.

История

Термоэмиссионный (вакуумная труба ) диоды и твердое состояние (полупроводниковые) диоды были разработаны отдельно примерно в то же время, в начале 1900-х годов, как радиоприемники. детекторы.[7] До 1950-х годов вакуумные диоды чаще использовались в радиоприемниках, потому что первые точечные полупроводниковые диоды были менее стабильными. Кроме того, большинство приемных комплектов имели вакуумные лампы для усиления, которые могли легко иметь термоэлектронные диоды, включенные в лампу (например, 12SQ7 двойной диодный триод ), а ламповые выпрямители и газонаполненные выпрямители были способны справляться с некоторыми задачами выпрямления высокого напряжения / сильного тока лучше, чем полупроводниковые диоды (например, селеновые выпрямители ), которые были доступны в то время.

Ламповые диоды

Дальнейшая информация: Вакуумная лампа § История и развитие

В 1873 г. Фредерик Гатри заметил, что заземленный раскаленный металлический шар, помещенный в непосредственной близости от электроскопа, разряжает положительно заряженный электроскоп, но не отрицательно заряженный электроскоп.[8][9]

В 1880 году Томас Эдисон наблюдал однонаправленный ток между нагретыми и ненагреваемыми элементами в лампочке, позже названной Эффект Эдисона, и получил патент на применение явления для использования в ОКРУГ КОЛУМБИЯ вольтметр.[10][11]

Примерно 20 лет спустя Джон Амброуз Флеминг (научный руководитель Компания Маркони и бывший сотрудник Эдисона) понял, что эффект Эдисона можно использовать как радио детектор. Флеминг запатентовал первый настоящий термоэлектронный диод, Клапан Флеминга, в Великобритании 16 ноября 1904 г.[12] (с последующим Патент США 803,684 в ноябре 1905 г.).

На протяжении всей эры электронных ламп вентильные диоды использовались почти во всей электронике, такой как радио, телевизоры, звуковые системы и приборы. Они медленно теряли долю рынка, начиная с конца 1940-х годов из-за селеновый выпрямитель технологии, а затем и полупроводниковых диодов в 1960-х годах. Сегодня они по-прежнему используются в нескольких приложениях с высокой мощностью, где их способность выдерживать переходные напряжения и их надежность дает им преимущество перед полупроводниковыми устройствами, а также в музыкальных инструментах и ​​аудиофильных приложениях.

Твердотельные диоды

Основная статья: Кристаллический детектор

В 1874 году немецкий ученый Карл Фердинанд Браун обнаружил «одностороннюю проводимость» через контакт между металлом и минеральная.[13][14] Джагадиш Чандра Босе был первым, кто использовал кристалл для обнаружения радиоволн в 1894 году.[15] В кристаллический детектор был разработан в практическое устройство для беспроводной телеграф к Гринлиф Уиттиер Пикард, который изобрел кремний кристаллический детектор в 1903 г. и получил на него патент 20 ноября 1906 г.[16] Другие экспериментаторы пробовали использовать множество других минералов в качестве детекторов. Принципы полупроводников были неизвестны разработчикам этих первых выпрямителей. В 1930-х годах понимание физики продвинулось, и в середине 1930-х исследователи из Bell Telephone Laboratories осознали потенциал кристаллического детектора для применения в микроволновой технологии.[17] Исследователи из Bell Labs, Western Electric, Массачусетский технологический институт, Purdue и в Великобритания интенсивно развивающиеся точечные диоды (кристаллические выпрямители или же кристаллические диоды) во время Второй мировой войны для применения в радарах.[17] После Второй мировой войны AT&T использовала их в своих микроволновых башнях, которые пересекали Соединенные Штаты, и многие радары используют их даже в 21 веке. В 1946 году Sylvania начала предлагать кристаллический диод 1N34.[18][19][20] В начале 1950-х годов были разработаны переходные диоды.

Этимология

Во время их изобретения устройства с асимметричной проводимостью были известны как выпрямители. В 1919-м году тетроды были изобретены, Уильям Генри Эклс ввел термин диод от Греческие корни ди (из δί), что означает «два», и ода (из οδός), что означает «путь». Слово диод, однако, как и триод, тетрод, пентод, гексод, уже использовались как условия мультиплекс телеграфия.[21]

Выпрямители

Основная статья: Выпрямитель

Хотя все диоды исправить, период, термин выпрямитель обычно применяется для диодов, предназначенных для источник питания применение, чтобы отличить их от диодов, предназначенных для слабый сигнал схемы.

Ламповые диоды

Символ вакуумного лампового диода косвенного нагрева. Имена элементов сверху вниз: пластина, катод, и обогреватель.

Термоэлектронный диод - это термоэмиссионный клапан устройство, состоящее из герметичного вакуумированного стеклянного или металлического корпуса, содержащего два электроды: а катод и пластина. Катод либо косвенно нагретый или же с прямым нагревом. Если используется косвенный нагрев, в конверт входит нагреватель.

Во время работы катод нагревается до красного каления (800–1000 ° C, 1500–1800 ° F). Катод с прямым нагревом изготовлен из вольфрамовой проволоки и нагревается током, пропускаемым через него от внешнего источника напряжения. Катод с косвенным нагревом нагревается инфракрасным излучением от ближайшего нагревателя, который состоит из Нихром провод и питается током от внешнего источника напряжения.

Электронная лампа с двумя силовыми диодами

Рабочая температура катода заставляет его высвобождаться электроны в вакуум, процесс, называемый термоэлектронная эмиссия. Катод покрыт оксиды из щелочноземельные металлы, Такие как барий и стронций оксиды. У них низкий рабочая функция, что означает, что они с большей готовностью испускают электроны, чем катод без покрытия.

Пластина, не нагреваясь, не испускает электроны; но способен их поглотить.

Выпрямляемое переменное напряжение прикладывается между катодом и пластиной. Когда напряжение на пластине положительно по отношению к катоду, пластина электростатически притягивает электроны от катода, поэтому ток электронов течет по трубке от катода к пластине. Когда напряжение на пластине отрицательное по отношению к катоду, пластина не испускает электроны, поэтому ток не может проходить от пластины к катоду.

Полупроводниковые диоды

Крупный план германиевого точечного диода EFD108 в корпусе из стекла DO7, демонстрирующий острый металлический провод (кошачий ус), образующий полупроводниковый переход.

Точечные диоды

Точечно-контактные диоды разрабатывались, начиная с 30-х годов прошлого века. кристаллический детектор технологии, и в настоящее время обычно используются в диапазоне от 3 до 30 гигагерц.[17][22][23][24] В точечных диодах используется металлический провод небольшого диаметра, контактирующий с полупроводниковым кристаллом, и они могут быть либо несварной тип контакта или сварной контакт тип. Несварная контактная конструкция использует принцип барьера Шоттки. Металлическая сторона - это заостренный конец проволоки небольшого диаметра, который контактирует с кристаллом полупроводника.[25] В сварном контактном типе небольшая P-область формируется в кристалле N-типа вокруг металлической точки во время изготовления путем мгновенного пропускания относительно большого тока через устройство.[26][27] Диоды с точечным контактом обычно имеют более низкую емкость, более высокое прямое сопротивление и большую обратную утечку, чем переходные диоды.

Переходные диоды

p – n-переходный диод

Основная статья: p – n диод

Диод на p – n переходе выполнен из кристалла полупроводник, обычно кремний, но германий и арсенид галлия также используются. К нему добавляются примеси, чтобы создать на одной стороне область, содержащую отрицательные носители заряда (электроны), называемые полупроводник n-типа, и область на другой стороне, которая содержит положительные носители заряда (дыры ), названный полупроводник p-типа. Когда материалы n-типа и p-типа соединены вместе, мгновенный поток электронов происходит от стороны n к стороне p, что приводит к образованию третьей области между ними, где нет носителей заряда. Этот регион называется область истощения потому что в нем нет носителей заряда (ни электронов, ни дырок). Выводы диода прикреплены к областям n-типа и p-типа. Граница между этими двумя регионами называется p – n переход, здесь и происходит действие диода. Когда достаточно высокий электрический потенциал применяется к стороне P ( анод ), чем в сторону N ( катод ), он позволяет электронам проходить через обедненную область со стороны N-типа на сторону P-типа. Переход не позволяет электронам течь в противоположном направлении, когда потенциал прикладывается в обратном направлении, создавая, в некотором смысле, электрический ток. обратный клапан.

Диод Шоттки

Основная статья: Диод Шоттки

Другой тип переходного диода, Диод Шоттки, формируется из переход металл – полупроводник вместо p – n-перехода, что снижает емкость и увеличивает скорость переключения.[28][29]

ВАХ

ВАХ (зависимость тока от напряжения) диода с p-n переходом

Поведение полупроводникового диода в цепи определяется его вольт-амперная характеристика, или график ВАХ (см. график ниже). Форма кривой определяется переносом носителей заряда через так называемые слой истощения или же область истощения который существует в p – n переход между разными полупроводниками. Когда p − n-переход создается впервые, электроны зоны проводимости (подвижные) из N-допированный область диффундирует в P-допированный область, где есть большая популяция дырок (свободные места для электронов), с которыми электроны «рекомбинируют». Когда мобильный электрон рекомбинирует с дыркой, и дырка, и электрон исчезают, оставляя после себя неподвижный положительно заряженный донор (допант) на стороне N и отрицательно заряженный акцептор (допант) на стороне P. Область вокруг p − n-перехода становится обедненной носители заряда и, таким образом, ведет себя как изолятор.

Однако ширина области истощения (называемой ширина истощения ) не может расти без ограничений. Для каждого электронно-дырочная пара рекомбинация, положительно заряженный присадка ион остается позади в области, легированной N, и отрицательно заряженный ион легирующей примеси создается в области, легированной P. По мере того, как рекомбинация продолжается и создается больше ионов, через зону обеднения возникает увеличивающееся электрическое поле, которое замедляет, а затем, наконец, останавливает рекомбинацию. В этот момент существует «встроенный» потенциал в зоне истощения.

А PN переход диод в режиме прямого смещения, ширина истощения уменьшается. И p, и n-переходы легированы при концентрации 1e15 / см3. допинг уровень, приводящий к встроенному потенциалу ~ 0,59 В. Обратите внимание на разные квазиуровни Ферми для зоны проводимости и валентной зоны в n- и p-областях (красные кривые).

Обратное смещение

Если на диод подается внешнее напряжение с той же полярностью, что и встроенный потенциал, зона истощения продолжает действовать как изолятор, предотвращая какой-либо значительный электрический ток (если только электронно-дырочные пары активно создаются на стыке, например, светом; видеть фотодиод ). Это называется обратное смещение явление.

Прямое смещение

Однако, если полярность внешнего напряжения противоположна встроенному потенциалу, рекомбинация может снова продолжиться, что приведет к значительному электрическому току через p − n-переход (то есть значительное количество электронов и дырок рекомбинирует в переходе). Для кремниевых диодов встроенный потенциал составляет примерно 0,7 В (0,3 В для германия и 0,2 В для Шоттки). Таким образом, если приложено внешнее напряжение, большее и противоположное встроенному напряжению, будет течь ток, и диод считается «включенным», поскольку на него было подано внешнее напряжение. прямое смещение. Обычно говорят, что диод имеет прямое «пороговое» напряжение, выше которого он проводит, а ниже которого проводимость прекращается. Однако это только приближение, поскольку прямая характеристика гладкая (см. График I-V выше).

Диод ВАХ можно аппроксимировать четырьмя регионами эксплуатации:

  1. При очень большом обратном смещении за пределами пиковое обратное напряжение или PIV, процесс, называемый обратным авария происходит, что вызывает большое увеличение тока (то есть большое количество электронов и дырок создается в p − n-переходе и удаляется от него), что обычно приводит к необратимому повреждению устройства. В лавинный диод специально разработан для использования таким образом. в Стабилитрон, концепция PIV неприменима. Стабилитрон содержит сильно легированный p – n-переход, позволяющий электронам туннелировать из валентной зоны материала p-типа в зону проводимости материала n-типа, так что обратное напряжение «фиксируется» до известного значения ( называется Напряжение стабилитрона), и лавины не происходит. Однако оба устройства имеют ограничение на максимальный ток и мощность, которые они могут выдержать в фиксированной области обратного напряжения. Кроме того, после окончания прямой проводимости в любом диоде на короткое время возникает обратный ток. Устройство не достигает своей полной блокирующей способности, пока обратный ток не прекратится.
  2. Для смещения меньше PIV обратный ток очень мал. Для нормального выпрямительного диода P – N обратный ток через устройство в диапазоне микроампер (мкА) очень мал. Однако это зависит от температуры, и при достаточно высоких температурах может наблюдаться значительная величина обратного тока (мА или более). Существует также крошечный поверхностный ток утечки, вызванный просто движением электронов вокруг диода, как если бы он был несовершенным изолятором.
  3. При небольшом прямом смещении, когда проводится только небольшой прямой ток, кривая вольт-амперной характеристики имеет вид экспоненциальный в соответствии с уравнением идеального диода. Существует определенное прямое напряжение, при котором диод начинает значительно проводить. Это называется напряжение колена или же напряжение включения и равен барьерный потенциал p-n перехода. Это особенность экспоненциальной кривой, которая выглядит более резкой в ​​текущем масштабе, более сжатом, чем на диаграмме, показанной здесь.
  4. При больших прямых токах на вольт-амперной кривой начинает преобладать омическое сопротивление массивного полупроводника. Кривая больше не является экспоненциальной, она асимптотична прямой линии, наклон которой является объемным сопротивлением. Эта область особенно важна для силовых диодов. Диод можно смоделировать как идеальный диод, соединенный последовательно с постоянным резистором.

В небольшом кремниевом диоде, работающем при номинальном токе, падение напряжения составляет от 0,6 до 0,7. вольт. Значение отличается для других типов диодов -Диоды Шоттки могут иметь номинальное напряжение от 0,2 В, германиевые диоды от 0,25 до 0,3 В, красные или синие светодиоды (Светодиоды) могут иметь значения 1,4 В и 4,0 В соответственно.[нужна цитата ]

При более высоких токах прямое падение напряжения на диоде увеличивается. Падение от 1 В до 1,5 В при полном номинальном токе типично для силовых диодов.

Уравнение диода Шокли

Основная статья: Уравнение диода Шокли

В Уравнение идеального диода Шокли или диодный закон (назван в честь биполярный переходной транзистор соавтор Уильям Брэдфорд Шокли ) дает ВАХ идеального диода при прямом или обратном смещении (или без смещения). Следующее уравнение называется Уравнение идеального диода Шокли когда п, коэффициент идеальности принимается равным 1:

куда

я ток диода,
яS обратное смещение ток насыщения (или масштабировать ток),
VD напряжение на диоде,
VТ это тепловое напряжение, и
п это фактор идеальности, также известный как фактор качества или иногда коэффициент выбросов. Фактор идеальности п обычно варьируется от 1 до 2 (хотя в некоторых случаях может быть выше), в зависимости от процесса изготовления и материала полупроводника, и устанавливается равным 1 в случае «идеального» диода (поэтому n иногда опускается). Фактор идеальности был добавлен для учета несовершенных переходов, наблюдаемых в реальных транзисторах. Фактор в основном учитывает рекомбинация носителей когда носители заряда пересекают область истощения.

В тепловое напряжение VТ составляет примерно 25,85 мВ при 300 K, температуре, близкой к «комнатной температуре», обычно используемой в программном обеспечении для моделирования устройств. При любой температуре это известная константа, определяемая следующим образом:

куда k это Постоянная Больцмана, Т - абсолютная температура p − n-перехода, а q величина заряда электрон (в элементарный заряд ).

Обратный ток насыщения, яS, не является постоянным для данного устройства, но зависит от температуры; обычно более значительно, чем VТ, так что VD обычно уменьшается как Т увеличивается.

В Уравнение идеального диода Шокли или диодный закон выводится в предположении, что единственными процессами, вызывающими ток в диоде, являются дрейф (из-за электрического поля), диффузия и тепловая рекомбинация – генерация (R – G) (это уравнение получается, если n = 1 выше). Также предполагается, что ток R – G в обедненной области несущественен. Это означает, что Уравнение идеального диода Шокли не учитывает процессы обратного пробоя и фотонно-индуцированного R – G. Кроме того, он не описывает «выравнивание» ВАХ при высоком прямом смещении из-за внутреннего сопротивления. Введение коэффициента идеальности n учитывает рекомбинацию и генерацию носителей.

Под обратное смещение Напряжения экспонента в уравнении диода пренебрежимо мала, а ток является постоянным (отрицательным) значением обратного тока -яS. Обратное область разрушения не моделируется уравнением диода Шокли.

Для даже довольно маленьких прямое смещение Напряжения экспонента очень велика, так как тепловое напряжение очень мало по сравнению. Тогда вычтенная 1 в уравнении диода пренебрежимо мала, и прямой ток диода может быть приблизительно равен

Использование уравнения диода в схемных задачах проиллюстрировано в статье диодное моделирование.

Малосигнальное поведение

При прямом напряжении меньше напряжения насыщения кривая зависимости напряжения от тока большинства диодов не является прямой линией. Сила тока может быть приблизительно равна как упоминалось в предыдущем разделе.

В детекторах и смесителях ток можно оценить с помощью ряда Тейлора.[30] Нечетные члены могут быть опущены, потому что они создают частотные компоненты, которые находятся за пределами полосы пропускания смесителя или детектора. Даже члены, выходящие за рамки второй производной, обычно не нужно включать, потому что они малы по сравнению с членом второго порядка.[30] Требуемая составляющая тока приблизительно пропорциональна квадрату входного напряжения, поэтому отклик называется квадратный закон в этом регионе.[25]:п. 3

Эффект обратного восстановления

После окончания прямой проводимости в диоде p – n-типа в течение короткого времени может протекать обратный ток. Устройство не достигает своей блокирующей способности до тех пор, пока не разрядится мобильный заряд в соединении.

Эффект может быть значительным при очень быстром переключении больших токов.[31] Определенное количество «обратного времени восстановления» тр (порядка десятков наносекунд до нескольких микросекунд) может потребоваться для удаления заряда обратного восстановления Qр от диода. В течение этого времени восстановления диод может фактически проводить в обратном направлении. Это может привести к возникновению большого постоянного тока в обратном направлении на короткое время, пока диод находится в обратном смещении. Величина такого обратного тока определяется рабочей схемой (то есть последовательным сопротивлением), и говорят, что диод находится в фазе накопления.[32] В некоторых реальных случаях важно учитывать потери, связанные с этим неидеальным диодным эффектом.[33] Однако когда скорость нарастания силы тока не настолько сильны (например, частота сети), влияние можно спокойно игнорировать. Для большинства приложений эффект также незначителен для Диоды Шоттки.

Обратный ток внезапно прекращается, когда накопленный заряд истощается; эта резкая остановка используется в ступенчатые диоды восстановления для генерации очень коротких импульсов.

Типы полупроводниковых диодов

Нормальные (p – n) диоды, которые работают, как описано выше, обычно изготавливаются из легированных кремний или же германий. До разработки кремниевых выпрямительных диодов, закись меди и позже селен использовался. Их низкий КПД требовал приложения гораздо более высокого прямого напряжения (обычно от 1,4 до 1,7 В на «элемент», при этом несколько ячеек уложены друг на друга, чтобы увеличить пиковое значение обратного напряжения для применения в высоковольтных выпрямителях) и требовали большого радиатора (часто расширение металла диода субстрат ), намного больше, чем потребуются более поздние кремниевые диоды с такими же номинальными токами. Подавляющее большинство всех диодов - это p – n-диоды, используемые в CMOS интегральные схемы,[34] которые включают два диода на вывод и множество других внутренних диодов.

Лавинные диоды
Это диоды, которые проводят в обратном направлении, когда напряжение обратного смещения превышает напряжение пробоя. Они электрически очень похожи на стабилитроны (и их часто ошибочно называют стабилитронами), но выходят из строя по другому механизму: лавинный эффект. Это происходит, когда обратное электрическое поле, приложенное к p – n-переходу, вызывает волну ионизации, напоминающую лавину, приводящую к сильному току. Лавинные диоды предназначены для пробоя при четко определенном обратном напряжении без разрушения. Разница между лавинным диодом (который имеет обратный пробой выше примерно 6,2 В) и стабилитроном состоит в том, что длина канала первого превышает длину свободного пробега электронов, что приводит к множеству столкновений между ними на пути через канал. Единственное практическое различие между этими двумя типами состоит в том, что они имеют температурные коэффициенты противоположной полярности.
Диоды постоянного тока
Это на самом деле JFET-транзисторы[35] с затвором, закороченным на источник, и функционирует как двухконтактный токоограничивающий аналог стабилитрона с ограничением напряжения. Они позволяют току через них повышаться до определенного значения, а затем выравниваться до определенного значения. Также называемый CLD, диоды постоянного тока, диодно-связанные транзисторы, или же токорегулирующие диоды.
Кристаллические выпрямители или кристаллические диоды
Это точечные диоды.[25] Серия 1N21 и другие используются в смесителях и детекторах радаров и микроволновых приемников.[22][23][24] 1N34A - еще один пример кристаллического диода.[36]
Диоды Ганна
Они похожи на туннельные диоды в том, что они сделаны из таких материалов, как GaAs или InP, которые имеют область отрицательное дифференциальное сопротивление. При соответствующем смещении дипольные домены образуются и перемещаются по диоду, обеспечивая высокую частоту микроволновая печь генераторы быть построенным.
Светодиоды (Светодиоды)
В диоде, сформированном из прямая запрещенная зона полупроводник, такой как арсенид галлия, носители заряда, пересекающие переход, испускают фотоны когда они рекомбинируются с основным носителем на другой стороне. В зависимости от материала, длины волн (или цвета)[37] от инфракрасный к ближайшему ультрафиолетовый могут быть произведены.[38] Первые светодиоды были красными и желтыми, а со временем были разработаны более высокочастотные диоды. Все светодиоды излучают некогерентный узкоспектральный свет; «белые» светодиоды на самом деле синий светодиод с желтым сцинтиллятор покрытие, либо комбинации из трех светодиодов разного цвета. Светодиоды также могут использоваться в качестве низкоэффективных фотодиодов в сигнальных приложениях. Светодиод может быть соединен с фотодиодом или фототранзистором в одном корпусе, чтобы сформировать оптоизолятор.
Лазерные диоды
Когда светодиодная структура содержится в резонансная полость образованный полировкой параллельных торцов, a лазер может быть сформирован. Лазерные диоды обычно используются в оптическое хранилище устройств и для высокой скорости оптическая связь.
Тепловые диоды
Этот термин используется как для обычных p – n-диодов, используемых для контроля температуры, поскольку их прямое напряжение зависит от температуры, так и для Тепловые насосы Пельтье за термоэлектрический нагрев и охлаждение. Тепловые насосы Пельтье могут быть изготовлены из полупроводников, хотя они не имеют выпрямляющих переходов, они используют различное поведение носителей заряда в полупроводниках N- и P-типа для перемещения тепла.
Фотодиоды
Все полупроводники подлежат оптическому носитель заряда поколение. Обычно это нежелательный эффект, поэтому большинство полупроводников упаковано в светозащитный материал. Фотодиоды предназначены для восприятия света (фотоприемник ), поэтому они упакованы в материалы, пропускающие свет, и обычно представляют собой PIN (тип диода, наиболее чувствительный к свету).[39] Фотодиод можно использовать в солнечные батареи, в фотометрия, или в оптическая связь. Несколько фотодиодов могут быть упакованы в одном устройстве либо в виде линейной матрицы, либо в виде двумерной матрицы. Эти массивы не следует путать с устройства с зарядовой связью.
PIN диоды
ПИН-диод имеет центральную нелегированную или внутренний, слой, образующий структуру p-типа / внутреннего / n-типа.[40] Они используются в качестве радиочастотных переключателей и аттенюаторов. Они также используются в качестве детекторов ионизирующего излучения большого объема и в качестве фотоприемники. PIN-диоды также используются в силовая электроника, так как их центральный слой выдерживает высокое напряжение. Кроме того, структуру PIN-кода можно найти во многих силовые полупроводниковые приборы, Такие как IGBT, мощность МОП-транзисторы, и тиристоры.
Диоды Шоттки
Шоттки Диоды построены от контакта металла к полупроводнику. У них меньшее прямое падение напряжения, чем у диодов с p – n переходом. Их прямое падение напряжения при прямом токе около 1 мА находится в диапазоне от 0,15 В до 0,45 В, что делает их полезными при работе с напряжением. зажимные приложения и предотвращение насыщения транзисторов. Их также можно использовать в качестве низкотемпературных выпрямители, хотя их обратный ток утечки в целом выше, чем у других диодов. Диоды Шоттки основной оператор устройства и поэтому не страдают от проблем с хранением неосновных носителей, которые замедляют работу многих других диодов, поэтому они имеют более быстрое обратное восстановление, чем диоды с p – n переходом. Они также, как правило, имеют гораздо меньшую емкость перехода, чем p – n-диоды, что обеспечивает высокую скорость переключения и их использование в высокоскоростных схемах и ВЧ-устройствах, таких как импульсный источник питания, смесители, и детекторы.
Супер барьерные диоды
Супербарьерные диоды - это выпрямительные диоды, которые включают в себя низкое прямое падение напряжения диода Шоттки с возможностью защиты от перенапряжения и низкий ток обратной утечки обычного диода с p – n переходом.
Золото легированные диоды
В качестве допанта золото (или платина ) действует как центры рекомбинации, что способствует быстрой рекомбинации неосновных носителей. Это позволяет диоду работать на частотах сигнала за счет более высокого прямого падения напряжения. Легированные золотом диоды быстрее, чем другие p – n-диоды (но не так быстро, как диоды Шоттки). Они также имеют меньшую утечку обратного тока, чем диоды Шоттки (но не так хороши, как другие p – n-диоды).[41][42] Типичный пример - 1N914.
Отщепление или Ступенчатые восстановительные диоды
Период, термин пошаговое восстановление относится к форме обратной характеристики этих устройств. После прохождения прямого тока в SRD и ток прерывается или меняется на противоположное, обратная проводимость прекращается очень резко (как в ступенчатой ​​форме волны). Следовательно, SRD могут обеспечивать очень быстрые переходы напряжения за счет очень внезапного исчезновения носителей заряда.
Стабисторы или же Прямые опорные диоды
Период, термин стабистор относится к особому типу диодов с очень стабильной прямое напряжение характеристики. Эти устройства специально разработаны для низковольтной стабилизации, требующей гарантированного напряжения в широком диапазоне токов и высокой стабильности по температуре.
Диод подавления переходных напряжений (TVS)
Это лавинные диоды, разработанные специально для защиты других полупроводниковых устройств от высокого напряжения. переходные процессы.[43] Их p – n-переходы имеют гораздо большую площадь поперечного сечения, чем у обычного диода, что позволяет им проводить большие токи на землю без повреждений.
Туннельные диоды или же Диоды Esaki
У них есть область действия, показывающая отрицательное сопротивление вызванный квантовое туннелирование,[44] позволяющие усиление сигналов и очень простые бистабильные схемы. Из-за высокой концентрации носителей заряда туннельные диоды очень быстрые, их можно использовать при низких температурах (мкК), сильных магнитных полях и в средах с высоким уровнем излучения.[45] Благодаря этим свойствам они часто используются в космических кораблях.
Варикап или варакторные диоды
Они используются как управляемые по напряжению конденсаторы. Это важно в системе ФАПЧ (ФАПЧ ) и FLL (частотная автоподстройка частоты ) схемы, позволяющие схемам настройки, например, в телевизионных приемниках, быстро фиксироваться на частоте. Они также позволяли настраивать генераторы на ранних этапах дискретной настройки радиоприемников, когда дешевый и стабильный кварцевый генератор с фиксированной частотой обеспечивал опорную частоту для генератор, управляемый напряжением.
Стабилитроны
Их можно заставить проводить обратное смещение (назад) и правильно называть диодами обратного пробоя. Этот эффект называется Пробой стабилитрона, Происходит в точно определенное напряжение, что позволяет диод для использования в качестве опорного напряжения точности. Термин стабилитроны в просторечии применяется к нескольким типам пробивных диодов, но, строго говоря, стабилитроны имеют напряжение пробоя ниже 5 вольт, в то время как лавинные диоды используются для пробивных напряжений выше этого значения. На практике эталонных цепей напряжения, стабилитрон и переключающие диоды соединены последовательно и противоположных направления, чтобы сбалансировать ответ температурного коэффициента диодов практически до нуля. Некоторые устройства, обозначенные как высоковольтные стабилитроны, на самом деле являются лавинными диодами (см. Выше). Два (эквивалентных) стабилитрона, включенных последовательно и в обратном порядке, в одном корпусе, составляют поглотитель переходных процессов (или Трансорб, зарегистрированная торговая марка).

Другие применения полупроводниковых диодов включают измерение температуры и вычисление аналоговых сигналов. логарифмы (видеть Применение операционных усилителей # Логарифмический выход ).

Графические символы

Основная статья: Электронный символ

Символ, используемый для обозначения определенного типа диода в принципиальная электрическая схема передает читателю общую электрическую функцию. Для некоторых типов диодов существуют альтернативные обозначения, хотя различия незначительны. Треугольник в символах указывает в прямом направлении, т.е. в направлении обычный ток поток.

Схемы нумерации и кодирования

Существует ряд общих стандартных схем нумерации и кодирования диодов, устанавливаемых производителем; два наиболее распространенных из них ОВОС /JEDEC стандарт и европейский Pro Electron стандарт:

EIA / JEDEC

Стандартизированная нумерация серии 1N EIA370 Система была представлена ​​в США EIA / JEDEC (Объединенный инженерный совет по электронным устройствам) около 1960 года. Большинство диодов имеют обозначение с префиксом 1 (например, 1N4003). Среди наиболее популярных в этой серии были: 1N34A / 1N270 (германиевый сигнал), 1N914 /1N4148 (кремниевый сигнал), 1N400x (кремниевый выпрямитель на 1 А), и 1N580x (силовой выпрямитель кремниевый 3А).[46][47][48]

JIS

В Обозначение полупроводника JIS Система имеет все обозначения полупроводниковых диодов, начинающиеся с "1S".

Pro Electron

Европейский Pro Electron система кодирования для активные компоненты был представлен в 1966 году и состоит из двух букв, за которыми следует код детали. Первая буква представляет собой полупроводниковый материал, используемый для компонента (A = германий и B = кремний), а вторая буква представляет собой общую функцию детали (для диодов A = маломощный / сигнал, B = переменная емкость, X = умножитель, Y = выпрямитель и Z = опорное напряжение); Например:

  • Германиевые маломощные / сигнальные диоды серии AA (например, AA119)
  • Кремниевые маломощные / сигнальные диоды серии BA (например, кремниевый ВЧ-диод BAT18)
  • Кремниевые выпрямительные диоды серии BY (например, выпрямительный диод BY127 1250 В, 1 А)
  • Кремниевые стабилитроны серии BZ (например, стабилитрон BZY88C4V7 4,7 В)

Другие распространенные системы нумерации / кодирования (обычно устанавливаемые производителем) включают:

  • Германиевые диоды серии GD (например, GD9) - это очень старая система кодирования.
  • Германиевые диоды серии OA (например, OA47) - a кодирующая последовательность разработан Mullard, британская компания

Связанные устройства

В оптике эквивалентным устройством для диода, но с лазерным светом было бы Оптический изолятор, также известный как оптический диод,[49] что позволяет свету проходить только в одном направлении. Он использует Ротатор Фарадея в качестве основного компонента.

Приложения

Радио демодуляция

Простой демодулятор огибающей схема.

Первым применением диода была демодуляция амплитудно-модулированный (AM) радиопередачи. История этого открытия подробно рассматривается в кристаллический детектор статья. Таким образом, AM-сигнал состоит из чередующихся положительных и отрицательных пиков несущей радиоволны, чьи амплитуда или конверт пропорционален исходному звуковому сигналу. Диод исправляет радиочастотный сигнал AM, оставляющий только положительные пики несущей волны. Затем звук извлекается из выпрямленной несущей волны с помощью простого фильтр и подается в аудиоусилитель или преобразователь, который генерирует звуковые волны.

В технологии микроволновых и миллиметровых волн, начиная с 1930-х годов, исследователи улучшили и уменьшили размер кристаллического детектора. Точечно-контактные диоды (кристаллические диоды) и Диоды Шоттки используются в детекторах радаров, микроволновых и миллиметровых волн.[28]

Преобразование мощности

Основная статья: Выпрямитель
Схема основного источника питания переменного тока в постоянный

Выпрямители построены из диодов, где используются для преобразования переменный ток (AC) электричество в постоянный ток (ОКРУГ КОЛУМБИЯ). Автомобильная промышленность генераторы являются распространенным примером, где диод, который преобразует переменный ток в постоянный, обеспечивает лучшую производительность, чем коммутатор или раньше, динамо. Аналогичным образом диоды также используются в Кокрофт – Уолтон умножители напряжения для преобразования переменного тока в более высокое постоянное напряжение.

Защита от обратного напряжения

Поскольку большая часть электронных схем может быть повреждена при изменении полярности их входов источника питания, для защиты от таких ситуаций иногда используется последовательный диод. Эта концепция известна несколькими вариантами именования, которые означают одно и то же: защита от обратного напряжения, защита от обратной полярности и защита от обратной батареи.

Защита от перенапряжения

Диоды часто используются для отвода высокого напряжения от чувствительных электронных устройств. Обычно они имеют обратное смещение (непроводящие) при нормальных обстоятельствах. Когда напряжение поднимается выше нормального диапазона, диоды становятся смещенными в прямом направлении (проводящими). Например, диоды используются в (шаговый двигатель и H-мост ) контроллер мотора и реле цепи для быстрого обесточивания катушек без повреждения скачки напряжения что иначе могло бы произойти. (Диод, используемый в таком приложении, называется обратный диод ). Много интегральные схемы также включить диоды на соединительные штыри, чтобы предотвратить повреждение их чувствительных элементов внешним напряжением. транзисторы. Специальные диоды используются для защиты от перенапряжений при более высоких мощностях (см. Типы диодов над).

Логические ворота

Диоды можно комбинировать с другими компонентами для создания И и ИЛИ ЖЕ логические ворота. Это называется диодная логика.

Детекторы ионизирующего излучения

Помимо света, упомянутого выше, полупроводник диоды чувствительны к большему энергичный радиация. В электроника, космические лучи и другие источники ионизирующего излучения вызывают шум импульсы и одиночные и множественные битовые ошибки. Этот эффект иногда используется детекторы частиц для обнаружения радиации. Одна частица излучения с тысячами или миллионами электрон-вольт, s энергии, генерирует много пар носителей заряда, поскольку его энергия вкладывается в полупроводниковый материал. Если слой истощения достаточно велик, чтобы уловить весь ливень или остановить тяжелую частицу, можно провести довольно точное измерение энергии частицы, просто измерив проводимый заряд и без сложностей магнитного спектрометра и т. Д. Детекторы излучения нуждаются в эффективном и равномерном накоплении заряда и низком токе утечки. Их часто охлаждают жидкий азот. Для частиц с большим радиусом действия (около сантиметра) им нужна очень большая глубина истощения и большая площадь. Что касается короткодействующих частиц, им необходимо, чтобы любой контактный или не обедненный полупроводник по крайней мере на одной поверхности был очень тонким. Напряжения обратного смещения близки к пробою (около тысячи вольт на сантиметр). Германий и кремний - обычные материалы. Некоторые из этих детекторов определяют положение, а также энергию. У них ограниченный срок службы, особенно при обнаружении тяжелых частиц, из-за радиационного повреждения. Кремний и германий совершенно разные по своей способности превращать гамма излучение к электронным ливням.

Полупроводниковые детекторы для частиц высоких энергий используются в большом количестве. Из-за колебаний потерь энергии точное измерение вложенной энергии менее полезно.

Измерения температуры

Диод можно использовать как температура измерительного прибора, поскольку прямое падение напряжения на диоде зависит от температуры, как в кремниевый датчик температуры запрещенной зоны. Из приведенного выше уравнения идеального диода Шокли можно было бы появляться что напряжение имеет положительный температурный коэффициент (при постоянном токе), но обычно вариация обратный ток насыщения член более значительный, чем изменение термического напряжения. Поэтому большинство диодов имеют отрицательный температурный коэффициент, обычно -2 мВ / ° C для кремниевых диодов. Температурный коэффициент примерно постоянен для температур выше примерно 20 кельвин. Некоторые графики приведены для серии 1N400x,[50] и криогенный датчик температуры CY7.[51]

Текущее рулевое управление

Диоды предотвратят токи в непреднамеренных направлениях. Для подачи питания на электрическую цепь во время сбоя питания схема может потреблять ток от аккумулятор. An бесперебойный источник питания может использовать диоды таким образом, чтобы ток от батареи отводился только при необходимости. Точно так же у небольших лодок обычно есть две цепи, каждая со своими батареями / батареями: одна используется для запуска двигателя; один использовался для домашних. Обычно оба заряжаются от одного генератора переменного тока, и используется сверхмощный диод с разделенным зарядом, чтобы предотвратить разряд аккумулятора с более высоким зарядом (обычно аккумулятор двигателя) через аккумулятор с более низким зарядом, когда генератор не работает.

Диоды также используются в электронные музыкальные клавиатуры. Чтобы уменьшить количество проводов, необходимых для электронных музыкальных клавиатур, эти инструменты часто используют схемы матрицы клавиатуры. Контроллер клавиатуры просматривает строки и столбцы, чтобы определить, какую ноту нажал игрок. Проблема с матричными схемами заключается в том, что при одновременном нажатии нескольких нот ток может течь в обратном направлении по цепи и запускать "фантомные ключи ", которые вызывают воспроизведение" призрачных "нот. Во избежание срабатывания нежелательных нот, в большинстве схем матриц клавиатуры есть диоды, припаянные к переключателю под каждой клавишей музыкальная клавиатура. Тот же принцип используется и для матрицы переключения в твердотельном автоматы для игры в пинбол.

Ограничитель формы волны

Основная статья: Машинка для стрижки (электроника)

Диоды могут использоваться для ограничения положительного или отрицательного отклонения сигнала до заданного напряжения.

Клампер

Основная статья: Фиксатор (электроника)
Этот простой диодный зажим будет фиксировать отрицательные пики входящего сигнала до напряжения общей шины.

Диод схема зажима может принимать периодический сигнал переменного тока, который колеблется между положительными и отрицательными значениями, и перемещать его по вертикали таким образом, что положительные или отрицательные пики возникают на заданном уровне. Фиксатор не ограничивает экскурсии пика до пика сигнала, он перемещает весь сигнал вверх или вниз таким образом, чтобы разместить пики на уровне эталонной.

Сокращения

Диоды обычно называют D для диода на Печатные платы. Иногда сокращение CR за кристаллический выпрямитель используется.[52]

Смотрите также

Рекомендации

  1. ^ Тули, Майк (2013). Электронные схемы: основы и приложения, 3-е изд.. Рутледж. п. 81. ISBN  978-1-136-40731-4.
  2. ^ Crecraft, Филип Минчич; Стивен Гергели (2002). Аналоговая электроника: схемы, системы и обработка сигналов. Баттерворт-Хайнеманн. п. 110. ISBN  0-7506-5095-8.
  3. ^ Горовиц, Пол; Уинфилд Хилл (1989). Искусство электроники, 2-е изд.. Лондон: Издательство Кембриджского университета. п. 44. ISBN  0-521-37095-7.
  4. ^ «Физическое объяснение - Общие полупроводники». 2010-05-25. Получено 2010-08-06.
  5. ^ «Составляющие полупроводниковых компонентов». 2010-05-25. Архивировано из оригинал на 2011-07-10. Получено 2010-08-06.
  6. ^ а б c Тернер, Л. У. (2013). Справочник инженера-электронщика, 4-е изд.. Баттерворт-Хайнеманн. С. 8.14–8.22. ISBN  978-1483161273.
  7. ^ Гварньери, М. (2011). «Первопроходцы в твердотельной электронике». IEEE Ind. Electron. M. 5 (4): 46–47. Дои:10.1109 / MIE.2011.943016. S2CID  45476055.CS1 maint: ref = harv (связь)
  8. ^ Гатри, Фредерик (октябрь 1873 г.) «О связи между теплом и статическим электричеством», Лондонский, Эдинбургский и Дублинский философский журнал и научный журнал, 4-я серия, 46: 257–266.
  9. ^ Нобелевская лекция 1928 года: Оуэн В. Ричардсон, «Термоэлектронные явления и законы, которые ими управляют», 12 декабря 1929 г.,
  10. ^ Эдисон, Томас А. "Электрический счетчик" Патент США 307030 Дата выдачи: 21 октября 1884 г.
  11. ^ Рыжая, П. А. (1998-05-01). «Рождение электроники: термоэлектронная эмиссия и вакуум». Журнал вакуумной науки и технологий A: вакуум, поверхности и пленки. 16 (3): 1394–1401. Bibcode:1998JVSTA..16.1394R. Дои:10.1116/1.581157. ISSN  0734-2101.
  12. ^ «Дорога к транзистору». Jmargolin.com. Получено 2008-09-22.
  13. ^ Браун, Фердинанд (1874) "Ueber die Stromleitung durch Schwefelmetalle" (О токопроводимости в сульфидах металлов), Annalen der Physik und Chemie, 153 : 556–563.
  14. ^ Карл Фердинанд Браун. chem.ch.huji.ac.il
  15. ^ Саркар, Тапан К. (2006). История беспроводной. США: Джон Уайли и сыновья. С. 94, 291–308. ISBN  0-471-71814-9.
  16. ^ Пикард, Гринлиф Уиттиер «Средства для получения разведданных, передаваемых с помощью электрических волн» Патент США 836,531 Выпущено: 30 августа 1906 г.
  17. ^ а б c Дж. Х. Скафф, Р. С. Ол, "Разработка кремниевых выпрямителей для микроволновых радарных приемников", Технический журнал Bell System, Vol. 24, No. 1, Jan. 1947. p. 1
  18. ^ Э. К. Корнелиус, "Кристаллические диоды германия" Электроника, Февраль 1946 г., стр. 118
  19. ^ Страница книги данных Sylvania 1949 года
  20. ^ Сильвания, 40 применений германиевых диодов, Sylvania Electric Products Co., 1949, стр. 9
  21. ^ У. Х. Прис, "Мультиплексная телеграфия", Телеграфный журнал и Обзор электротехники, Vol. XIX, 10 сентября 1886 г., стр. 252
  22. ^ а б SemiGen Inc.
  23. ^ а б Advanced Semiconductor, Inc.
  24. ^ а б Massachusetts Bay Technologies
  25. ^ а б c Х. К. Торри, К. А. Уитмер, Кристаллические выпрямители, Нью-Йорк: Макгроу-Хилл, 1948 г.
  26. ^ H. Q. North, Асимметрично проводящее устройство, Патент США 2,704,818
  27. ^ Центр боевых надводных систем ВМС США, Учебная серия по электричеству и электронике ВМС, модуль 11, 2012, с. 2-81–2-83
  28. ^ а б Skyworks Solutions, Inc., Смесительные и детекторные диоды
  29. ^ Веб-страница Microsemi Corporation Schottky
  30. ^ а б Джаколетто, Лоуренс Джозеф (1977). Справочник конструкторов электроники. Нью-Йорк: Макгроу-Хилл. п. 24–138.
  31. ^ Диодное обратное восстановление в повышающем преобразователе. ECEN5817. ecee.colorado.edu
  32. ^ Эльхами Хорасани, А .; Griswold, M .; Алфорд, Т. Л. (2014). "Обратное восстановление с управлением затвором для характеристики основного диода LDMOS". Письма об электронных устройствах IEEE. 35 (11): 1079. Bibcode:2014IEDL ... 35.1079E. Дои:10.1109 / LED.2014.2353301. S2CID  7012254.
  33. ^ Учет коммутационных потерь в модели усредненной эквивалентной схемы. ECEN5797. ecee.colorado.edu
  34. ^ Роддик, Р. (1962-10-01). "Анализ схемы туннельного диода". Дои:10.2172/4715062. Цитировать журнал требует | журнал = (помощь)
  35. ^ Диоды регулятора тока. Digikey.com (27 мая 2009 г.). Проверено 19 декабря 2013.
  36. ^ Технический паспорт NTE
  37. ^ Классификация компонентов. Digikey.com (27 мая 2009 г.). Проверено 19 декабря 2013.
  38. ^ «Компонентная конструкция». 2010-05-25. Архивировано из оригинал на 2016-05-16. Получено 2010-08-06.
  39. ^ Компонентная конструкция. Digikey.com (27 мая 2009 г.). Проверено 19 декабря 2013.
  40. ^ «Физика и техника». 2010-05-25. Архивировано из оригинал на 2016-05-16. Получено 2010-08-06.
  41. ^ Характеристики эпитаксиальных диодов с быстрым восстановлением (FRED) - Области применения - Примеры. (PDF). Проверено 19 декабря 2013.
  42. ^ Сзе, С. М. (1998) Физика современных полупроводниковых приборов, Wiley Interscience, ISBN  0-471-15237-4
  43. ^ Защита слаботочных нагрузок в жестких электрических средах. Digikey.com (27 мая 2009 г.). Проверено 19 декабря 2013.
  44. ^ Йоншер, А. К. (1961). «Физика туннельного диода». Британский журнал прикладной физики. 12 (12): 654. Bibcode:1961BJAP ... 12..654J. Дои:10.1088/0508-3443/12/12/304.
  45. ^ Dowdey, J.E .; Трэвис, К. М. (1964). «Анализ установившихся ядерных радиационных повреждений туннельных диодов». IEEE Transactions по ядерной науке. 11 (5): 55. Bibcode:1964ITNS ... 11 ... 55D. Дои:10.1109 / TNS2.1964.4315475.
  46. ^ "О JEDEC". Jedec.org. Получено 2008-09-22.
  47. ^ "Сроки появления обычных транзисторов и диодов?". EDAboard.com. 2010-06-10. Архивировано из оригинал 11 октября 2007 г.. Получено 2010-08-06.
  48. ^ I.D.E.A. "Проекты строительства музея транзисторов Контактная информация Германий Western Electric Винтаж Исторические полупроводники Фотографии Alloy Junction Устная история". Semiconductormuseum.com. Получено 2008-09-22.
  49. ^ https://www.sciencedirect.com/topics/engineering/optical-isolator
  50. ^ «Прямое напряжение семейства диодов 1N400x». cliftonlaboratories.com. Архивировано из оригинал на 2013-05-24. Получено 2013-12-19.
  51. ^ Криогенные датчики температуры. omega.com
  52. ^ Джон Амброуз Флеминг (1919). Принципы электроволновой телеграфии и телефонии. Лондон: Лонгманс, Грин. п.550.

дальнейшее чтение

Периодические издания
  • Твердотельные диоды; возраст; 2001 г. (архив)
  • Справочник по кремниевым выпрямителям; 1-е изд; Боб Дейл; Motorola; 213 страниц; 1966 г. (архив)
  • Электронная ректификация; F.G. Спредбери; Д. Ван Ностранд Ко; 1962 г.
  • Справочник по стабилитронам; International Rectifier; 96 страниц; 1960 г.
  • F.T. Справочник по Selenium Rectifier; 2-е изд; Федеральный телефон и радио; 80 страниц; 1953 г. (архив)
  • S.T. Справочник по Selenium Rectifier; 1-е изд; Саркес Тарзян; 80 страниц; 1950 г. (архив)
Электронные книги
  • 50 простых светодиодных схем; 1-е изд; R.N. Парить; Бабани Пресс; 62 страницы; 1977; ISBN  978-0859340434. (архив)
  • 38 испытанных на практике диодных схем для домашнего конструктора; 1-е изд; Бернар Бабани; Krisson Printing; 48 страниц; 1972 г. (архив)
  • Справочник по диодным схемам; 1-е изд; Руфус Тернер; Ховард Сэмс и Ко; 128 страниц; 1963; LCCN 63-13904. (архив)
  • 40 применений германиевых диодов; 2-е изд; Sylvania Electric Products; 47 страниц; 1949 г. (архив)
Датабуки

внешняя ссылка

Интерактивность и анимация