Физика светодиодов - Light-emitting diode physics

В светодиод физика, рекомбинация электронов и электронных дырок в полупроводнике производит свет (или инфракрасное излучение), процесс, называемый «электролюминесценцией». Длина волны излучаемого света зависит от ширины запрещенной зоны используемых полупроводников. Поскольку эти материалы имеют высокий показатель преломления, для эффективного излучения света требуются такие конструктивные особенности устройств, как специальные оптические покрытия и форма кристалла. Светодиод - это долговечный источник света, но определенные механизмы могут вызвать медленную потерю эффективности устройства или внезапный отказ. Длина волны излучаемого света является функцией ширины запрещенной зоны используемого полупроводникового материала; такие материалы, как арсенид галлия и другие, с различными легирующими элементами, используются для получения света разных цветов. Другой тип светодиодов использует квантовая точка свойства и длину волны которого можно регулировать в зависимости от его размера. Светодиоды широко используются в функциях индикаторов и дисплеев, а белые светодиоды вытесняют другие технологии общего освещения.

Электролюминесценция

Внутренняя работа светодиода, показывающая схему (вверху) и ленточная диаграмма (дно)

В светодиоде p – n переход излучает свет, когда через него протекает электрический ток. Это электролюминесценция. Электроны пересекают n-область и рекомбинируют с дырками, существующими в p-области. Свободные электроны находятся в зона проводимости уровней энергии, а дырки находятся в валентной диапазон энергии. Таким образом, уровень энергии дырок ниже энергетических уровней электронов. Некоторая часть энергии должна рассеиваться для рекомбинации электронов и дырок. Эта энергия излучается в виде тепла и света.

Электроны рассеивают энергию в виде тепла для кремниевых и германиевых диодов, но в фосфид арсенида галлия (GaAsP) и фосфид галлия (GaP) полупроводники, электроны рассеивают энергию, испуская фотоны. Если полупроводник полупрозрачный, переход становится источником света, превращаясь в светоизлучающий диод.

I-V диаграмма для диод. Светодиод начинает излучать свет, когда в прямом направлении подается более 2 или 3 вольт. В области обратного смещения используется вертикальный масштаб, отличный от области прямого смещения, чтобы показать, что ток утечки почти постоянен с напряжением до тех пор, пока не произойдет пробой. При прямом смещении ток небольшой, но экспоненциально возрастает с увеличением напряжения.

В длина волны излучаемого света и, следовательно, его цвет зависит от запрещенная зона энергия материалов, образующих p-n переход. В кремний или германий диоды, электроны и дырки обычно рекомбинируют безызлучательный переход, который не дает оптического излучения, потому что они непрямая запрещенная зона материалы. Материалы, используемые для светодиода, имеют прямая запрещенная зона с энергиями, соответствующими ближнему инфракрасному, видимому или ближнему ультрафиолетовому свету.

Разработка светодиодов началась с инфракрасных и красных устройств, изготовленных из арсенид галлия. Достижения в материаловедение позволили создавать устройства с все более короткими длинами волн, излучающими свет различных цветов.

Светодиоды обычно строятся на подложка n-типа, с электродом, прикрепленным к слою p-типа, нанесенному на его поверхность. Подложки P-типа, хотя и реже, но встречаются. Многие коммерческие светодиоды, особенно GaN / InGaN, также используют сапфир субстрат.

Показатель преломления

Идеальный пример конусов излучения света в простом квадратном полупроводнике для зоны излучения с одним точечным источником. На левой иллюстрации показана полупрозрачная пластина, а на правой иллюстрации показаны полуконусы, сформированные, когда нижний слой непрозрачен. Свет излучается одинаково во всех направлениях от точечного источника, но может выходить за пределы поверхности полупроводника только в пределах нескольких градусов перпендикуляра, что показано конусами. Когда критический угол превышено, фотоны отражаются внутрь. Области между конусами представляют собой захваченную световую энергию, потерянную в виде тепла.[1]

Полупроводники без покрытия, такие как кремний показать очень высокий показатель преломления относительно воздуха. Фотоны, которые приближаются к поверхности под слишком большим углом к ​​перпендикуляру. полное внутреннее отражение. Это свойство влияет как на эффективность излучения света светодиодов, так и на эффективность поглощения света светодиодами. фотоэлектрические элементы. Показатель преломления кремния 3,96 (при 590 нм),[2] а показатель преломления воздуха - 1.0002926.[3]

Как правило, полупроводниковый светодиодный чип с плоской поверхностью без покрытия излучает только свет, который проходит почти перпендикулярно поверхности полупроводника в форме конуса, называемой световой конус, конус света,[4] или спасательный конус.[1] Фотоны, приходящие на поверхность под более наклонным углом, с углом падения, превышающим критический угол, пройти полное внутреннее отражение, и вернуться внутрь полупроводникового кристалла, как если бы его поверхность была зеркало.[1]

Внутренние размышления может выходить через другие грани кристалла, если угол падения достаточно мал и кристалл достаточно прозрачен, чтобы не поглощать излучение фотонов. Но для простого квадратного светодиода с углами поверхностей со всех сторон под углом 90 градусов все грани действуют как зеркала с одинаковым углом. В этом случае большая часть света не может ускользнуть и теряется при отходящее тепло в кристалле.[1]

Извилистая поверхность стружки с наклонной грани похож на драгоценный камень или линза френеля может увеличить светоотдачу за счет распределения света перпендикулярно поверхности чипа и далеко от точки излучения фотонов.[5]

Идеальная форма полупроводника с максимальной светоотдачей была бы микросфера с излучением фотонов, происходящим в точном центре, с электродами, проникающими к центру, чтобы контактировать в точке излучения. Все световые лучи, исходящие из центра, будут перпендикулярны всей поверхности сферы, что не приведет к внутренним отражениям. Полусферический полупроводник также будет работать с плоской задней поверхностью, служащей зеркалом для обратно рассеянных фотонов.[6]

Переходные покрытия

После допинга вафля, обычно его разделяют на отдельные умирает. Каждый кристалл обычно называют чипом.

Многие светодиодные полупроводниковые чипы инкапсулированы или в горшке из прозрачного или цветного литого твердого пластика. Пластиковая оболочка предназначена для трех целей:

  1. Установка полупроводникового кристалла в устройства проще.
  2. Крошечная хрупкая электропроводка имеет физическую опору и защищена от повреждений.
  3. Пластик действует как преломляющий посредник между полупроводником с относительно высоким показателем преломления и открытым воздухом с низким показателем преломления.[7]

Третья особенность помогает увеличить световое излучение полупроводника за счет уменьшения Отражения Френеля фотонов внутри светового конуса. Плоское покрытие напрямую не увеличивает размер светового конуса в полупроводнике; он обеспечивает промежуточный более широкий угол конуса в покрытии, но критический угол между лучами в полупроводнике и в воздухе за пределами покрытия не изменяется. Однако с помощью изогнутого покрытия или инкапсуляции эффективность можно еще больше повысить.

КПД и рабочие параметры

Типичные индикаторные светодиоды рассчитаны на работу не более 30–60 милливатты (мВт) электрической мощности. Примерно в 1999 г. Philips Lumileds представила мощные светодиоды, способные непрерывно использовать ватт. В этих светодиодах использовались полупроводниковые кристаллы гораздо большего размера, чтобы выдерживать большие потребляемые мощности. Кроме того, полупроводниковые кристаллы устанавливались на металлические заглушки, чтобы обеспечить больший отвод тепла от светодиодного кристалла.

Одно из ключевых преимуществ светодиодных источников освещения - высокая световая отдача. Белые светодиоды быстро превзошли по эффективности стандартные лампы накаливания. В 2002 году Lumileds выпустила светодиоды мощностью 5 Вт со световой эффективностью 18–22 люмен на ватт (лм / Вт). Для сравнения обычный лампа накаливания 60–100 Вт излучает около 15 лм / Вт, а стандартная люминесцентные лампы излучают до 100 лм / Вт.

По состоянию на 2012 год, Philips достигли следующей эффективности для каждого цвета.[8] Значения эффективности показывают физику - выходная мощность света на электрическую мощность на дюйм. Значение эффективности люмен на ватт включает характеристики человеческого глаза и рассчитывается с использованием функция светимости.

цветДиапазон длин волн (нм)Типичный КПДТипичный эффективность (lm /W )
Красный620 < λ < 6450.3972
Красный апельсин610 < λ < 6200.2998
Зеленый520 < λ < 5500.1593
Голубой490 < λ < 5200.2675
Синий460 < λ < 4900.3537

В сентябре 2003 г. был продемонстрирован новый тип синего светодиода. Кри. Это производило коммерчески упакованный белый свет с мощностью 65 лм / Вт при 20 мА, став самым ярким белым светодиодом, доступным на рынке в то время, и более чем в четыре раза более эффективным, чем стандартные лампы накаливания. В 2006 году они продемонстрировали прототип с рекордной светоотдачей белого светодиода 131 лм / Вт при 20 мА. Nichia Corporation разработала белый светодиод со светоотдачей 150 лм / Вт при прямом токе 20 мА.[9] Светодиоды Cree XLamp XM-L, поступившие в продажу в 2011 году, производят 100 лм / Вт при полной мощности 10 Вт и до 160 лм / Вт при входной мощности около 2 Вт. В 2012 году Cree анонсировала белый светодиод мощностью 254 лм / Вт,[10] и 303 лм / Вт в марте 2014 г.[11]Практическое общее освещение требует мощных светодиодов не менее одного ватта. Типичные рабочие токи для таких устройств начинаются с 350 мА.

Эти значения эффективности относятся только к светодиоду, который выдерживается при низкой температуре в лаборатории. Поскольку светодиоды, установленные в реальных светильниках, работают при более высоких температурах и с потерями в драйвере, реальная эффективность намного ниже. Министерство энергетики США (DOE) тестирование коммерческих светодиодных ламп, предназначенных для замены ламп накаливания или КЛЛ показали, что в 2009 году средняя эффективность все еще составляла около 46 лм / Вт (протестированные характеристики варьировались от 17 до 79 лм / Вт).[12]

Падение эффективности

Падение эффективности - это уменьшение световая отдача светодиодов как электрический ток увеличивается.

Первоначально считалось, что этот эффект связан с повышенными температурами. Ученые доказали обратное: хотя срок службы светодиода сокращается, падение эффективности менее значимо при повышенных температурах.[13] Механизм, вызывающий падение эффективности, был определен в 2007 году как Оже-рекомбинация.[14][15]

Работа светодиодов при более высоких электрических токах не только менее эффективна, но и выделяет больше тепла, что может снизить срок их службы. Светодиоды высокой яркости часто работают при токе 350 мА, что является компромиссом между светоотдачей, эффективностью и долговечностью.[14]

Вместо увеличения уровня тока яркость обычно увеличивается за счет объединения нескольких светодиодов в одной лампочке. Решение проблемы снижения эффективности означает, что для бытовых светодиодных ламп потребуется меньше светодиодов, что значительно снизит затраты.

Исследователи из Лаборатория военно-морских исследований США нашли способ уменьшить падение эффективности. Они обнаружили, что спад возникает из-за безызлучательный Оже-рекомбинация инжектированных носителей. Они создали квантовые ямы с мягким ограничивающим потенциалом, чтобы уменьшить безызлучательные процессы Оже.[16]

Исследователи из Тайваньский национальный центральный университет и Epistar Corp разрабатывают способ уменьшения падения эффективности за счет использования керамических подложек из нитрида алюминия (AlN), которые более теплопроводный чем коммерчески используемый сапфир. Более высокая теплопроводность снижает эффект самонагрева.[17]

Срок службы и неудачи

Основная статья: Список режимов отказа светодиодов

Твердотельные устройства, такие как светодиоды, подлежат очень ограниченному износ при эксплуатации при малых токах и низких температурах. Типичный срок службы составляет от 25 000 до 100 000 часов, но параметры нагрева и тока могут значительно увеличить или сократить это время.[18] Важно отметить, что эти прогнозы основаны на стандартном тесте, который может не ускорить все потенциальные механизмы, которые могут вызвать отказы светодиодов.[19]

Наиболее частым признаком неисправности светодиода является постепенное снижение светоотдачи. Внезапные сбои, хотя и редкие, тоже могут произойти. Первые красные светодиоды отличались коротким сроком службы. С развитием мощных светодиодов, устройства подвергаются более высоким температуры перехода и более высокие плотности тока, чем у традиционных устройств. Это вызывает нагрузку на материал и может вызвать преждевременное ухудшение светоотдачи. Срок службы светодиода может быть выражен как время работы до 70% или 50% от начальной мощности.[20]

В отличие от ламп накаливания или ламп накаливания светодиоды работают только в том случае, если они достаточно прохладны. Производитель обычно указывает максимальную температуру перехода 125 или 150 ° C, и в интересах продления срока службы рекомендуется более низкая температура. При этих температурах излучение теряет относительно мало тепла, а это означает, что световой луч, генерируемый светодиодом, является холодным.

Отработанное тепло мощного светодиода отводится через устройство к радиатор, который отводит тепло в окружающий воздух. Поскольку максимальная рабочая температура светодиода ограничена, тепловые сопротивления пакета, радиатор и интерфейс должны быть рассчитаны. Светодиоды средней мощности часто предназначены для непосредственной пайки печатная плата который содержит теплопроводный металлический слой. Мощные светодиоды упакованы в керамические корпуса большой площади, которые крепятся к металлическому радиатору с помощью термопаста или другой материал для отвода тепла.

Если светодиодная лампа не имеет свободной циркуляции воздуха, светодиод может перегреться, что приведет к сокращению срока службы или преждевременному выходу из строя. Тепловая конструкция системы должна учитывать температура окружающей среды окружающий лампу; лампа в морозильной камере имеет более низкую температуру окружающей среды, чем лампа на рекламном щите в солнечном климате.[21]

Материалы

Светодиоды изготавливаются из различных неорганических полупроводниковые материалы. В следующей таблице показаны доступные цвета с диапазоном длин волн, падением напряжения и материалом:

цветДлина волны [нм]Падение напряжения [ΔV]Полупроводниковый материал
Инфракрасныйλ > 760ΔV < 1.63Арсенид галлия (GaAs)
Арсенид галлия алюминия (AlGaAs)
Красный610 < λ < 7601,63 <ΔV < 2.03Арсенид галлия алюминия (AlGaAs)
Фосфид арсенида галлия (GaAsP)
Алюминий галлий фосфид индия (АлГаИнП)
Фосфид галлия (III) (GaP)
оранжевый590 < λ < 6102,03 <ΔV < 2.10Фосфид арсенида галлия (GaAsP)
Алюминий галлий фосфид индия (АлГаИнП)
Фосфид галлия (III) (GaP)
Желтый570 < λ < 5902,10 <ΔV < 2.18Фосфид арсенида галлия (GaAsP)
Алюминий галлий фосфид индия (АлГаИнП)
Фосфид галлия (III) (GaP)
Зеленый500 < λ < 5701.9[22] <ΔV < 4.0Традиционный зеленый:
Фосфид галлия (III) (GaP)
Алюминий галлий фосфид индия (АлГаИнП)
Фосфид алюминия-галлия (АлГаП)
Чистый зеленый цвет:
Нитрид индия-галлия (InGaN) / Нитрид галлия (III) (GaN)
Синий450 < λ < 5002,48 <ΔV < 3.7Селенид цинка (ZnSe)
Нитрид индия-галлия (InGaN)
Синтетический сапфир, Карбид кремния (SiC) в качестве подложки с эпитаксией или без нее,
Кремний (Si) в качестве подложки - в стадии разработки (эпитаксия на кремнии трудно контролировать)
Виолетта400 < λ < 4502,76 <ΔV < 4.0Нитрид индия-галлия (InGaN)
Ультрафиолетовыйλ < 4003 <ΔV < 4.1Нитрид индия-галлия (InGaN) (385-400 нм)

Алмаз (235 нм)[23]
Нитрид бора (215 нм)[24][25]
Нитрид алюминия (AlN) (210 нм)[26]
Нитрид алюминия-галлия (AlGaN)
Нитрид алюминия, галлия, индия (AlGaInN) - до 210 нм[27]

РозовыйНесколько типовΔV ≈3.3[28]Синий с одним или двумя слоями люминофора,
желтый с добавлением красного, оранжевого или розового люминофора,

белый с розовым пластиком,
или белый люминофор с розовым пигментом или красителем поверх.[29]

ФиолетовыйНесколько типов2,48 <ΔV < 3.7Двойные синие / красные светодиоды,
синий с красным люминофором,
или белый с фиолетовым пластиком
БелыйШирокий спектр2,8 <ΔV <4,2Холодный / Чистый белый: Синий / УФ-диод с желтым люминофором
Теплый белый: Синий диод с оранжевым люминофором

Квантово-точечные светодиоды

Смотрите также: отображение квантовых точек

Квантовые точки (QD) являются полупроводниковыми нанокристаллы с оптическими свойствами, которые позволяют изменять цвет их излучения из видимого в инфракрасный спектр.[30][31] Это позволяет светодиодам с квантовыми точками создавать практически любой цвет на CIE диаграмма. Это обеспечивает больше вариантов цвета и лучшую цветопередачу, чем белые светодиоды, поскольку спектр излучения намного уже, что характерно для состояний с квантовыми ограничениями.

Существует два типа схем возбуждения КТ. Один использует фотовозбуждение со светодиодом первичного источника света (обычно используются синие или ультрафиолетовые светодиоды). Другой - прямое электрическое возбуждение, впервые продемонстрированное Alivisatos et al.[32]

Одним из примеров схемы фотовозбуждения является метод, разработанный Майклом Бауэрсом в Университет Вандербильта в Нэшвилле, включая покрытие синего светодиода квантовыми точками, которые светятся белым в ответ на синий свет светодиода. Этот метод излучает теплый желтовато-белый свет, похожий на тот, который дает лампы накаливания.[33] Квантовые точки также рассматриваются для использования в белых светодиодах в телевизорах с жидкокристаллическими дисплеями (ЖКД).[34]

В феврале 2011 года ученые из PlasmaChem GmbH смогли синтезировать квантовые точки для светодиодных приложений и построить на их основе преобразователь света, который мог эффективно преобразовывать свет из синего в любой другой цвет в течение многих сотен часов.[35] Такие КТ могут использоваться для излучения видимого или ближнего инфракрасного света любой длины волны, возбуждаемого светом с более короткой длиной волны.

Структура QD-светодиодов, используемых для схемы электрического возбуждения, аналогична базовой конструкции Светодиоды. Слой квантовых точек зажат между слоями материалов, переносящих электроны и дырки. Приложенное электрическое поле заставляет электроны и дырки перемещаться в слой квантовых точек и рекомбинировать, образуя экситон что возбуждает КТ. Эта схема обычно изучается для отображение квантовых точек. Возможность настройки длин волн излучения и узкая полоса пропускания также полезны в качестве источников возбуждения для флуоресцентной визуализации. Флуоресцентная сканирующая оптическая микроскопия ближнего поля (НСОМ ) с использованием встроенного QD-светодиода.[36]

В феврале 2008 года световая отдача 300 люмен видимого света на ватт радиация (не на электрический ватт), а излучение теплого света достигалось за счет использования нанокристаллы.[37]

использованная литература

  1. ^ а б c d Мюллер, Герд (2000) Электролюминесценция I, Academic Press, ISBN  0-12-752173-9, п. 67, «конус выхода света» из полупроводника, иллюстрации световых конусов на стр. 69
  2. ^ «Оптические свойства кремния». PVCDROM.PVEducation.org. Архивировано из оригинал на 2009-06-05.
  3. ^ Преломление - закон Снеллиуса. Interactagram.com. Проверено 16 марта, 2012.
  4. ^ Липтак, Бела Г. (2005) Справочник инженеров-приборостроителей: управление и оптимизация процессов, CRC Press, ISBN  0-8493-1081-4 п. 537, «конус света» в контексте оптических волокон
  5. ^ Каппер, Питер; Маук, Майкл (2007). Жидкофазная эпитаксия электронных, оптических и оптоэлектронных материалов. Вайли. п. 389. ISBN  978-0-470-85290-3. Граненые структуры представляют интерес для солнечных элементов, светодиодов, термофотоэлектрических устройств и детекторов, поскольку неплоские поверхности и грани могут усиливать оптическую связь и эффекты захвата света [с примером микрофотографии граненой кристаллической подложки].
  6. ^ Дакин, Джон и Браун, Роберт Г. В. (ред.) Справочник по оптоэлектронике, Том 2, Тейлор и Фрэнсис, 2006 г. ISBN  0-7503-0646-7 п. 356, «Формование кристалла - это шаг к идеальному решению - точечный источник света в центре сферического полупроводникового кристалла».
  7. ^ Шуберт, Э. Фред (2006) Светодиоды, Издательство Кембриджского университета, ISBN  0-521-86538-7 п. 97, «Эпоксидные герметики», «Эффективность вывода света можно повысить, используя куполообразные герметики с большим показателем преломления».
  8. ^ «Руководство по светодиодным решениям« Все в 1 »». PhilipsLumileds.com. Philips. 2012-10-04. п. 15. Архивировано из оригинал (PDF) 14 марта 2013 г.. Получено 2015-11-18.
  9. ^ «Nichia представляет белый светодиод со светоотдачей 150 лм / Вт». Tech-On !. 21 декабря 2006 г.. Получено 13 августа, 2007.
  10. ^ «Cree устанавливает новый рекорд эффективности белых светодиодов», Tech-On, 23 апреля 2012 г.
  11. ^ "Cree первым преодолеет барьер 300 люмен на ватт", Кри новости
  12. ^ Сводка результатов программы DOE Solid-State Lighting CALiPER: 9-й раунд тестирования продукта (PDF). Министерство энергетики США. Октябрь 2009 г.
  13. ^ Выявление причин падения эффективности светодиодов В архиве 13 декабря 2013 г. Wayback Machine, Стивен Кипинг, Техническая зона Digi-Key Corporation
  14. ^ а б Стивенсон, Ричард (август 2009 г.) Темный секрет светодиода: твердотельное освещение не заменит лампочку, пока оно не преодолеет загадочную болезнь, известную как спад В архиве 2009-08-05 на Wayback Machine. IEEE Spectrum
  15. ^ Ивеланд, Джастин; Мартинелли, Лучио; Перетти, Жак; Спек, Джеймс С .; Вайсбух, Клод. "Причина падения эффективности светодиодов наконец раскрыта". Письма с физическими проверками, 2013 г.. Science Daily. Получено 23 апреля 2013.
  16. ^ МакКинни, Донна (19 февраля 2014 г.) Дорожная карта по созданию эффективных светодиодов, излучающих зеленый-синий-ультрафиолетовый свет, Лаборатория военно-морских исследований США
  17. ^ Кук, Майк (11 февраля 2014 г.) Обеспечение работы высоковольтных светодиодов InGaN с керамической подложкой, Полупроводник сегодня
  18. ^ «Срок службы белых светодиодов». Архивировано из оригинал 10 апреля 2009 г.. Получено 2009-04-10., Министерство энергетики США
  19. ^ Арнольд, Дж. Когда гаснет свет: режимы и механизмы отказа светодиодов. Решения DfR
  20. ^ Narendran, N .; Ю. Гу (2005). «Срок службы светодиодных источников белого света». Журнал Display Technology. 1 (1): 167–171. Bibcode:2005JDisT ... 1..167N. Дои:10.1109 / JDT.2005.852510.
  21. ^ Конвей, К. М. и Дж. Д. Буллоу. 1999 г. Будут ли светодиоды преобразовывать сигналы светофора, как знаки выхода? Труды Ежегодной конференции Общества инженеров освещения Северной Америки (стр. 1–9), Новый Орлеан, Луизиана, 9–11 августа. Нью-Йорк, штат Нью-Йорк: Световое инженерное общество Северной Америки.
  22. ^ OSRAM: зеленый светодиод В архиве 21 июля 2011 г. Wayback Machine. osram-os.com. Проверено 16 марта, 2012.
  23. ^ Коидзуми, S .; Watanabe, K .; Hasegawa, M .; Канда, Х. (2001). «Ультрафиолетовое излучение алмазного pn перехода». Наука. 292 (5523): 1899–1901. Bibcode:2001Научный ... 292.1899K. Дои:10.1126 / science.1060258. PMID  11397942.
  24. ^ Kubota, Y .; Watanabe, K .; Цуда, О .; Танигучи, Т. (2007). «Гексагональный нитрид бора, излучающий глубокий ультрафиолетовый свет, синтезированный при атмосферном давлении». Наука. 317 (5840): 932–934. Bibcode:2007Научная ... 317..932K. Дои:10.1126 / science.1144216. PMID  17702939.
  25. ^ Watanabe, K .; Taniguchi, T .; Канда, Х. (2004). «Прямозонные свойства и доказательства ультрафиолетовой генерации монокристалла гексагонального нитрида бора». Материалы Природы. 3 (6): 404–409. Bibcode:2004 НатМа ... 3..404Вт. Дои:10.1038 / nmat1134. PMID  15156198.
  26. ^ Taniyasu, Y .; Kasu, M .; Макимото, Т. (2006). «Светодиод из нитрида алюминия с длиной волны 210 нм». Природа. 441 (7091): 325–328. Bibcode:2006Натура.441..325Т. Дои:10.1038 / природа04760. PMID  16710416.
  27. ^ «Светодиоды уходят в ультрафиолет». Physicsworld.com. 17 мая 2006 г.. Получено 13 августа, 2007.
  28. ^ Как подключить / подключить светодиоды В архиве 2 марта 2012 г. Wayback Machine. Llamma.com. Проверено 16 марта, 2012.
  29. ^ Типы светодиодов по цвету, яркости и химическому составу. Donklipstein.com. Проверено 16 марта, 2012.
  30. ^ Светодиод на квантовых точках может стать предпочтительным экраном для будущей электроники Массачусетский Институт Технологий Служба новостей, 18 декабря 2002 г.
  31. ^ Neidhardt, H .; Wilhelm, L .; Загребнов В. А. (февраль 2015 г.). «Новая модель для светоизлучающих-поглощающих устройств на квантовых точках: доказательства и дополнения». Наносистемы: физика, химия, математика.. 6 (1): 6–45. Дои:10.17586/2220-8054-2015-6-1-6-45.
  32. ^ Colvin, V. L .; Schlamp, M.C .; Аливисатос, А. П. (1994). «Светодиоды из нанокристаллов селенида кадмия и полупроводникового полимера». Природа. 370 (6488): 354–357. Bibcode:1994Натура 370..354С. Дои:10.1038 / 370354a0.
  33. ^ «Случайное изобретение указывает на конец лампочки». LiveScience.com. 21 октября 2005 г.. Получено 24 января, 2007.
  34. ^ Nanoco подписывает соглашение с крупной японской электронной компанией, nanocogroup.com (23 сентября 2009 г.)
  35. ^ Nanotechnologie Aktuell, стр. 98–99, т. 4, 2011 г., ISSN  1866-4997
  36. ^ Хосино, К .; Гопал, А .; Glaz, M. S .; Vanden Bout, D.A .; Чжан, X. (2012). «Наноразмерная флуоресцентная визуализация с электролюминесценцией ближнего поля с квантовыми точками». Письма по прикладной физике. 101 (4): 043118. Bibcode:2012АпФЛ.101д3118Н. Дои:10.1063/1.4739235.
  37. ^ Инман, Мейсон (1 февраля 2008 г.). «Хрустальное пальто согревает светодиодный свет». newscientist.com. Получено 30 января, 2012.

внешние ссылки