Азотно-вакансионный центр - Nitrogen-vacancy center - Wikipedia

А азотно-вакансионный центр (N-V центр или же NV центр ) является одним из многочисленных точечные дефекты в алмаз. Наиболее изученным и полезным его свойством является фотолюминесценция, которые могут быть легко обнаружены по отдельному центру N-V, особенно в состоянии отрицательного заряда (N-V⁻). Спинами электронов в центрах N-V, локализованных на атомных масштабах, можно управлять при комнатной температуре, применяя магнитное поле, электрическое поле, микроволновая печь излучение или свет, или их комбинация, приводящие к резким резонансам в интенсивности и длине волны фотолюминесценции. Эти резонансы можно объяснить с помощью спин электрона связанные явления, такие как квантовая запутанность, спин-орбитальное взаимодействие и Осцилляции Раби, и проанализированы с использованием расширенных квантовая оптика теория. Отдельный центр N-V можно рассматривать как базовую единицу квантовый компьютер, и он имеет потенциальные применения в новых, более эффективных областях электроники и вычислительной науки, включая квантовая криптография, спинтроника, и мазеры.

Упрощенная атомная структура N-V⁻ центр

Структура

Азотно-вакансионный центр представляет собой точечный дефект в алмазная решетка. Он состоит из пары ближайших соседей атома азота, который замещает атом углерода, и вакансия в решетке.

Нижние изображения представляют собой пространственные карты фотолюминесценции (ФЛ) до и после приложения напряжения +20 В к плоской Диод Шоттки. Верхнее изображение описывает эксперимент. Карты PL показывают преобразование отдельных N-V⁰ центры в N-V⁻ центры, которые выглядят как яркие точки.^[1]

Два зарядовых состояния этого дефекта, нейтральный N-V⁰ и отрицательный N-V⁻, известны из спектроскопический исследования с использованием оптическое поглощение,^[2][3] фотолюминесценция (PL),^[4] электронный парамагнитный резонанс (EPR)^[5][6][7] и оптически детектируемый магнитный резонанс (ODMR),^[8] который можно рассматривать как гибрид PL и EPR; большинство деталей структуры взято из EPR. У атома азота пять валентных электронов. Трое из них ковалентно связь с атомами углерода, а два остаются несвязанными и называются одинокая пара. Вакансия имеет три неспаренных электрона. Два из них образуют квазиковалентную связь, а один остается неспаренным. Однако общая симметрия является осевой (тригональной C_3В ); это можно представить себе, представив, как три неспаренных вакансионных электрона непрерывно меняют свои роли.

N-V⁰ таким образом, имеет один неспаренный электрон и является парамагнитным. Однако, несмотря на огромные усилия, электронный парамагнитный резонанс сигналы от N-V⁰ избегали обнаружения в течение десятилетий до 2008 года. Требуется оптическое возбуждение, чтобы обеспечить N-V⁰ дефект в возбужденном состоянии, обнаруживаемом ЭПР; сигналы от основного состояния предположительно слишком широки для обнаружения ЭПР.^[9]

N-V⁰ центры могут быть преобразованы в N-V⁻ путем изменения Уровень Ферми позиция. Это может быть достигнуто путем подачи внешнего напряжения на p-n переход изготовлен из легированного алмаза, например, в Диод Шоттки.^[1]

В состоянии отрицательного заряда N-V⁻, дополнительный электрон находится в позиции вакансии, образуя пару со спином S = 1 с одним из электронов вакансии. Как в N-V⁰, вакансионные электроны «меняются ролями», сохраняя общую тригональную симметрию. Это N-V⁻ состояние - это то, что обычно и несколько неправильно называют «азотно-вакансионным центром». Нейтральное состояние еще не исследовано для манипуляций со спином.

Центры N-V в кристалле алмаза ориентированы случайным образом. Ионная имплантация методы могут позволить их искусственное создание в заранее определенных положениях.^[10]

Производство

Основная статья: Кристаллографические дефекты в алмазе

Азотно-вакансионные центры обычно создаются из одиночных замещающих азотных центров (называемых в алмазной литературе центрами C или P1) путем облучения с последующим отжигом при температурах выше 700 ° C.^[2] Для такого облучения подходит широкий спектр частиц высоких энергий, включая электроны, протоны, нейтроны, ионы и гамма-фотоны. Облучение приводит к образованию вакансий в решетке, которые являются частью N-V-центров. Эти вакансии неподвижны при комнатной температуре, и для их перемещения требуется отжиг. Однократный замещающий азот вызывает деформацию кристаллической решетки алмаза;^[11] поэтому он эффективно захватывает движущиеся вакансии,^[12] производство центров N-V.

В течение химическое осаждение из паровой фазы Из алмаза небольшая доля примеси одиночного замещающего азота (обычно <0,5%) захватывает вакансии, образовавшиеся в результате плазменного синтеза. Такие центры азотных вакансий предпочтительно ориентированы по направлению роста.^[13]

Алмаз известен тем, что имеет относительно большую деформацию решетки. Деформация расщепляет и смещает оптические переходы от отдельных центров, что приводит к появлению широких линий в ансамблях центров.^[2] Особое внимание уделяется созданию чрезвычайно четких линий N-V (ширина линии ~ 10 МГц).^[14] требуется для большинства экспериментов: выбираются высококачественные, чистые природные или лучшие синтетические алмазы (тип IIa). Многие из них уже имеют достаточную концентрацию выращенных N-V центров и подходят для приложений. В противном случае они облучаются частицами высоких энергий и отжигаются. Выбор определенной дозы облучения позволяет настроить концентрацию образующихся N-V-центров таким образом, чтобы отдельные N-V-центры были разделены на микрометровые расстояния. Затем отдельные центры N-V можно изучать с помощью стандартных оптические микроскопы или лучше, сканирующие оптические микроскопы ближнего поля с субмикрометровым разрешением.^[8][15]

Основные оптические свойства

Оптическое поглощение и излучение N-V⁻ центр при комнатной температуре.

N-V⁻ центры излучают ярко-красный свет, который может быть удобно возбужден источниками видимого света, такими как аргоновые или криптоновые лазеры, частота удвоена Nd: YAG лазеры, лазеры на красителях, или же He-Ne лазеры. Возбуждение также может быть достигнуто при энергиях ниже энергии испускания нулевого фонона.^[16]Однако лазерное освещение также преобразует некоторые N-V⁻ в N-V⁰ центры.^[4] Эмиссия очень быстрая (время релаксации ~ 10 нс ).^[17][18] При комнатной температуре резких пиков не наблюдается из-за термического уширения. Однако охлаждение N-V⁻ центры с жидкий азот или же жидкий гелий резко сужает линии до нескольких мегагерц.

Важное свойство люминесценции от индивидуального N-V⁻ центрами является его высокая временная стабильность. В то время как многие одномолекулярные излучатели обесцвечиваются после выброса 10⁶–10⁸ фотонов просветление N-V-центров при комнатной температуре не наблюдается.^[8][15]

Из-за этих свойств идеальным методом обращения с N-V-центрами является конфокальная микроскопия, как при комнатной, так и при низкой температуре. В частности, низкотемпературная работа требуется специально для работы только с бесфононной линией (ZPL).

Структура энергетического уровня и манипулирование ею внешними полями

Схематическая структура энергетических уровней N-V⁻ центр. Электронные переходы между землей ³И взволнован ³Состояния E, разделенные расстоянием 1,945 эВ (637 нм), вызывают поглощение и люминесценцию. В ³Состояние делится на 1027 гаусс^[5][6] (~ 12 мкэВ) и ³Состояние E на 508 гаусс^[19] (~ 5,9 мкэВ). Цифры 0, ± 1 указывают на величину вращения; расщепление из-за орбитального вырождения не показано.

Структура уровней энергии N-V⁻ центр был создан путем объединения результатов оптического, электронного парамагнитного резонанса и теоретических результатов, как показано на рисунке. В частности, было выполнено несколько теоретических работ с использованием подхода линейной комбинации атомных орбиталей (ЛКАО).^{[нужна цитата ]}, чтобы построить электронные орбитали, чтобы описать возможные квантовые состояния, рассматривая N-V центр как молекулу. Кроме того, используются результаты теории групп.^{[нужна цитата ]}, чтобы учесть симметрию кристалла алмаза и, следовательно, симметрию самого N-V. Уровни энергии помечены в соответствии с теорией групп и, в частности, помечены после неприводимые представления C_3В группа симметрии дефектного центра, А₁, А₂ и E.Цифры 3 в ³А и 1 в ¹A представляют количество допустимых м_s спиновые состояния или спиновая множественность, которые варьируются от -S к S всего 2S+1 возможные состояния. Если S = 1, м_s может быть -1, 0 или 1. ¹Уровень предсказывается теорией, но не наблюдается непосредственно в эксперименте.^{[нужна цитата ]}, и считается, что он играет важную роль в тушении фотолюминесценции.

В отсутствие внешнего магнитного поля основное и возбужденное состояния разделяются магнитным взаимодействием между двумя неспаренными электронами на N-V.⁻ центр (см. микроскопическую модель): когда два электрона имеют параллельные спины (m_s= ± 1), их энергия больше, чем при антипараллельных спинах (m_s= 0). Чем дальше электроны находятся друг от друга, тем слабее энергия их взаимодействия. D (грубо D ~1/р³).^[6] Таким образом, меньшее расщепление в возбужденном состоянии можно рассматривать с точки зрения большего расстояния между электронами и электронами в возбужденном состоянии. При приложении внешнего магнитного поля к N-V⁻ центр, это не влияет на м_s= 0 состояний, ни ¹Состояние (потому что в нем S = 0), но разбивает м_s = ± 1 ступень. Если магнитное поле ориентировано вдоль оси дефекта и достигает примерно 1027 Гс (или 508 Гс), то м_s = –1 и м_s = 0 состояния в основном (или возбужденном) состоянии становятся равными по энергии; они сильно взаимодействуют, в результате чего возникают так называемые спиновая поляризация, что сильно влияет на интенсивность переходов оптического поглощения и люминесценции с участием этих состояний.^[19]

Это происходит потому, что переходы между электронными состояниями опосредуются фотон что не может измениться в целом вращение. Таким образом, оптические переходы должны сохранять полный спин и происходить между уровнями одного и того же полного спина. По этой причине переходы ³E↔¹А и ¹А ↔ ³A не излучают и гасят люминесценцию. В то время как м_s = −1 (возбужденное состояние) ↔ м_s = 0 (основное состояние) переход был запрещен в отсутствие внешнего магнитного поля, он становится разрешенным, когда магнитное поле смешивает м_s = −1 и м_s = 0 уровней в основном состоянии. Как измеримый результат этого явления, интенсивность люминесценции может сильно модулироваться магнитным полем.

Важное свойство безызлучательного перехода между ³E и ¹А в том, что он сильнее для m_s = ± 1 и слабее для m_s = 0. Это свойство приводит к очень полезной манипуляции с N-V центром, которая называется оптической спиновой поляризацией. Во-первых, рассмотрим нерезонансное возбуждение, которое имеет более высокую частоту (обычно 2,32 эВ (532 нм)), чем частоты всех переходов, и, следовательно, находится в вибронный полосы для всех переходов. Используя импульс этой длины волны, люди могут возбуждать все спиновые состояния, а также создавать фононы. Для спинового состояния с m_s = 0, из-за сохранения спина при переходе он будет возбужден до соответствующего m_s = 0 состояние в ³E, а затем вернитесь в исходное состояние. Однако для спинового состояния с m_s = ± 1 дюйм ³А, после возбуждения имеет относительно высокую вероятность перейти в промежуточное состояние ¹A путем безызлучательного перехода и перейти в основное состояние с m_s = 0. После достаточного количества циклов состояние N-V центра можно рассматривать как в m_s = 0 состояние. Такой процесс можно использовать для инициализации квантового состояния при обработке квантовой информации.

В возбужденном состоянии происходит дополнительное расщепление уровней. ³E состояние из-за орбитального вырождения и спин-орбитальное взаимодействие. Важно отметить, что это расщепление можно модулировать, применяя статический электрическое поле,^[14][20] аналогично механизму магнитного поля, описанному выше, хотя физика расщепления несколько сложнее. Тем не менее, важным практическим результатом является то, что интенсивность и положение линий люминесценции можно модулировать, применяя электрические и / или магнитные поля.

Разница в энергии между м_s = 0 и м_s = ± 1 состояний соответствует микроволновая печь область, край. Таким образом, облучая центры N-V микроволновым излучением, можно изменить относительную населенность этих уровней, тем самым снова модулируя интенсивность люминесценции.

Есть дополнительное разделение м_s = ± 1 энергетических уровней, происходящих от "сверхтонкий "взаимодействие между ядерными и электронными спинами. Таким образом, наконец, оптическое поглощение и люминесценция от N-V⁻ center состоит примерно из дюжины четких линий с разделением в диапазоне МГц-ГГц, и все эти линии могут быть разрешены при правильной подготовке образца. Интенсивность и положение этих линий можно регулировать с помощью следующих инструментов:

1. Амплитуда и ориентация магнитное поле, что разбивает м_s = ± 1 уровней в основном и возбужденном состояниях.
2. Амплитуда и ориентация упругое поле (деформация), которую можно приложить, например, сжав алмаз. Подобные эффекты могут быть вызваны применением электрическое поле,^[14][20] а электрическое поле можно контролировать с гораздо большей точностью.
3. Непрерывная волна микроволновая печь излучение, изменяющее населенность подуровней в основном и возбужденном состоянии.^[20]
4. Настраиваемый лазер, которые могут избирательно возбуждать определенные подуровни основного и возбужденного состояния.^[20][21]
5. Помимо этих статических возмущений, многочисленные динамические эффекты (спин-эхо, Осцилляции Раби и т. д.) можно использовать, применяя тщательно разработанную последовательность микроволновых импульсов.^{[22][23][24][25][26]} Первый импульс когерентно возбуждает спины электронов, и затем этой когерентностью манипулируют и исследуют последующие импульсы. Эти динамические эффекты очень важны для практической реализации квантовые компьютеры, который должен работать на высокой частоте.

Описанная выше энергетическая структура никоим образом не является исключительной для дефекта в алмазе или другом полупроводнике.^[27] Не только эта структура, но сочетание нескольких благоприятных факторов (предыдущие знания, легкость производства и возбуждения и т. Д.) Предложили использовать N-V⁻ центр.

Динамика отжима

Спиновая динамика в N-V^– центр на алмазе. Первичный переход между основным триплетным и возбужденным состояниями преимущественно сохраняет спин. Распад через промежуточные синглеты приводит к возникновению спиновой поляризации за счет переключения спина преимущественно с m_s = ± 1 м_s = 0. Указаны длины волн поглощения и излучения,^[28] поскольку они отличаются из-за Стоксов сдвиг.^[29] (Исправление: Длина волны перехода 1E-1A должна быть 1042 нм. ^[30])

Думая о N-V⁻ в центре как многоэлектронная система, мы можем нарисовать диаграмму на рисунке слева, где состояния помечены в соответствии с их симметрией и с левым верхним индексом, который обозначает тройкой, если это триплет (S = 1), и 1, если это синглет (S = 0). Сегодня хорошо принято, что у нас есть два триплетных состояния и два промежуточных синглетных состояния.^[31]

Оптические возбуждения сохраняют спиновое состояние, но есть большая вероятность состояний ${\textstyle \left|^{3}{\text{E}},\pm 1\right\rangle }$ безызлучательно распадаясь на синглетное состояние ${\textstyle \left|^{1}{\text{A}}_{1}\right\rangle }$, явление, называемое межсистемным пересечением (ISC). Это происходит с заметной скоростью, потому что кривая энергии в зависимости от положения атомов для ${\textstyle \left|^{3}{\text{E}},\pm 1\right\rangle }$ состояние пересекает кривую для ${\textstyle \left|^{1}{\text{A}}_{1}\right\rangle }$ государственный. Следовательно, в течение некоторого момента во время колебательной релаксации, которой ионы подвергаются после возбуждения, возможно изменение спина с небольшой энергией, необходимой для перехода, или без нее.^[32] Важно отметить, что этот механизм также приводит к переходу от ${\textstyle \left|^{3}{\text{E}},0\right\rangle }$ к ${\textstyle \left|^{1}{\text{A}}_{1}\right\rangle }$, но скорость этого ISC намного ниже, чем ${\textstyle \left|^{3}{\text{E}},\pm 1\right\rangle }$ частота состояний, поэтому этот переход показан тонкой линией. На диаграмме также показаны безызлучательные и инфракрасные конкурирующие пути распада между двумя синглетными состояниями и тонкое расщепление в триплетных состояниях, различия в энергии которых соответствуют микроволновым частотам.

Некоторые авторы объясняют динамику N-V⁻ центра, признав, что переход от ${\textstyle \left|^{1}{\text{E}}\right\rangle }$ к ${\textstyle \left|^{3}{\text{A}}_{2},\pm 1\right\rangle }$ невелик, но, как показывает Робледо и др. шоу,^[33] только то, что вероятность распада до ${\textstyle \left|^{1}{\text{A}}_{1}\right\rangle }$ меньше для ${\textstyle \left|^{3}{\text{E}},0\right\rangle }$ чем для ${\textstyle \left|^{3}{\text{E}},\pm 1\right\rangle }$ достаточно, чтобы поляризовать спин до m_s = 0.

Возможные приложения

Сканирующая тепловая микроскопия используя центр N-V.
(а) Схема экспериментальной установки. Электрический ток подается на руки AFM консоль (фосфор -допированный Si, P: Si) и нагревает концевую часть над наконечником (внутренний Si, я-Si). Нижняя линза возбуждает нанокристалл алмаза зеленым лазерным светом и собирает фотолюминесценцию (PL). Кристалл имеет N-V центр и прикреплен к наконечнику АСМ. Проволока на поверхности образца служит источником микроволн (МВ). Температура кантилевера T_час определяется по приложенному току и напряжению.
(б) Спектры ОДМР N-V-центра при трех температурах. Расщепление линии происходит из-за приложенного магнитного поля ∼1 мТл.
(c) Теплопроводность изображение золотой буквы E на сапфир. Белые кружки указывают на особенности, которые не коррелируют с топографией АСМ. (d) ФЛ-изображение конца кантилевера АСМ и острия, на котором нанокристалл алмаза выглядит как яркое пятно. (e) Увеличенное изображение центра N-V на фотографии d.^[34]

Спектральная форма и интенсивность оптических сигналов от N-V⁻ центры чувствительны к внешним возмущениям, таким как температура, деформация, электрическое и магнитное поле. Однако использование спектральной формы для обнаружения этих возмущений непрактично, так как алмаз необходимо было бы охладить до криогенных температур, чтобы повысить резкость N-V.⁻ сигналы. Более реалистичный подход - использовать интенсивность люминесценции (а не форму линии), которая демонстрирует резкий резонанс, когда к алмазу применяется микроволновая частота, соответствующая расщеплению уровней основного состояния. Результирующие оптически обнаруживаемые сигналы магнитного резонанса четкие даже при комнатной температуре и могут использоваться в миниатюрных датчиках. Такие датчики могут обнаруживать магнитные поля величиной в несколько нанотесла.^[35] или электрические поля около 10 В / см^[36] на килогерцовых частотах после 100 секунд усреднения. Эта чувствительность позволяет обнаруживать магнитное или электрическое поле, создаваемое одиночным электроном, находящимся в десятках нанометров от N-V⁻ центр.

Используя тот же механизм, N-V⁻ центры работали в сканирующая тепловая микроскопия для измерения пространственных карт высокого разрешения температуры и теплопроводность (см. изображение).^[34]

Другое возможное использование N-V⁻ Центры служат в качестве детектора для измерения полного тензора механических напряжений в объеме кристалла. В этом приложении используется вызванное напряжением расщепление бесфононной линии и ее поляризационные свойства.^[37] Надежный частотно-модулированный радиоприемник, использующий электронно-спин-зависимую фотолюминесценцию и работающий при температуре до 350 ° C, демонстрирует возможность использования в экстремальных условиях.^[38]

Помимо приложений квантовой оптики, люминесценция от N-V⁻ центры могут применяться для визуализации биологических процессов, таких как поток жидкости в живых клетках.^[39] Это приложение основано на хорошей совместимости алмазных наночастиц с живыми клетками и на благоприятных свойствах фотолюминесценции от N-V.⁻ центры (сильная интенсивность, легкое возбуждение и обнаружение, временная стабильность и т. д.). По сравнению с крупными монокристаллическими алмазами, наноалмазы дешевы (около 1 доллара США за грамм) и доступны у различных поставщиков. N-V⁻ центры получают из алмазных порошков с размером частиц субмикрометра с использованием стандартного процесса облучения и отжига, описанного выше. Из-за относительно небольшого размера наноалмаза NV-центры могут быть получены путем облучения наноалмаза с длиной волны 100 нм или меньше пучком H + средней энергии. Этот метод снижает требуемую дозу ионов и реакцию, делая возможным массовое производство флуоресцентных наноалмазов в обычной лаборатории.^[40] Флуоресцентный наноалмаз, полученный таким методом, является ярким и фотостабильным, что делает его превосходным для длительного трехмерного отслеживания одиночной частицы в живой клетке.^[41] Эти наноалмазы вводятся в ячейку, и их люминесценция отслеживается с помощью стандартного флуоресцентный микроскоп.^[42]

Далее N-V⁻ center была выдвинута гипотеза как потенциальная биомиметическая система для имитации спиновой динамики радикальной пары птичий компас.^[43][44]

Вынужденное излучение от С-В⁻ центр был продемонстрирован, хотя это может быть достигнуто только из фононной боковой полосы (то есть широкополосного света), а не из ZPL. Для этого центр необходимо возбудить на длине волны более ~ 650 нм, поскольку возбуждение более высокой энергии ионизирует центр.^[45]

Продемонстрирован первый мазер непрерывного действия при комнатной температуре.^[46][47] Используется N-V с накачкой на длине волны 532 нм.⁻ центры держатся в высоком Фактор Парселла СВЧ-резонатор и внешнее магнитное поле 4300 Гс. Непрерывное мазерное колебание генерировало когерентный сигнал на частоте ~ 9,2 ГГц.

Центр N-V может иметь очень долгое вращение. время согласованности приближается ко второму режиму.^[48] Это выгодно для приложений в квантовое зондирование^[49] и квантовая связь.^[50] Недостатком для этих приложений является большое радиационное время жизни (~ 12 нс^[51][52]) N-V-центра и сильной боковой полосы фононов в его спектре излучения. Обе проблемы можно решить, поместив центр N-V в оптический резонатор.^[53]

Исторические заметки

Микроскопическая модель и большинство оптических свойств ансамблей N-V⁻ центры были прочно основаны в 1970-х годах на основе оптических измерений в сочетании с одноосным напряжением^[2] и об электронном парамагнитном резонансе.^[5][6] Однако небольшая ошибка в результатах ЭПР (предполагалось, что для наблюдения N-V требуется освещение.⁻ Сигналы ЭПР) приводили к неправильному назначению множественности в структуре энергетических уровней. В 1991 году было показано, что ЭПР можно наблюдать без освещения,^[7] который установил схему уровней энергии, показанную выше. Магнитное расщепление в возбужденном состоянии было измерено совсем недавно.^[19]

Характеристика одиночного N-V⁻ В настоящее время центры стали очень конкурентным полем, многие десятки статей опубликованы в самых престижных научных журналах. Один из первых результатов был доложен еще в 1997 году.^[8] В этой статье было продемонстрировано, что флуоресценция одиночных N-V⁻ центры могут быть обнаружены с помощью флуоресцентной микроскопии при комнатной температуре, и дефект демонстрирует идеальную фотостабильность. Также было продемонстрировано одно из выдающихся свойств N-V-центра, а именно оптически детектируемый магнитный резонанс при комнатной температуре.

Смотрите также

• Кристаллографические дефекты в алмазе
• Кристаллографический дефект
• Материальные свойства алмаза

Рекомендации

1. Schreyvogel, C .; Поляков, В .; Wunderlich, R .; Meijer, J .; Небель, К. Э. (2015). «Активное управление зарядовым состоянием одиночных N-V-центров в алмазе с помощью плоских переходов Al-Шоттки». Научные отчеты. 5: 12160. Bibcode:2015НатСР ... 512160С. Дои:10.1038 / srep12160. ЧВК  4503995. PMID  26177799.
2. Дэвис, G .; Хамер, М. Ф. (1976). "Оптические исследования вибронной полосы 1.945 эВ в алмазе". Труды Лондонского королевского общества A. 348 (1653): 285. Bibcode:1976RSPSA.348..285D. Дои:10.1098 / RSPA.1976.0039. S2CID  93303167.
3. Мита, Ю. (1996). «Изменение спектров поглощения в алмазе Ib типа при облучении сильными нейтронами». Физический обзор B. 53 (17): 11360–11364. Bibcode:1996ПхРвБ..5311360М. Дои:10.1103 / PhysRevB.53.11360. PMID  9982752.
4. Якубовский, К .; Adriaenssens, G.J .; Несладек, М. (2000). «Фотохромизм вакансионных центров в алмазе» (PDF). Журнал физики: конденсированное вещество. 12 (2): 189. Bibcode:2000JPCM ... 12..189I. Дои:10.1088/0953-8984/12/2/308.
5. Loubser, J.H.N .; ван Вик, Дж. А. (1977). «Электронный спиновой резонанс в отожженном алмазе типа 1b». Алмазные исследования. 11: 4–7. ISSN  0070-4679.
6. Loubser, J.H.N .; ван Вик, Дж. А. (1978). «Электронный спиновой резонанс в исследовании алмаза». Отчеты о достижениях физики. 41 (8): 1201. Bibcode:1978RPPh ... 41.1201L. Дои:10.1088/0034-4885/41/8/002.
7. Redman, D .; Brown, S .; Sands, R .; Рэнд, С. (1991). «Спиновая динамика и электронные состояния N-V центров в алмазе методами ЭПР и спектроскопии четырехволнового смешения». Письма с физическими проверками. 67 (24): 3420–3423. Bibcode:1991ПхРвЛ..67.3420Р. Дои:10.1103 / PhysRevLett.67.3420. PMID  10044729.
8. Gruber, A .; и другие. (1997). «Сканирующая конфокальная оптическая микроскопия и магнитный резонанс на центрах единичных дефектов» (PDF). Наука. 276 (5321): 2012–2014. Дои:10.1126 / science.276.5321.2012.
9. Felton, S .; и другие. (2008). «Исследование нейтральной вакансии азота в алмазе с помощью электронного парамагнитного резонанса». Физический обзор B. 77 (8): 081201. Bibcode:2008ПхРвБ..77х1201Ф. Дои:10.1103 / PhysRevB.77.081201.
10. Awschalom, D. D .; Эпштейн, Р .; Хэнсон, Р. (2007). «Алмазный век спинтроники». Scientific American. 297 (4): 84–91. Bibcode:2007Наука.297д..84А. Дои:10.1038 / scientificamerican1007-84. PMID  17926759.
11. Lang, A. R .; и другие. (1991). "О расширении синтетического алмаза типа Ib замещающей примесью азота". Философские труды Королевского общества A. 337 (1648): 497–520. Bibcode:1991RSPTA.337..497L. Дои:10.1098 / rsta.1991.0135. S2CID  54190787.
12. Якубовский, К .; Адрианссенс, Г. Дж. (2001). «Захват вакансий дефектами в алмазе». Журнал физики: конденсированное вещество. 13 (26): 6015. Bibcode:2001JPCM ... 13.6015I. Дои:10.1088/0953-8984/13/26/316.
13. Эдмондс, А .; d’Haenens-Johansson, U .; Cruddace, R .; Ньютон, М .; Фу, К. -М .; Сантори, С .; Beausoleil, R .; Twitchen, D .; Маркхэм, М. (2012). «Получение ориентированных азотно-вакансионных центров окраски в синтетическом алмазе». Физический обзор B. 86 (3): 035201. arXiv:1112.5757. Bibcode:2012PhRvB..86c5201E. Дои:10.1103 / PhysRevB.86.035201. S2CID  118609894.
14. Тамарат, к .; и другие. (2006). «Штарковское управление одиночными оптическими центрами в алмазе». Письма с физическими проверками. 97 (8): 083002. arXiv:Quant-ph / 0607170. Bibcode:2006ПхРвЛ..97х3002Т. Дои:10.1103 / PhysRevLett.97.083002. PMID  17026299. S2CID  33870769.
15. Kuhn, S .; и другие. (2001). «Алмазные центры окраски как наноскопический источник света для сканирующей ближнепольной оптической микроскопии». Журнал микроскопии. 202 (1): 2–6. Дои:10.1046 / j.1365-2818.2001.00829.x. PMID  11298860.
16. De Weerdt, F .; Коллинз, А. Т .; Зугик, М .; Коннор, А. (2005). «Подпороговое возбуждение люминесценции дефектов в алмазах». Журнал физики: конденсированное вещество. 50 (17): 8005. Bibcode:2005JPCM ... 17.8005D. Дои:10.1088/0953-8984/17/50/018.
17. Коллинз, А. Т .; Thomaz, M. F .; Хорхе, М. И. Б. (1983). «Время затухания люминесценции центра 1.945 эВ в алмазе типа Ib». Журнал физики C. 16 (11): 2177. Bibcode:1983JPhC ... 16,2177C. Дои:10.1088/0022-3719/16/11/020.
18. Hanzawa, H .; Nisida, Y .; Като, Т. (1997). «Измерение времени распада NV-центра в алмазе Ib с помощью пикосекундного лазерного импульса». Алмаз и сопутствующие материалы. 6 (11): 1595. Bibcode:1997DRM ..... 6.1595H. Дои:10.1016 / S0925-9635 (97) 00037-X.
19. Fuchs, G.D .; и другие. (2008). "Спектроскопия возбужденного состояния с использованием манипуляции одним спином в алмазе". Письма с физическими проверками. 101 (1): 117601. arXiv:0806.1939. Bibcode:2008PhRvL.101k7601F. Дои:10.1103 / PhysRevLett.101.117601. PMID  18851332. S2CID  24822943.
20. Тамарат, к .; и другие. (2008). «Спин-флип и спин-сохраняющие оптические переходы азотно-вакансионного центра в алмазе». Новый журнал физики. 10 (4): 045004. Bibcode:2008NJPh ... 10d5004T. Дои:10.1088/1367-2630/10/4/045004.
21. Сантори, С .; и другие. (2006). «Когерентный захват одиночных спинов в алмазе при оптическом возбуждении». Письма с физическими проверками. 97 (24): 247401. arXiv:Quant-ph / 0607147. Bibcode:2006ПхРвЛ..97x7401С. Дои:10.1103 / PhysRevLett.97.247401. HDL:2318/103560. PMID  17280321. S2CID  14264923.
22. Hanson, R .; Gywat, O .; Авшалом, Д. Д. (2006). «Манипуляция комнатной температурой и декогеренция одного вращения в алмазе» (PDF). Физический обзор B. 74 (16): 161203. arXiv:Quant-ph / 0608233. Bibcode:2006ПхРвБ..74п1203Н. Дои:10.1103 / PhysRevB.74.161203. S2CID  5055366.
23. Dutt, M. V. G .; и другие. (2007). «Квантовый регистр на основе индивидуальных электронных и ядерных спиновых кубитов в алмазе» (PDF). Наука. 316 (5829): 1312–6. Bibcode:2007 Наука ... 316 ..... D. Дои:10.1126 / science.1139831. PMID  17540898. S2CID  20697722.^{[постоянная мертвая ссылка ]}
24. Чайлдресс, L .; и другие. (2006). «Когерентная динамика связанных электронных и ядерных спиновых кубитов в алмазе». Наука. 314 (5797): 281–5. Bibcode:2006Научный ... 314..281C. Дои:10.1126 / science.1131871. PMID  16973839. S2CID  18853275.
25. Баталов, А .; и другие. (2008). «Временная когерентность фотонов, испускаемых одиночными дефектными центрами азотной вакансии в алмазе с использованием оптических колебаний Раби» (PDF). Письма с физическими проверками. 100 (7): 077401. Bibcode:2008ПхРвЛ.100г7401Б. Дои:10.1103 / PhysRevLett.100.077401. HDL:11858 / 00-001M-0000-0011-A088-E. PMID  18352594.
26. Железко, Ф .; и другие. (2004). «Наблюдение когерентных колебаний в спине одного электрона» (PDF). Письма с физическими проверками. 92 (7): 076401. Bibcode:2004PhRvL..92g6401J. Дои:10.1103 / PhysRevLett.92.076401. PMID  14995873.^{[постоянная мертвая ссылка ]}
27. Ааронович, И .; и другие. (2009). «Усиленное однофотонное излучение в ближнем инфракрасном диапазоне из центра окраски алмаза». Физический обзор B. 79 (23): 235316. Bibcode:2009PhRvB..79w5316A. Дои:10.1103 / PhysRevB.79.235316.
28. Гордон, Люк; Вебер, Джастин Р .; Варлей, Джоэл Б.; Джанотти, Андерсон; Awschalom, David D .; Ван де Валле, Крис Г. (01.10.2013). «Квантовые вычисления с дефектами». Бюллетень MRS. 38 (10): 802–807. Дои:10.1557 / mrs.2013.206.
29. Роджерс, Л. Дж .; Доэрти, М. В .; Barson, M. S. J .; Onoda, S .; Ohshima, T .; Мэнсон, Н. Б. (01.01.2015). «Синглетные уровни НВ - центра в ромбе». Новый журнал физики. 17 (1): 013048. arXiv:1407.6244. Bibcode:2015NJPh ... 17a3048R. Дои:10.1088/1367-2630/17/1/013048. S2CID  43745993.
30. Роджерс, Л. Дж .; Armstrong, S .; Селларс, М. Дж .; Мэнсон, Н. Б. (2008). «Инфракрасное излучение NV-центра в алмазе: исследования Зеемана и одноосного напряжения». Новый журнал физики. 10 (10): 103024. arXiv:0806.0895. Bibcode:2008NJPh ... 10j3024R. Дои:10.1088/1367-2630/10/10/103024. ISSN  1367-2630. S2CID  42329227.
31. Доэрти, Маркус В .; Мэнсон, Нил Б.; Делани, Пол; Железко, Федор; Wrachtrup, Jörg; Холленберг, Ллойд К. Л. (1 июля 2013 г.). «Азотно-вакансионный центр окраски в алмазе». Отчеты по физике. Азотно-вакансионный центр окраски в алмазе. 528 (1): 1–45. arXiv:1302.3288. Bibcode:2013ФР ... 528 .... 1Д. CiteSeerX  10.1.1.743.9147. Дои:10.1016 / j.physrep.2013.02.001. S2CID  119113089.
32. Чой, Сангук (01.01.2012). «Механизм оптической инициализации спина в НВ». Физический обзор B. 86 (4): 041202. Bibcode:2012PhRvB..86d1202C. Дои:10.1103 / PhysRevB.86.041202.
33. Робледо, Лусио; Берниен, Ханнес; Сар, Тоено ван дер; Хэнсон, Рональд (01.01.2011). «Спиновая динамика в оптическом цикле одиночных азотно-вакансионных центров в алмазе». Новый журнал физики. 13 (2): 025013. arXiv:1010.1192. Bibcode:2011NJPh ... 13b5013R. Дои:10.1088/1367-2630/13/2/025013. S2CID  55207459.
34. Ларауи, Абдельгани; Эйкок-Риццо, Галлей; Гао, Ян; Лу, Си; Риедо, Элиза; Мерилс, Карлос А. (2015). «Отображение теплопроводности с наноразмерным разрешением с помощью сканирующего спинового зонда». Nature Communications. 6 (8954): 8954. arXiv:1511.06916. Bibcode:2015 НатКо ... 6E8954L. Дои:10.1038 / ncomms9954. ЧВК  4673876. PMID  26584676.
35. Maze, J. R .; Stanwix, P.L .; Hodges, J. S .; Hong, S .; Taylor, J.M .; Cappellaro, P .; Jiang, L .; Dutt, M. V. G .; Togan, E .; Зибров, А. С .; Якоби, А .; Walsworth, R.L .; Лукин, М. Д. (2008). «Наномасштабное магнитное зондирование с индивидуальным электронным спином в алмазе» (PDF). Природа. 455 (7213): 644–647. Bibcode:2008Натура.455..644M. Дои:10.1038 / природа07279. PMID  18833275. S2CID  136428582.
36. Dolde, F .; Fedder, H .; Доэрти, М. В .; Нёбауэр, Т .; Ремпп, Ф .; Balasubramanian, G .; Wolf, T .; Рейнхард, Ф .; Холленберг, Л. К. Л .; Железко, Ф .; Wrachtrup, J. (2011). «Измерение электрического поля с помощью одиночных алмазных спинов». Природа Физика. 7 (6): 459. arXiv:1103.3432. Bibcode:2011НатФ ... 7..459Д. Дои:10.1038 / nphys1969. HDL:11858 / 00-001M-0000-0027-768E-1.
37. Grazioso, F .; Patton, B.R .; Delaney, P .; Markham, M. L .; Twitchen, D. J .; Смит, Дж. М. (2013). «Измерение полного тензора напряжений в кристалле с использованием фотолюминесценции точечных дефектов: пример центров вакансий азота в алмазе». Письма по прикладной физике. 103 (10): 101905. arXiv:1110.3658. Bibcode:2013ApPhL.103j1905G. Дои:10.1063/1.4819834. S2CID  119233985.
38. Шао Линьбо; Чжан, Миан; Маркхэм, Мэтью; Эдмондс, Эндрю; Лончар, Марко (15 декабря 2016 г.). "Алмазный радиоприемник: азотно-вакансионные центры как флуоресцентные преобразователи микроволновых сигналов". Phys. Ред. Заявл.. 6 (6): 064008. Bibcode:2016ПхРвП ... 6ф4008С. Дои:10.1103 / PhysRevApplied.6.064008.
39. Chang, Y.-R .; и другие. (2008). «Массовое производство и динамическое отображение флуоресцентных наноалмазов» (PDF). Природа Нанотехнологии. 3 (5): 284–8. Дои:10.1038 / ннано.2008.99. PMID  18654525. Архивировано из оригинал (PDF) на 2016-03-04. Получено 2013-03-04.
40. Чанг, Хуан-Ченг; Сяо, Уэсли Вэй-Вэнь; Су, Мэн-Чжи (12 ноября 2018 г.). Флуоресцентные наноалмазы (1-е изд.). Вайли. п. 93-111. ISBN  9781119477082.
41. Чанг, И-Рен; Ли, Сюй-Ян; Чен, Кова; Чанг, Чун-Цзе; Цай, Дунг-Шэн; Фу, Чи-Ченг; Лим, Цон-Шин; Цзэн, Ян-Кай; Фанг, Чиа-И; Хан, Чау-Чунг; Чанг, Хуан-Ченг; Fann, Wunshain (май 2008 г.). «Массовое производство и динамическое отображение флуоресцентных наноалмазов». Природа Нанотехнологии. 3 (5): 284–288. Дои:10.1038 / ннано.2008.99. PMID  18654525.
42. Ааронович, И .; Greentree, A.D .; Правер, С. (2011). «Алмазная фотоника». Природа Фотоника. 5 (7): 397. Bibcode:2011НаФо ... 5..397А. Дои:10.1038 / nphoton.2011.54.
43. Криптохром и магнитное зондирование, Университет Иллинойса в Урбана-Шампейн
44. Цай, Цзяньминь; Геррески, Джан Джакомо; Бригель, Ханс Дж. (04.06.2010). «Квантовое управление и запутывание в химическом компасе». Письма с физическими проверками. 104 (22): 220502. arXiv:0906.2383. Bibcode:2010PhRvL.104v0502C. Дои:10.1103 / PhysRevLett.104.220502. PMID  20867156. S2CID  18572873.
45. Джеске, Ян; Lau, Desmond W. M .; Видаль, Ксавьер; McGuinness, Liam P .; Рейнек, Филипп; Johnson, Brett C .; Доэрти, Маркус В .; McCallum, Jeffrey C .; Онода, Шинобу; Железко, Федор; Осима, Такеши; Волц, Томас; Коул, Джаред Х .; Гибсон, Брант С.; Гринтри, Эндрю Д. (2017). «Вынужденное излучение азотно-вакансионных центров в алмазе». Nature Communications. 8: 14000. arXiv:1602.07418. Bibcode:2017НатКо ... 814000J. Дои:10.1038 / ncomms14000. ЧВК  5290152. PMID  28128228.
46. Бриз, Джонатан Д.; Сатиан, Джуна; Сальвадори, Энрико; Алфорд, Нил МакН; Кей, Кристофер В. М. (21 марта 2018 г.). «Непрерывный алмазный мазер при комнатной температуре». Природа. 555 (7697): 493–496. arXiv:1710.07726. Bibcode:2018Натура.555..493Б. Дои:10.1038 / природа25970. ISSN  0028-0836. PMID  29565362. S2CID  588265.
47. Лю, Рен-Бао (22 марта 2018 г.). «Алмазный век мазеров». Природа. 555 (7697): 447–449. Bibcode:2018Натура.555..447L. Дои:10.1038 / d41586-018-03215-3. PMID  29565370.
48. Bar-Gill, N .; Pham, L.M .; Jarmola, A .; Будкер, Д .; Уолсворт, Р.Л. (2012). «Время твердотельной электронной спиновой когерентности приближается к одной секунде». Nature Communications. 4: 1743. arXiv:1211.7094. Bibcode:2013 НатКо ... 4E1743B. Дои:10.1038 / ncomms2771. PMID  23612284. S2CID  964488.
49. Mamin, H.J .; Kim, M .; Sherwood, M. H .; Rettner, C.T .; Оно, К .; Awschalom, D. D .; Ругар, Д. (2013). «Наноразмерный ядерный магнитный резонанс с азотно-вакансионным датчиком спина». Наука. 339 (6119): 557–560. Bibcode:2013Наука ... 339..557М. Дои:10.1126 / science.1231540. PMID  23372008. S2CID  206545959.
50. Hensen, B .; Bernien, H .; Dréau, A.E .; Райзерер, А .; Kalb, N .; Блок, М.С.; Ruitenberg, J .; Vermeulen, R.F .; Schouten, R.N .; Abellán, C .; Amaya, W .; Pruneri, V .; Mitchell, M.W .; Markham, M .; Twitchen, D.J .; Elkouss, D .; Wehner, S .; Taminiau, T.H .; Хэнсон, Р. (2015). «Нарушение неравенства Белла без петель с использованием электронных спинов, разделенных расстоянием 1,3 километра». Природа. 526 (7575): 682–686. arXiv:1508.05949. Bibcode:2015Натура.526..682H. Дои:10.1038 / природа15759. PMID  26503041. S2CID  205246446.
51. Ататюр, Мете; Энглунд, Дирк; Вамивакас, Ник; Ли, Сан-Юн; Ррахтруп, Йорг (2018). «Материальные платформы для спиновых фотонных квантовых технологий». Nature Reviews Материалы. 3 (5): 38–51. Дои:10.1038 / с41578-018-0008-9. ISSN  2058-8437. S2CID  139734402.
52. Радько, Илья П .; Болл, Мэдс; Israelsen, Niels M .; Раатц, Николь; Мейер, Ян; Железко, Федор; Андерсен, Ульрик Л .; Гек, Александр (2016). «Определение внутренней квантовой эффективности неглубоких имплантированных азотно-вакансионных дефектов в массивном алмазе» (PDF). Оптика Экспресс. 24 (24): 27715–27725. Дои:10.1364 / OE.24.027715. ISSN  1094-4087. PMID  27906340.
53. Albrecht, R .; Bommer, A .; Deutsch, C .; Reichel, J .; Бехер, К. (2013). «Соединение одиночного центра азотных вакансий в алмазе с волоконной микрополостью». Phys. Rev. Lett. 110 (24): 243602. Дои:10.1103 / Physrevlett.110.243602. PMID  25165921. S2CID  27859868.